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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 기술 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 표준 제어 제어 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 스위치 스위치 멀티플렉서/demultiplexer 회로 온 온 저항 (최대) 채널 채널 채널 대 대 (Δron) 전압- 단일, 공급 (v+) 전압- 이중, 공급 (v ±) 스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대) 전하 전하 채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF)) 전류- is (is (is)) (max) Crosstalk load 인터페이스 출력 출력 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
NJM2233BM-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2233BM-TE1 -
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 소비자 소비자 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) 4.75V ~ 13V 8-DMP 다운로드 쓸모없는 2,000 비디오 비디오, 2 스위치 1 출력 - -
NJU7094V-TE1# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7094V-TE1# 1.6410
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NJU7094 - 철도 철도 레일 2 8-ssop 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 0.1V/µs CMOS 200 kHz 1 PA 4 MV 1 v 5.5 v
NJM79L05UA Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM79L05UA -
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA -30V 결정된 SOT-89-3 다운로드 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 25 6 MA - 부정적인 100ma -5V - 1 - 71dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJM79L24A Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM79L24A -
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) -40V 결정된 To-92-3 다운로드 rohs 비준수가 적용 적용 수 할 귀 99 8542.39.0001 500 6.5 MA - 부정적인 100ma -24V - 1 - 55dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJM13403M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM13403M 0.5835
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM13403 3MA - 4 14-DMP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 1.2V/µs 35 MA 범용 2 MHz 25 NA 500 µV 2 v 14 v
NJM082D# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM082D# -
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 3MA - 2 8-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 13V/µs J-FET 5 MHz 30 PA 5 MV 8 v 36 v
RP109N171B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109N171B-TR-FE 0.2306
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP109 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.7V - 1 0.54V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
NJU7262M30 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7262M30 0.7020
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -25 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) NJU7262 5V 결정된 8-DMP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 스텝 스텝 1 후원 30kHz 긍정적인 아니요 250ma (스위치) 3V - 1V
NJM2374AM Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2374AM 0.8640
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) NJM2374 40V - 8-DMP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 스텝 스텝, 업 다운 1 벅, 부스트 100Hz ~ 100kHz 긍정적이거나 긍정적이거나 아니요 1.5A (스위치) - - 2.5V
R3116K401A-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116K401A-TR 0.3000
RFQ
 ECAD 5933 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3116X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-udfn n 패드 전압 전압 R3116 열린 열린 또는 배수 수집기 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 활성 활성 1 4V 최소 85ms
NJU7301D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7301D 1.6416
RFQ
 ECAD 6541 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 마지막으로 마지막으로 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) NJU7301 4 16-DIP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 - spst- 아니요 1 : 1 200ohm - - ± 15V 600ns, 450ns 20pc 5pf, 5pf 100NA -90dB @ 100kHz
NJM7915FA Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM7915FA -
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 -35V 결정된 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 6 MA - 부정적인 1.5A -15V - 1 - 67dB (120Hz) 온도, 회로 단락
R3130N28EA-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N28EA-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3130N 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3130 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.8V 216ms
R3111N282A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111N282A-TR-FE 0.2459
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.8V 최대 100µs
R1190H053D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190H053D-T1-FE 0.6360
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1190X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1190 16V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 220 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5.3v - 1 1.85V @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
NJU7072D Nisshinbo Micro Devices Inc. nju7072d 1.0368
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 75 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) NJU7072 600µA 철도 철도 레일 2 8-DIP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 1.1V/µs CMOS 1MHz 1 PA 2 MV 5 v 16 v
NJM2068D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2068D 1.5400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 75 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) NJM2068 5MA - 2 8-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 6V/µs 범용 27 MHz 150 NA 300 µV 8 v 36 v
RP112N241D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP112N241D-TR-FE 0.5100
RFQ
 ECAD 8733 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp112x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP112 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.4V - 1 0.36V @ 150mA 80dB ~ 65dB (1kHz ~ 100kHz) 전류에 전류에
NJU211D Nisshinbo Micro Devices Inc. nju211d -
RFQ
 ECAD 9824 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4 16-DIP 다운로드 rohs 비준수가 2 (1 년) 귀 99 8542.39.0001 25 - spst -nc 1 : 1 175ohm - - ± 15V 1µs, 500ns 20pc 5pf, 5pf 5NA -90dB @ 100kHz
NJU7016D Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7016D -
RFQ
 ECAD 1834 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 200µA 철도 철도 레일 2 8-DIP 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 50 2.4V/µs CMOS 1MHz 1 PA 10 MV 1 v 5.5 v
R1191N044B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191N044B-TR-FE 0.4350
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1191 16V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 4.4V - 1 1.8V @ 300MA 70dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
R5114S021B-E2-KE Nisshinbo Micro Devices Inc. R5114S021B-E2-KE 2.1900
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R5114X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 전압 전압 R5114 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 8 HSOP-E 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 5V 184ms
NJM78M18FA Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78M18FA 0.3431
RFQ
 ECAD 7941 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NJM78M18 40V 결정된 TO-220F 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 6 MA - 긍정적인 500ma 18V - 1 - 65dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJM3773D2 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM3773D2 -
RFQ
 ECAD 5509 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 125 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 22-DIP (0.400 ", 10.16mm) NJM3773 양극성 4.75V ~ 5.25V 22-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 20 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 평행한 하프 하프 (4) 750ma 10V ~ 40V 양극성 - 1, 1/2
NJMOP07M Nisshinbo Micro Devices Inc. njmop07m 0.6048
RFQ
 ECAD 7522 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) NJMOP07 2.7ma - 1 8-DMP - rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 0.17V/µs 범용 500 kHz 1.8 NA 60 µV 6 v 44 v
NJM78L20L2A Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L20L2A -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 40V 결정된 To-92-3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 500 7 MA - 긍정적인 100ma 20V - 1 - 58dB (120Hz) 온도, 회로 단락
RP170N181D5-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170N181D5-TR-FE 0.2136
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP170X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP170 10V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 40 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 1.85V - 1 1.3v @ 300ma 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJM2135M-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2135M-TE1 0.4536
RFQ
 ECAD 3040 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 75 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) AB 대기 NJM2135 1 채널 (모노) 2V ~ 16V 8-DMP 다운로드 rohs 비준수가 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,000 400mw x 1 @ 100ohm
R1111N251A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111n251A-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 9563 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1111n 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1111 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.5V - 1 0.35V @ 100ma 70dB (1kHz) 전류에 전류에
RP401K541B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401K541B-TR 0.6750
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP401X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 RP401 5.5V 결정된 DFN (PL) 1820-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 스텝 스텝 1 후원 1.2MHz 긍정적인 아니요 500ma 5.4V - 0.6V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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