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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 산출 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 슬림 슬림 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R3112Q321A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q321A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 4836 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.2v -
RP110Q302C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110Q302C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP110 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.35V @ 150mA - 전류에 전류에
NJM062CAG-TE2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM062CAG-TE2 0.2287
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NJM062 200µA - 2 8-SOP - 귀 99 8542.33.0001 2,500 3.5V/µs J-FET 30 PA 3 MV 4 v 36 v
R1524H080B-T1-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524H080B-T1-YE 1.1528
RFQ
 ECAD 4431 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 R1524 36v 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 8V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
RP150K006B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K006B-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP150 5.25V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 33 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.5V 3.3v 2 1V @ 300MA 80db (1khz) 전류에 전류에
RP103K261B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103K261B-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 7308 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP103X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 RP103 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 50 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.6v - 1 0.3V @ 150ma - 전류에 전류에
RP105N091D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105N091D-TR-FE 0.4950
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP105X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP105 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 400ma 0.9V - 1 0.3v @ 400ma 80db (1khz) 전압 전압 장치 (uvlo)
RP504L101A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504L101A-TR 0.8100
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP504 5.5V 결정된 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 600ma 1V - 2.3V
RP111N291D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP111N291D-TR-FE 0.4950
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP111 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 2.9V - 1 0.34V @ 500MA 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
RP114K171B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114K171B-TR 0.4350
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP114 5.25V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.7V - 1 0.39V @ 300MA 75db (1khz) 전류에 전류에
R3112Q291C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q291C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.9V -
R1204N313C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1204N313C-TR-FE 0.6750
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1204X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 R1204 5.5V 조절할 조절할있는 TSOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 1MHz 긍정적인 아니요 900ma - - 2.3V
R1172H161D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172H161D-T1-FE 0.5724
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1172 6V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.6V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP506L001N-TR-Y Nisshinbo Micro Devices Inc. RP506L001N-TR-Y 1.4550
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP506L 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 12-Wfdfn d 패드 패드 RP506 5.5V 조절할 조절할있는 DFN3030-12 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.3MHz 긍정적인 예 2A 0.8V 4V 2.5V
NJM2878F4-05-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2878F4-05-TE1 0.2129
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB NJM2878 9V 결정된 SC-82AB 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 195 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5V - 1 0.1V @ 60ma 75db (1khz) 현재, 이상 온도
R5111L102D-TR-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5111L102D-TR-YE 1.8000
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 28-vqfn q 패드 전압 전압 R5111 열린 열린 또는 배수 수집기 HQFN0808-28 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성 활성 1 3.3v 194ms
RP300N27DA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300N27DA-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP300X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 RP300 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.7V 190ms
NJM4558DD Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM4558DD 0.4320
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) NJM4558 3.5MA - 2 8-DIP 다운로드 귀 99 8542.33.0001 2,000 1V/µs 범용 3MHz 25 NA 500 µV 8 v 36 v
RP154N036B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154N036B-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 RP154 5.25V 결정된 SOT-23-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1V, 1.8V - 2 0.59V @ 300MA, 0.39V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
RP173N301A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173N301A-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 3885 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP173 11V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 1.05v @ 150ma - 전류, 전류 역전
RP130N471A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130N471A-TR-FE 0.1972
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP130 6.5V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 4.7V - 1 0.37V @ 150mA - 전류에 전류에
RP154L042B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L042B-E2 0.5700
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 2.7V, 2.7V - 2 0.3v @ 300ma, 0.3v @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
RP132K331D-TR-Y Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132K331D-TR-Y 0.6750
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP132 6.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.3v - 1 0.68V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP130K131D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130K131D-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP130X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP130 6.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 58 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.3V - 1 1.03v @ 150ma 80db (1khz) 전류에 전류에
R3111N551A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N551A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 5.5V 최대 100µs
RP100N181D5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100N181D5-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP100X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP100 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.85V - 1 0.34V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP154L056B-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154L056B-E2 0.5700
RFQ
 ECAD 7349 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP154X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP154 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.1V, 1.8V - 2 0.59V @ 300MA, 0.39V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
RP506K101B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP506K101B-TR 0.9750
RFQ
 ECAD 9838 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP505K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP506 5.5V 결정된 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 2A 1V - 2.5V
R3117K201A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117K201A-TR 0.3450
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2V 전형적인 80µs
R1524S080B-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524S080B-E2-KE 1.3833
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1524X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1524 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 6.8 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 8V - 1 1.2v @ 200ma - 전류, 이상 온도, 단락
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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