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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	전류 - 공급	채널 채널	출력 출력	sic 프로그램 가능	입력	산출	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	샘플링 샘플링 (속도)	입력 입력	데이터 데이터	데이터 데이터	데이터 데이터 (속도)	지연 지연	신호 신호	커패시턴스 - 입력	해상도 (비트)	출력 출력	전압 전압	내부 내부	토폴로지	전압- 최대 (공급)	디밍	전압- 최소 (공급)	전압 - 출력
THCV242-B	11.8000	RFQ	4778	셀	Thine® V-By-One®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	64-vfqfn 노출 패드			v-by-one®hs				CMOS					1.1V ~ 1.3V, 1.7V ~ 2V, 2V ~ 3V, 3V ~ 3.6V	64-QFN (9x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	260	사제제											2		4Gbps						6
THL3502-B	12.5100	RFQ	198	셀	thine®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	백라이트, 간판	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드	전원 전원	THL3502		10MHz									48-QFN (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	260					100ma															24		예	-	5.5V	-	3V	35V
THCV214-5T	8.1627	RFQ	5470	셀	자동차, AEC-Q100, Thine®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TQFP		THCV214	LVD				CMOS/TTL					3V ~ 3.6V	48-TQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,250	사제제											1		-						18
PS8551AL4-E3-AX	-	RFQ	3601	셀	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8-smd,, 날개					13.5MA		-				1		8-DIP 날개 갈매기	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000			-	100 kHz	7.8 MA	격리	1 µA	2 MV	4.5 v	5.5 v
THCV213-5T-B	3.6000	RFQ	100	셀	자동차, AEC-Q100, Thine®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TQFP		THCV213	CMOS/TTL				LVD					3V ~ 3.6V	48-TQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	시리얼 시리얼											18		-						2
THC63LVD824A	-	RFQ	3861	셀	thine®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	100-tqfp		THC63	LVD				CMOS/TTL					3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	900	사제제											8		595mbps						56
THCV236-Q	16.7000	RFQ	166	셀	자동차, AEC-Q100, Thine®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	64-vfqfn 노출 패드		THCV236	v-by-one®hs				CMOS/TTL					1.7V ~ 3.6V	64-QFN (9x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	260	사제제											1		4Gbps						1
THCX222R05-B	3.7900	RFQ	43	셀	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	USB	표면 표면	30-wfqfn q 패드	버퍼, 리버 레드	THCX222			84ma	2			CML	CML		3V ~ 3.6V	30-QFN (2.5x4.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	490															5Gbps	150ps	입력 입력	1.1 pf
THC63LVD824A-B	-	RFQ	9687	셀	thine®	대부분	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	100-tqfp		THC63	LVD				CMOS/TTL					3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90	사제제											8		595mbps						56
CTCV352A	-	RFQ	9424	셀	Thine® V-By-One®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	40-vfqfn 노출 패드		CTCV352	CMOS				CMOS					1.1V ~ 1.3V, 1.7V ~ 2V, 2V ~ 3V, 3V ~ 3.6V	40-QFN (5x5)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	51-CTCV352A			490	시리얼 시리얼													4Gbps						2
THC63LVD827-QB	12.8700	RFQ	7396	셀	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	72-TFBGA			LVCMOS				LVD					1.62V ~ 1.98V, 3.6V	72-TFBGA (7x7)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.90.0000	260	시리얼 시리얼											27		1.218Gbps						10
THCX423R10-B	7.8200	RFQ	477	셀	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	USB 유형 c	표면 표면	40-vfqfn 노출 패드	버퍼, 멀티플렉서	THCX423			120ma	2			CML	CML		3V ~ 3.6V	40-QFN (5x5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	490															10Gbps	150ps	입력 입력	1.1 pf
THC63LVD827-Q	-	RFQ	1556	셀	자동차, AEC-Q100, Thine®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	72-TFBGA		THC63	CMOS/TTL				LVD					1.62V ~ 3.6V	72-TFBGA (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	시리얼 시리얼											56		1.218Gbps						8
PS8551L4-V-AX	-	RFQ	8875	셀	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-smd,, 날개		PS8551			16MA		미분				1		8-DIP 날개 갈매기	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	PS8551L4VAX	귀 99	8542.33.0001	50			-	100 kHz	18.6 MA	격리	500 NA	300 µV	4.5 v	5.5 v
