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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 산출 회로 회로 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 기능 슬림 슬림 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 전압- v (VCC/VDD) 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
R1180N281C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180N281C-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 3648 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1180 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 2.8V - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
R1224N222E-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N222E-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 300kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
R3118N201A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118N201A-TR-FE 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3118 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2V 70ms
RP102N131D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102N131D-TR-FE 0.4500
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP102X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP102 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.3V - 1 0.5V @ 300ma 80db (1khz) 전류에 전류에
R3112Q241C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112Q241C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3112X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3112 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.4V -
RP118K281D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118K281D-TR 0.3150
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP118 5.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 0.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 2.8V - 1 0.16v @ 100ma - 전류에 전류에
RP132S181F-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132S181F-E2-FE 0.5088
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP132 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.8V - 1 1.05v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RD5RW49BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RD5RW49BA-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RX5RW 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB RD5RW49 8V 결정된 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 50ma 4.9V - 1 0.04V @ 1mA - 전류에 전류에
R1180D211C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180D211C-TR-FE 0.2613
RFQ
 ECAD 3977 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1180X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 R1180 6V 결정된 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 1.5 µA - 긍정적인 150ma 2.1V - 1 0.55V @ 150mA - 전류에 전류에
R1160N121A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160N121A-TR-FE 0.3228
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1160X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1160 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 1.2V - 1 0.5V @ 200mA 70dB (1kHz) 전류에 전류에
R3117Q094A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117Q094A-TR-FE 0.3381
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 0.9V 40µs
RP124L303E-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP124L303E-TR 0.4050
RFQ
 ECAD 8396 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP124X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 RP124 5.5V 결정된 DFN1212-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 0.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 3V - 1 0.16v @ 100ma - 전류에 전류에
R3119N045A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119N045A-TR-FE 0.5550
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3119X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3119 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.5V 45ms
R1173S181D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173S181D-E2-FE 0.6042
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1173 6V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 1.8V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
R3116N381A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N381A-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 8176 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 3.8V 최소 85ms
R1122N371B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1122N371B-TR-FE 0.3228
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1122N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1122 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 170 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.7V - 1 0.26v @ 100ma 80db (1khz) 전류에 전류에
R3116N201A-TR-YE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N201A-TR-YE 0.4350
RFQ
 ECAD 4595 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2V 최소 85ms
NJM2121M-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2121M-TE1 -
RFQ
 ECAD 8149 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) 2.3ma - 2 8-DMP 다운로드 쓸모없는 2,000 4V/µs 50 MA 범용 14 MHz 200 NA 800 µV 6 v 36 v
RP114N361D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114N361D-TR-FE 0.3750
RFQ
 ECAD 9195 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP114 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.6v - 1 0.29V @ 300MA 75db (1khz) 전류에 전류에
RP110L361B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110L361B-TR 0.2550
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP110 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.6v - 1 0.35V @ 150mA - 전류에 전류에
R1191L028D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191L028D-TR 0.4800
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 R1191 14V 결정된 DFN1616-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.8V - 1 2.5V @ 300MA 70dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
R1518J341F-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518J341F-T1-FE 0.8550
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1518X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1518 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 36 µA 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1A 3.4V - 1 1.6V @ 1a - 현재, 이상 온도
MUSES05-TE3 Nisshinbo Micro Devices Inc. muses05-te3 36.8200
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 12-vfdfn 노출 패드 5.8ma - 1 DFN12-CA8 (ESON12-CA8) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 100 50V/µs 오디오 12MHz 50 PA 20 MV 7 v 36 v
R3116N201A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116N201A-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 6705 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2V 최소 85ms
R1173H251D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173H251D-T1-FE 0.5724
RFQ
 ECAD 4618 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1173 6V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 2.5V - 1 0.32v @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP173K181D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173K181D-TR 0.1800
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP173 11V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 2.19V @ 150mA 30db (1khz) 전류, 전류 역전
R1210N331D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210N331D-TR-FE 1.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1210NXX1X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1210 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 180kHz 긍정적인 아니요 400ma - 3.3v -
RN5RZ42BA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RZ42BA-TR-FE 0.4650
RFQ
 ECAD 7772 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rx5rz 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RZ42 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 4.2V - 1 0.3v @ 60ma 55dB (1kHz) 전류에 전류에
R3132Q16EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132Q16EA-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.6V 최소 204ms
R3132D29EA3-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132D29EA3-TR-FE 0.3074
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 전압 전압 R3132 열린 열린 또는 배수 수집기 SON1612-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 4,000 활성 활성 1 2.93V 최소 204ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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