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통합 통합 (ICS) (168)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MB85RS4MLYPF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MLYPF-G-BCE1 7.2374
RFQ
 ECAD 8837 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS4MLYPF-G-BCE1 귀 99 8542.32.0071 80 50MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 SPI -
MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPNF-g-AWERE2 4.9893
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 5.4170
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 7.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 귀 99 8542.32.0071 85 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 5.4170
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 3.1288
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWE2TR 귀 99 8542.32.0071 85 33MHz 비 비 256kbit 13 ns 프램 32k x 8 SPI -
MB85RS2MTAPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPNF-g-awe2 5.2505
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MTAPNF-AWE2TR 귀 99 8542.32.0071 85 40MHz 비 비 2mbit 9 ns 프램 256k x 8 SPI 400µs
MB85RC256VPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC256VPF-BCERE1 3.2589
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RC256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RC256VPF-BCERE1TR 귀 99 8542.32.0071 500 1MHz 비 비 256kbit 550 ns 프램 32k x 8 i²c -
MB85RS512TPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-g-awe2 4.1436
RFQ
 ECAD 3476 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS512 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS512TPNF-G-AWE2 귀 99 8542.32.0071 85 30MHz 비 비 512kbit 9 ns 프램 64k x 8 SPI 400µs
MB85RS4MTPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTPF-G-BCERE1 6.8681
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS4MTPF-G-BCERE1TR 귀 99 8542.32.0071 500 40MHz 비 비 4mbit 9 ns 프램 512k x 8 SPI 400µs
MB85RC64TAPNF-G-JNE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-G-JNE2 1.6595
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC64 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RC64TAPNF-G-JNE2TR 귀 99 8542.32.0071 95 3.4 MHz 비 비 64kbit 130 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85AS8MTPW-G-KBBERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85AS8MTPW-G-KBBERE1 -
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 11-XFBGA, WLBGA MB85AS8 레람 (램 저항) 1.6V ~ 3.6V 11-WLP (2.07x2.88) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-mb85as8mtpw-kbbere1tr 귀 99 8542.32.0071 10,000 10MHz 비 비 8mbit 35 ns 숫양 1m x 8 SPI 10ms
MB85RS512TPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-G-JNE1 4.2289
RFQ
 ECAD 8548 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS512TPNF-G-JNE1TR 95 40MHz 비 비 512kbit 9 ns 프램 64k x 8 SPI -
MB85RS1MTPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPNF-g-awe2 4.4301
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS1MTPNF-g-awe2tr 85 40MHz 비 비 1mbit 9 ns 프램 128k x 8 SPI -
MB85RS128TYPNF-GS-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS128TYPNF-GS-BCE1 2.7060
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS128TYPNF-GS-BCE1TR 85 33MHz 비 비 128kbit 13 ns 프램 16k x 8 SPI -
MB85RS64TUPNF-G-JNE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64TUPNF-G-JNE2 2.3678
RFQ
 ECAD 4401 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS64TUPNF-G-JNE2 95 10MHz 비 비 64kbit 18 ns 프램 8k x 8 SPI -
MB85RC64VPNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64VPNF-G-JNE1 1.8604
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 5.5V 8-SOP - 865-MB85RC64VPNF-G-JNE1 95 1MHz 비 비 64kbit 550 ns 프램 8k x 8 i²c -
MB85RS128TYPNF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS128TYPNF-G-BCE1 2.4613
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - 865-MB85RS128typnf-g-bce1tr 85 33MHz 비 비 128kbit 13 ns 프램 16k x 8 SPI -
MB85R8M1TABGL-G-JAE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M1TABGL-G-JAE1 14.3327
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA MB85R8 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 48-FBGA (8x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85R8M1TABGL-G-JAE1 귀 99 8542.32.0071 480 비 비 8mbit 120 ns 프램 512k x 16 평행한 120ns
MB85RS64VYPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VYPNF-g-awe2 1.6913
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 MB85RS64 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8) (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS64VYPNF-g-awe2tr 귀 99 8542.32.0071 85 33MHz 비 비 64kbit 13 ns 프램 8k x 8 SPI -
MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPNF-g-AWERE2 4.7133
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MTAPNF-g-AWERE2 귀 99 8542.32.0071 1,500 40MHz 비 비 2mbit 9 ns 프램 256k x 8 SPI 400µs
MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 7.2374
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 500 50MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 SPI -
MB85RS256APNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256APNF-g-JNERE1 -
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 3V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS256APNF-g-JNERE1TR 귀 99 8542.32.0071 1,500 25MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85RS2MTPF-G-JNERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTPF-G-JNERE2 -
RFQ
 ECAD 4701 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 25MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC256VPNF-G-JNERE1 4.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC256 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 1MHz 비 비 256kbit 550 ns 프램 32k x 8 i²c -
MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPNF-g-awe2 5.4363
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS2 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 865-MB85RS2MLYPNF-g-awe2 귀 99 8542.32.0071 85 50MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI -
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 13.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MB85RQ4 프램 (Ferroelectric RAM) 1.7V ~ 1.95V 16-SOP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 108 MHz 비 비 4mbit 프램 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 3.9700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS256 프램 (Ferroelectric RAM) 1.8V ~ 3.6V 8-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 256kbit 프램 32k x 8 SPI -
MB85RC16PNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC16PNF-G-JNE1 1.1187
RFQ
 ECAD 1064 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RC16 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 865-1173 귀 99 8542.32.0071 95 1MHz 비 비 16kbit 550 ns 프램 2k x 8 i²c -
MB85RS16PNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS16PNF-G-JNERE1 1.1709
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MB85RS16 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 20MHz 비 비 16kbit 프램 2k x 8 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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