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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 표준 제어 제어 슬림 슬림 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) load 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
NJM2584M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2584M 1.2960
RFQ
 ECAD 1934 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 소비자 소비자 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) NJM2584 - 16-DMP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 스위치 - -
R3116N261C-TR-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N261C-TR-YE 0.4350
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.6v 최소 85ms
R3114K281A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114K281A-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.8V 40µs
R1210N262C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N262C-TR-FE 0.6300
RFQ
 ECAD 3385 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX2X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 2MA - 2.6v -
NJU7091AF-TE1# Nisshinbo Micro Devices Inc. nju7091af-te1# 0.6045
RFQ
 ECAD 3868 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJU7091 15µA 철도 철도 레일 1 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 0.1V/µs 범용 200 kHz 1 PA 2 MV 1 v 5.5 v
RP111L101D5-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP11111111D5-TR 0.5250
RFQ
 ECAD 3448 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP111 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 1.05V - 1 0.64V @ 500MA 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
RP154L002B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L002B-E2 0.5700
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.8V, 2.8V - 2 0.39V @ 300MA, 0.3V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1218N062A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1218N062A-TR-FE 1.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1218X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 R1218 5.5V 조절할 조절할있는 SOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 700ma (스위치) 26V 29V 1.8V
NJM2082MD-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2082MD-TE2 -
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) 4MA - 2 8-DMP - 쓸모없는 2,000 20V/µs J-FET 5 MHz 30 PA 2 MV 8 v 36 v
R3111Q191C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q191C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 8086 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.9V 최대 100µs
R1518S501D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518S501D-E2-FE 0.8454
RFQ
 ECAD 9009 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1518 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 5V - 1 1.3v @ 1a - 현재, 이상 온도
R1180D131B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180D131B-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1180 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.3V - 1 1.1v @ 150ma - 전류에 전류에
R3112Q131A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q131A-TR-FE 0.6400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3112 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.3V -
NJM2781RB2-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2781RB2-TE1 0.2218
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) AB 대기 NJM2781 1 채널 (모노) 2.7V ~ 4.5V 8-TVSP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 -
R1518S251E-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518S251E-E2-FE 0.8454
RFQ
 ECAD 6707 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1518 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 2.5V - 1 1.8V @ 1a - 현재, 이상 온도
NJU7077R-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7077R-TE2 1.9782
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) NJU7077 1.2MA 철도 철도 레일 2 8-VSP 다운로드 귀 99 8542.33.0001 2,000 0.5V/µs CMOS 1.3 MHz 1 PA 20 µV 2.2 v 5.5 v
R1202N513B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202N513B-TR-FE 0.5250
RFQ
 ECAD 8686 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 R1202 5.5V 조절할 조절할있는 TSOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 350ma (스위치) 1V 19V 2.3V
RP100K151B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100K151B-TR 0.2850
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP100 5.25V 결정된 DFN (PL) 1612-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.5V - 1 0.38V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP110Q122D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110Q122D-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP110 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 1V @ 150mA - 전류에 전류에
R1511J050B-T1-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1511J050B-T1-KE 1.2603
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1511X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) R1511 36v 결정된 TO-252-5-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 180 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 5V - 1 1V @ 300MA 65db (1khz) 현재, 이상 온도
RP102K311D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102K311D-TR 0.4650
RFQ
 ECAD 8724 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP102 5.25V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.1V - 1 0.19V @ 300MA - 전류에 전류에
NJU7700F25-TE1# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7700F25-TE1# 0.2551
RFQ
 ECAD 8080 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 간단한 간단한/재설정 재설정 NJU7700 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.5V -
R1173S321D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173S321D-E2-FE 0.6042
RFQ
 ECAD 7908 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1173 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.2v - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R1173H251B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173H251B-T1-FE 0.5724
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1173 6V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.5V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP112K121D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112K121D-TR 0.5700
RFQ
 ECAD 5112 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP112 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 0.8V @ 150ma 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
RP503N122A5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503N122A5-TR-FE 0.8550
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP503X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP503 5.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2MHz 긍정적인 예 600ma 1.25V - 2.5V
R3114N421C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114N421C-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3114 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.2V 40µs
RP605Z333B-E2-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP605Z333B-E2-F 2.5300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP605X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 배터리 배터리, 관리 공급 장치 표면 표면 20-XFBGA, WLCSP RP605 300NA 1.8V ~ 5.5V 20-WLCSP-P3 (2.32x1.71) 다운로드 1 (무제한) 2129-RP605Z333B-E2-FTR 귀 99 8542.39.0001 5,000
NJU7094R-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7094R-TE1 -
RFQ
 ECAD 4583 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) - 철도 철도 레일 2 8-VSP 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 귀 99 8542.33.0001 2,000 0.1V/µs CMOS 200 kHz 1 PA 4 MV 1 v 5.5 v
NJM2058V-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2058V-TE1 0.4320
RFQ
 ECAD 6293 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NJM2058 7ma - 4 14-ssop 다운로드 귀 99 8542.33.0001 2,000 1V/µs 범용 20 NA 500 µV 8 v 36 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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