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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) load 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RN5VD21AA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD21AA-TR-FE 0.2737
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5VD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RN5VD21 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 1 2.1V -
NJM2882F03-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2882F03-TE1 0.3431
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJM2882 14V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 180 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 0.1v @ 100ma 75db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
R1205N823B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1205N823B-TR-FE 0.6450
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1205X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 R1205 5.5V 조절할 조절할있는 TSOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 700ma (스위치) - 24V 1.8V
RN5RK311A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RK311A-TR-FE 0.5880
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RK 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RK311 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 - 3.1V - -
R3112D421C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112D421C-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 4.2V -
R1501S150B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501S150B-E2-FE 0.7632
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1501 24V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 15V - 1 0.7v @ 1a 50dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
R1121N261B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1121N261B-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1121N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1121 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.6v - 1 0.35V @ 100ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
NR1640DC330AE1Q Nisshinbo Micro Devices Inc. NR1640DC330AE1Q 0.7500
RFQ
 ECAD 2086 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 5.5V 결정된 SOT-23-5-DC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 450 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 0.2v @ 200ma 80dB (1kHz ~ 100kHz) "
R1225N302A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1225N302A-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 R1225 PWM SOT-23-6W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 300kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
NJM2103M-TE3 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2103M-TE3 -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 전원 전원 장치, 감독자 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM2103 460 µA 4.1V ~ 4.4V 확인되지 확인되지 0.8V ~ 20V 8-DMP 다운로드 쓸모없는 2,000
R3114K241A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114K241A-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3114 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.4V 40µs
RP109N281D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109N281D-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 5327 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP109 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.8V - 1 0.35V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
R1161N311B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161N311B-TR-FE 0.9500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1161X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1161 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.1V - 1 0.375V @ 300MA 65db (1khz) 전류에 전류에
R1517S332B-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517S332B-E2-KE 1.4602
RFQ
 ECAD 5612 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1517 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 3.3v - 1 0.77V @ 500MA - 현재, 이상 온도
R1243K001A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1243K001A-TR 2.1900
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1243X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 R1243 30V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1MHz 긍정적인 아니요 2A 0.8V 18V 4.5V
R1180D321B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180D321B-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1180 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.2v - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
RP103Q231D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103Q231D-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RP103 5.25V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.3V - 1 0.36V @ 150mA - 전류에 전류에
R5520H001A-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5520H001A-T1-FE 0.5247
RFQ
 ECAD 1259 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 R5520 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000
RP106K071D5-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP106K071D5-TR 0.4650
RFQ
 ECAD 4170 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp106x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP106 3.6v 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 0.75V - 1 0.62V @ 400ma 60dB (10kHz) 전류에 전류에
R3132Q15EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132Q15EA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 5480 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.5V 최소 204ms
NJW1280MG2-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW1280mg2-te1 1.5900
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 16-xfqfn 노출 패드 AB - NJW1280 1 채널 (모노) 2V ~ 5.5V 16-EQFN (2.3x2.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 3,000 -
RP173K121B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173K121B-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 8997 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP173 11V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.2V - 1 2.59V @ 150mA 30db (1khz) 전류, 전류 역전
RP100K121D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100K121D-TR 0.2850
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP100 5.25V 결정된 DFN (PL) 1612-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.2V - 1 0.5V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP152N013B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152N013B-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 RP152 5.25V 결정된 SOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 3.3V, 2.8V - 2 0.32v @ 150ma, 0.35v @ 150ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP101K301D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP101K301D-TR 1.1500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp101x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP101 5.25V 결정된 DFN (PL) 1612-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 0.23V @ 150mA - 전류에 전류에
R3116K311A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K311A-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 3.1V 최소 85ms
RP152L003A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152L003A-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP152 5.25V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 60 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma, 150ma 1.5V, 2.8V - 2 0.55V @ 150MA, 0.35V @ 150mA 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R1205L811B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1205L811B-TR 0.5400
RFQ
 ECAD 8372 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1205X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1205 5.5V 조절할 조절할있는 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 350ma (스위치) - 24V 1.8V
NJM7812SDL1-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM7812SDL1-TE1 0.9400
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJM7812 35V 결정된 TO-252-3 - 귀 99 8542.39.0001 3,000 6 MA - 긍정적인 1.5A 12V - 1 2.2v @ 1.5a 71dB (120Hz) 현재, 이상 온도
R1517S341F-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517S341F-E2-FE 0.8454
RFQ
 ECAD 4440 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1517X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1517 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 500ma 3.4V - 1 0.77V @ 500MA - 전류, 이상 온도, 단락
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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