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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 슬림 슬림 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 전압- v (VCC/VDD) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 내부 내부 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 전압- 최대 (공급) 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
NJM2396F33 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2396F33 -
RFQ
 ECAD 9095 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-4 4 팩 35V 결정된 TO-220F-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 할 할있게 수 긍정적인 1.5A 3.3v - 1 0.5V @ 500MA 60dB (120Hz) 전류, 이상 온도, 전압
R3116N241A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N241A-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.4V 최소 85ms
R3111H261C-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H261C-T1-FE 0.3222
RFQ
 ECAD 2217 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 2.6v 최대 100µs
R1200L003A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1200L003A-TR 1.5400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1200X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1200 5.5V 조절할 조절할있는 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 700ma (스위치) - - 2.3V
RP102Z301B-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102Z301B-TR-F 0.6600
RFQ
 ECAD 4511 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP RP102 5.25V 결정된 WLCSP-4-P2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 0.19V @ 300MA - 전류에 전류에
NJM2059M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2059M 0.4320
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM2059 7ma - 4 14-DMP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 2V/µs 범용 6MHz 20 NA 500 µV 8 v 36 v
RP171N271B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171N271B-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 5870 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP171X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP171 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.7V - 1 1.08V @ 150mA - 현재, 이상 온도
NJW4184DL3-08A-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4184DL3-08A-TE2 0.6570
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) NJW4184 35V 결정된 TO-252-5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 12 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 8V - 1 0.1v @ 100ma 33db (1khz) 현재, 이상 온도
R3112D291C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112D291C-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 2951 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2.9V -
R1224N152M-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N152M-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 2644 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 180kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
RP150K017B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K017B-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP150 5.25V 결정된 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 33 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.7V - 2 0.8V @ 300MA - 전류에 전류에
R1171S281B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1171S281B-E2-FE 0.5883
RFQ
 ECAD 3761 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1171X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1171 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 320 µA 할 할있게 수 긍정적인 1.5A 2.8V - 1 0.18V @ 300MA 50dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJM12903L Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM12903L -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 - 2129-NJM12903L 1
R3111Q111A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q111A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 4416 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.1V 최대 100µs
RH5RL60AA-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RH5RL60AA-T1-FE 1.1900
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rl 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA RH5RL60 10V 결정된 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 3.9 µA - 긍정적인 80ma 6V - 1 0.38V @ 1mA - 전류, 단락
R1154L001C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1154L001C-TR 0.3600
RFQ
 ECAD 3088 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1154 24V 조절할 조절할있는 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 10 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V 24V 1 0.4V @ 20ma - 전류, 이상 온도, 단락
RP502L193B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502L193B-TR -
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP502 5.5V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 3.3MHz 긍정적인 예 - 1.9V - 2.5V
NJU6060V-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU6060V-TE1 0.9072
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - 표면 표면 10-LFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 전원 전원 NJU6060 12.48kHz 10-ssop 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 10MA 3 예 - 5.5V PWM 2.4V -
R1516S034B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1516S034B-E2-FE 0.7314
RFQ
 ECAD 8589 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1516X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1516 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 45 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.4V - 1 0.94V @ 20ma - 전류, 이상 온도, 단락
RP131S101D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S101D-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1V - 1 1.45V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJU7261U30 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7261U30 -
RFQ
 ECAD 5885 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -25 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 5V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 25 스텝 스텝 1 후원 30kHz 긍정적인 아니요 250ma (스위치) 3V - 1V
R1223N332F-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1223N332F-TR-FE 0.7800
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1223 PWM SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 13.2v 1 책임 500kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
NJM084D# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM084D# -
RFQ
 ECAD 8782 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6MA - 4 14-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 25 13V/µs J-FET 3MHz 30 PA 5 MV 8 v 36 v
NJM7918FA Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM7918FA -
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 -40V 결정된 TO-220F 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 6 MA - 부정적인 1.5A -18V - 1 - 66dB (120Hz) 온도, 회로 단락
RP500N334A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP500N334A-TR-FE 0.8550
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP500X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 RP500 5.5V 결정된 SOT-23-6W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 예 900ma 3.3v - 2.55V
RP112Q332B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112Q332B-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP112 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.28V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
R3119N070E-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N070E-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 5612 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 7V 15µs
RP111L321D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP11111321D-TR 0.5250
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP111 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 3.2v - 1 0.32v @ 500ma 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
R3112N461C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112N461C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3112 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.6v -
RP111H151D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP111H151D-T1-FE 0.5565
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 RP111 5.25V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 1.5V - 1 0.48V @ 500MA 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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