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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk load 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
NJM2538V-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2538V-TE1 -
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 범용 표면 표면 20-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 18 MA - 1 20-ssop 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 2,000 - -
R3111H271A-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H271A-T1-FE 0.7600
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 2.7V 전형적인 100µs
NJM5532D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM5532D 2.5300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 75 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) NJM5532 9MA - 2 8-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 8V/µs 38 MA 범용 10MHz 200 NA 500 µV 6 v 44 v
RP112N241D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112N241D-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 8733 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP112 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.4V - 1 0.36V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
NJU201AD Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU201ad 1.1841
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 마지막으로 마지막으로 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) NJU201 4 16-DIP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 100ohm - - ± 15V 600ns, 450ns 20pc 5pf, 5pf 100NA -90dB @ 100kHz
R3130N28EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N28EA-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3130 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.8V 216ms
NJM2076M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2076M -
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) AB - 1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오) 1.8V ~ 15V 8-DMP 다운로드 rohs 비준수가 2 (1 년) 귀 99 8542.33.0001 1,000 90mw x 1 @ 8ohm; 17.5mw x 2 @ 16ohm
R5114S021B-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5114S021B-E2-KE 2.1900
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 전압 전압 R5114 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 5V 184ms
NJM7915FA Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM7915FA -
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 -35V 결정된 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 6 MA - 부정적인 1.5A -15V - 1 - 67dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJM78L20L2A Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L20L2A -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 40V 결정된 To-92-3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 7 MA - 긍정적인 100ma 20V - 1 - 58dB (120Hz) 온도, 회로 단락
RP401K541B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401K541B-TR 0.6750
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP401 5.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 5.4V - 0.6V
NJM4558M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM4558M 0.2656
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM4558 3.5MA - 2 8-DMP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 1V/µs 범용 3MHz 25 NA 500 µV 8 v 36 v
NJM2716F-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2716F-TE1 -
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 4.2MA - 1 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 3,000 40V/µs 5 MA 범용 30MHz 1 µA 1 MV 2.7 v 12 v
R1501S050B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501S050B-E2-FE 0.7632
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1501 24V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 0.9V @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
NJM2132M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2132M 0.5835
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM2132 - - 2 8-DMP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 2.1V/µs 27 MA 범용 1.8 MHz 20 NA 2 MV 2.7 v 32 v
R1172H361B-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172H361B-T1-FE 0.5724
RFQ
 ECAD 3529 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1172X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1172 6V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.6v - 1 0.18V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
RP132K001F-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132K001F-TR 0.4500
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP132X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP132 6.5V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 85 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 0.8V 5.5V 1 1.54V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJM2267M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2267M -
RFQ
 ECAD 5899 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 범용 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 14 MA - 2 8-DMP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 4.85V ~ 9V -
R3111Q171C-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q171C-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.7V 최대 100µs
NJM3403AM# Nisshinbo Micro Devices Inc. njm3403am# 0.5940
RFQ
 ECAD 4604 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM3403 3MA - 4 14-DMP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 1.2V/µs 30 MA 범용 1.2 MHz 70 NA 2 MV 4 v 36 v
NJU7094V-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7094V-TE1 -
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 철도 철도 레일 2 8-ssop 다운로드 rohs 비준수가 2 (1 년) 귀 99 8542.33.0001 2,000 0.1V/µs CMOS 200 kHz 1 PA 4 MV 1 v 5.5 v
R1116N251D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1116N251D-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1116 6V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 18 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V - 1 0.56V @ 150mA 70dB ~ 53dB (1kHz ~ 10kHz) 전류에 전류에
RP110Q292B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110Q292B-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 4320 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP110 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.9V - 1 0.4V @ 150ma - 전류에 전류에
RP114Q282B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114Q282B-TR-FE 0.4050
RFQ
 ECAD 1642 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP114 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 75 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.8V - 1 0.3v @ 300ma 75db (1khz) 전류에 전류에
R1100D401C-TR-F Nisshinbo Micro Devices Inc. R1100D401C-TR-F 0.2152
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1100D 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-623F R1100 6V 결정된 SON1408-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 9,000 3 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 4V - 1 0.03v @ 1ma - 전류에 전류에
R3111Q271B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q271B-TR-FE 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-82AB 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.7V 최대 100µs
NJM2888F28-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2888F28-TE1 0.2767
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 NJM2888 9V 결정된 SOT-23-5 (MTP5) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,000 195 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.8V - 1 0.1v @ 100ma 75db (1khz) 현재, 이상 온도
RP150K008A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K008A-TR 0.5100
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP150K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 RP150 5.25V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2020-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 33 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma, 300ma 1.5V 3.3v 2 1V @ 300MA 80db (1khz) 전류에 전류에
RP110Q332B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110Q332B-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 4134 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP110X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP110 5.25V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3.3v - 1 0.35V @ 150mA - 전류에 전류에
RP111N281D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111111n281d-tr-fe 0.4950
RFQ
 ECAD 1466 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP111 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 2.8V - 1 0.34V @ 500MA 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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