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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 기술 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 산출 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 슬림 슬림 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) load 인터페이스 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R1171S451B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1171S451B-E2-FE 0.5883
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1171X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1171 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 320 µA 할 할있게 수 긍정적인 1.5A 4.5V - 1 0.18V @ 300MA 50dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP110N361B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110N361B-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP110 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.6v - 1 0.35V @ 150mA - 전류에 전류에
RP173K301A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173K301A-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP173 11V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 1.05v @ 150ma - 전류, 전류 역전
R1501J170B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501J170B-T1-FE 0.7500
RFQ
 ECAD 4135 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) R1501 24V 결정된 TO-252-5-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 17V - 1 0.7v @ 1a 50dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
NJM2864F03-TE1# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2864F03-TE1# 0.3320
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJM2864 14V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 180 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 3V - 1 0.18V @ 60MA 75db (1khz) 온도, 회로 단락
R3111D301A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111D301A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 3V 최대 100µs
NJM2149D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2149D 0.4500
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) AB 대기 NJM2149 1 채널 (모노) 2V ~ 6V 8-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 250MW x 1 @ 32ohm
R1202L411B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202L411B-TR 0.5250
RFQ
 ECAD 2913 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1202X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1202 5.5V 조절할 조절할있는 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 350ma (스위치) 1V 17V 2.3V
R1240N001A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1240N001A-TR-FE 0.9300
RFQ
 ECAD 5919 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1240X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 R1240 30V 조절할 조절할있는 SOT-23-6W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.25MHz 긍정적인 아니요 1.2A 0.8V 15V 4.5V
R1191L045B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191L045B-TR 0.4800
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1191 16V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 4.5V - 1 1.8V @ 300MA 70dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
NJW1159D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW1159D -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 쓸모없는 - 2129-NJW1159D 쓸모없는 1
RP100K181D5-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100K181D5-TR 0.2850
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP100 5.25V 결정된 DFN (PL) 1612-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.85V - 1 0.34V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
NJU7094RB1-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7094RB1-TE1 1.6416
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) NJU7094 - 철도 철도 레일 2 8-TVSP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 0.1V/µs CMOS 200 kHz 1 PA 4 MV 1 v 5.5 v
R3118N101A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N101A-TR-FE 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1V 70ms
NJM2171AR-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2171AR-TE1 -
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) AB 음소거, 대기 헤드폰, 2 채널 (스테레오) 1.8V ~ 4.5V 10-VSP 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 귀 99 8542.33.0001 2,000 8.5MW x 2 @ 16ohm
RP117K151D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP117K151D-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn RP117 -2.5V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 150 µA 할 할있게 수 부정적인 100ma -1.5V - 1 0.7v @ 100ma 80db (1khz) 현재, 이상 온도
R1154N100B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1154N100B-TR-FE 0.3228
RFQ
 ECAD 4483 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1154 24V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 10 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 10V - 1 0.5V @ 20MA - 전류, 이상 온도, 단락
R1190H100B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190H100B-T1-FE 0.6360
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1190 16V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 10V - 1 1.3v @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
NJU7054M# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7054M# 1.3395
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 14-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NJU7054 - - 4 14-ssop 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 0.05V/µs CMOS 100 kHz 1 PA 2 MV 1 v 16 v
R1524N085B-TR-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524N085B-TR-YE 1.0800
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1524 36v 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 8.5V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
NJM2606AM-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2606AM-TE2 -
RFQ
 ECAD 1419 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 75 ° C 범용 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM2606 양극성 1.8V ~ 8V 8-DMP 다운로드 쓸모없는 2,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 - 반 반 700ma 1.8V ~ 8V - - -
RP100K181D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100K181D-TR 0.2850
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP100 5.25V 결정된 DFN (PL) 1612-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.8V - 1 0.34V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
R1245S003C-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1245S003C-E2-FE 2.6000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1245X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 R1245 30V 조절할 조절할있는 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 뿌리 뿌리 1 책임 500kHz 긍정적인 아니요 1.2A 0.8V 30V 4.5V
RP131H401D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131H401D-T1-FE 0.4134
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 RP131 6.5V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 4V - 1 0.65V @ 1a 60dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP152L006B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L006B-TR 1.0500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA - 긍정적인 150ma, 150ma 1.8V, 3.3V - 2 0.46V @ 150ma, 0.32v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
NJM082BV-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM082BV-TE1 -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 3MA - 2 8-ssop 다운로드 쓸모없는 2,000 13V/µs J-FET 3MHz 30 PA 5 MV 8 v 36 v
R3111H261C-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H261C-T1-FE 0.3222
RFQ
 ECAD 2217 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 2.6v 최대 100µs
RN5VD21AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD21AA-TR-FE 0.2737
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RN5VD21 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 2.1V -
R1517S251F-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517S251F-E2-FE 0.8454
RFQ
 ECAD 2885 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1517 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 500ma 2.5V - 1 1V @ 500MA - 전류, 이상 온도, 단락
RP131K181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131K181B-TR 0.3750
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP131 6.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.8V - 1 1.1v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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