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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 산출 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 슬림 슬림 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 전압- v (VCC/VDD) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
RP201K281D5-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP201K281D5-TR 0.3150
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP201X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn RP201 5.25V 결정된 DFN (PL) 1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 4 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.85V - 1 0.18V @ 150mA - 전류에 전류에
RP504L251D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504L251D-TR 0.8100
RFQ
 ECAD 6303 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP504X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP504 5.5V 결정된 DFN1616-6B 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 2.25MHz 긍정적인 예 600ma 2.5V - 2.3V
RP107Z121D-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RP107Z121D-TR-F 0.8850
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP107X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP RP107 5.25V 결정된 WLCSP-4-P5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.2V - 1 0.76v @ 200ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP170H351D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170H351D-T1-FE 0.2523
RFQ
 ECAD 8029 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-89-5/6 RP170 10V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.5V - 1 0.85V @ 300MA - 현재, 이상 온도
R1163D331B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1163D331B-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1163X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 R1163 6V 결정된 6 1 (2.6x1.6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.35V @ 150mA 70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz) 전류, 전류 역전
RP118K281D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118K281D-TR 0.3150
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP118 5.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 0.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 2.8V - 1 0.16v @ 100ma - 전류에 전류에
R3112Q151C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q151C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9780 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.5V -
R3118N201A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N201A-TR-FE 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2V 70ms
RP102N131D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102N131D-TR-FE 0.4500
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP102 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.3V - 1 0.5V @ 300ma 80db (1khz) 전류에 전류에
R1224N182G-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N182G-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 300kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
R1224N222E-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N222E-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 300kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
RP114Q122D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114Q122D-TR-FE 0.4050
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP114 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.2V - 1 0.5V @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
RD5RW49BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RD5RW49BA-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RD5RW49 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 4.9V - 1 0.04V @ 1mA - 전류에 전류에
R3112Q241C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q241C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.4V -
RP132S181F-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132S181F-E2-FE 0.5088
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP132 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.8V - 1 1.05v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R1180D211C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180D211C-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 3977 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1180 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 2.1V - 1 0.55V @ 150mA - 전류에 전류에
RP101N131D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP101N131D-TR-FE 0.4800
RFQ
 ECAD 1557 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp101x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP101 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 25 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.3V - 1 0.5V @ 150ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R3116K291C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K291C-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 6843 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 푸시 푸시, 풀 기둥 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 2.9V 최소 85ms
RP115L321D-E2 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP115L321D-E2 0.5400
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp115x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 RP115 5.25V 결정된 DFN1216-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 3.2v - 1 0.09V @ 500MA 75db (1khz) 전류, 역전, 온도 전류
RP502L101B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502L101B-TR -
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP502X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP502 5.5V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 3.3MHz 긍정적인 예 - 1V - 2.5V
R1180N281C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180N281C-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 3648 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1180 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 2.8V - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
R1191L030B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191L030B-TR 0.4800
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1191 16V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 2.5V @ 300MA 70dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
RP109K181B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109K181B-TR 0.2700
RFQ
 ECAD 7810 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN (PL) 0808-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 0.48V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
NJM844V-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM844V-TE1 1.1933
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NJM844 8.8ma - 4 14-ssop 다운로드 귀 99 8542.33.0001 2,000 8.5V/µs 45 MA 범용 3.5MHz 120 NA 800 µV 3 v 36 v
R1160N121A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160N121A-TR-FE 0.3228
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1160 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.2V - 1 0.5V @ 200mA 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R3117Q094A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117Q094A-TR-FE 0.3381
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.9V 40µs
R1122N371B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1122N371B-TR-FE 0.3228
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1122N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1122 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 170 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.7V - 1 0.26v @ 100ma 80db (1khz) 전류에 전류에
R1173S181D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173S181D-E2-FE 0.6042
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1173 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.8V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3119N045A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N045A-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.5V 45ms
R3116N381A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N381A-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 8176 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.8V 최소 85ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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