PS9551AL4-E3-AX	-	RFQ	5199	셀	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8-smd,, 날개	시그마 시그마 변조기					2						5V	8-DIP 날개 갈매기	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000											-		SPI						12 b		단일 단일
THL3514-B	-	RFQ	4925	셀	thine®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	백라이트, 간판	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드	전원 전원	THL3514		900kHz									48-QFN (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	260					40ma															24		예	-	5.5V	-	3V	35V
UPC1663GV-A	-	RFQ	6460	셀	-	대부분	쓸모없는		미분	표면 표면	8-SSOP (0.126 ", 3.20mm 너비)		UPC1663			13 MA		미분				1		도 8-	-		1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		-	-	700MHz	20 MA
CTCV352A-B	-	RFQ	4242	셀	Thine® V-By-One®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	40-vfqfn 노출 패드		CTCV352	CMOS				CMOS					1.1V ~ 1.3V, 1.7V ~ 2V, 2V ~ 3V, 3V ~ 3.6V	40-QFN (5x5)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	51-CTCV352A-B			490	시리얼 시리얼													4Gbps						2
THC63LVDM83C-5S-B	-	RFQ	4261	셀	thine®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)		THC63	CMOS/TTL				LVD					3V ~ 3.6V	56-tssop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	Q12438116	귀 99	8542.39.0001	228	시리얼 시리얼											28		595mbps						4
PS9551AL4-V-E3-AX	-	RFQ	1882	셀	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8-smd,, 날개	시그마 시그마 변조기					2						5V	8-DIP 날개 갈매기	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000											-		SPI						12 b		단일 단일
THC63LVDF84B-5S	7.8949	RFQ	7273	셀	thine®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)		THC63	LVD				CMOS/TTL					3V ~ 3.6V	56-tssop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,500	사제제											4		1.8Gbps						28
THP7312-WB	55.4400	RFQ	9105	셀	-	조각	활동적인		-	표면 표면	81-UFBGA, WLCSP	이미징 이미징 프로세서							확인되지 확인되지					81-WLCSP (3.94x3.96)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			3A991	8542.31.0001	20
THC63LVDM83E-B	6.4600	RFQ	8	셀	thine®	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	49-VFBGA		THC63	CMOS/TTL				LVD					3V ~ 3.6V	49-VFBGA (5x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	490	시리얼 시리얼											28		1.12Gbps						4
THCV213-B	12.2400	RFQ	3760	셀	자동차, AEC-Q100, Thine®	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	48-TQFP			CMOS/TTL				LVD					3V ~ 3.6V	48-TQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	시리얼 시리얼											18		-						2
PS9551L4-AX	-	RFQ	2679	셀	NEPOC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-smd,, 날개		PS9551			14.5MA		-				1		8-SMD 갈매기 d	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50			-		10 MA	격리	800 NA	3 MV	4.5 v	5.5 v
THC63LVDM83C-5S	8.1627	RFQ	4791	셀	thine®	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)		THC63	CMOS/TTL				LVD					3V ~ 3.6V	56-tssop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,500	시리얼 시리얼											28		595mbps						4
PS8551L4-AX	7.8280	RFQ	1835	셀	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-smd,, 날개		PS8551			16MA		미분				1		8-SMD 갈매기 d	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	PS8551L4AX	귀 99	8542.33.0001	50			-	100 kHz	18.6 MA	격리	500 NA	300 µV	4.5 v	5.5 v
THCV231-B	11.3500	RFQ	767	셀	thine®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	32-vfqfn 노출 패드		THCV231	CMOS/TTL				v-by-one®hs					1.7V ~ 3.6V	32-QFN (5x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	490	시리얼 시리얼											1		4Gbps						1
PS9551AL4-V-AX	-	RFQ	5081	셀	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8-smd,, 날개	시그마 시그마 변조기					2						5V	8-DIP 날개 갈매기	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	50											-		SPI						12 b		단일 단일
THCV219-B	11.3500	RFQ	77	셀	Automotive, AEC-Q100, Thine®, V-By-One®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	64-vfqfn 노출 패드		THCV219	CMOS/TTL				v-by-one®hs					2.3V ~ 3.6V	64-QFN (9x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	260	시리얼 시리얼											35		3Gbps						1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (58)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²