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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	기술	전류 - 공급	전압 - 입력	전압- 최대 (입력)	출력 출력	온도 온도	산출	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	참조 참조	전압- v (VCC/VDD)	스위치 스위치	멀티플렉서/demultiplexer 회로	온 온 저항 (최대)	채널 채널 채널 대 대 (Δron)	전압- 단일, 공급 (v+)	전압- 이중, 공급 (v ±)	스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대)	전하 전하	채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF))	전류- is (is (is)) (max)	Crosstalk	load	인터페이스	출력 출력	다시 다시	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	토폴로지	주파수 - 스위칭	결함 결함	제어 제어	출력 출력	출력 출력	듀티 듀티 (사이클)	동기 동기	클록 클록	직렬 직렬	현재 - 출력	로드로드	RDS ON (TYP)	전류 - 출력 피크	전압 - 하중	모니터링되는 모니터링되는 수	전압 - 값 임계	시간 시간 재설정합니다	전압- 최소 (출력/고정)	노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz	-10Hz ~ 10kHz	전류 - 음극	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
RP506K161E-TR	0.9750	RFQ	7017	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP505K	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	10-ufdfn 노출 패드			RP506				5.5V	결정된					DFN (PL) 2527-10	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	5,000	뿌리 뿌리																										1				책임	1.2MHz			긍정적인			예			2A								1.6V				-	2.5V
NJM4562M#	-	RFQ	2567	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비)					3.5MA			-			2		8-DMP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	100			-			범용		100 NA	500 µV	8 v	36 v
NJM79M05FA	-	RFQ	9865	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩							-35V	결정된					TO-220F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	100																													5 MA					-	부정적인						500ma								-5V				-		1	-	58dB (120Hz)	온도, 회로 단락
R1224N402G-TR-FE	0.7950	RFQ	2379	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			R1224					트랜지스터 트랜지스터					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000	뿌리 뿌리												2.3V ~ 18.5V														1				책임	300kHz		할 할있게 수	긍정적인	1	100%	아니요	아니요	-
NJM082BM	-	RFQ	6343	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비)					3MA			-			2		8-DMP	다운로드				쓸모없는		100			13V/µs			J-FET	3MHz	30 PA	5 MV	8 v	36 v
R3111Q201B-TR-FE	0.2459	RFQ	4683	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R3111X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SC-82AB	전압 전압		R3111							열린 열린 또는 배수 수집기			SC-82AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																												활성 활성																		1	2V	최대 100µs
RP109N311D-TR-FE	0.2306	RFQ	6547	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP109X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753			RP109				5.25V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																													70 µA					할 할있게 수	긍정적인						150ma								3.1V				-		1	0.32v @ 150ma	75db (1khz)	전류에 전류에
NJW4301D	-	RFQ	2592	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	DC 모터, 모터	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	NJW4301	BI-CMOS								4V ~ 12V	16-DIP	다운로드	rohs 비준수가	적용 적용 수 할		귀 99	8542.39.0001	25					-																					논리							온도 온도		하프 하프 (4)							유도 유도	-	-	4V ~ 12V
NJU4052BM	0.7020	RFQ	3745	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			NJU4052								2		16-DMP	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50				-										SP4T	4 : 1	160ohm	5ohm	3V ~ 18V	-	500ns, 500ns	-	5pf	100NA	-
R3114K351A-TR	0.3000	RFQ	5131	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R3114X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	4-udfn n 패드	전압 전압		R3114							열린 열린 또는 배수 수집기			DFN (PL) 1010-4	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	10,000																												활성 활성																		1	3.5V	40µs
RP110N141D-TR-FE	0.2306	RFQ	4498	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP110X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753			RP110				5.25V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																													2 µA					할 할있게 수	긍정적인						150ma								1.4V				-		1	0.8V @ 150ma	-	전류에 전류에
NJM431L2	-	RFQ	1250	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는	± 2.2%	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			NJM431		-	-		조절할 조절할있는	-				To-92-3	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	500												분로																													100 MA								2.495V	-	-	1 MA	36 v
R1114D271D-TR-FE	0.2767	RFQ	4700	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1114X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-563, SOT-666			R1114				6V	결정된					SON1612-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	4,000																													95 µA					할 할있게 수	긍정적인						150ma								2.7V				-		1	0.5V @ 150mA	70dB ~ 60dB (1kHz ~ 10kHz)	전류에 전류에
R1155N030B-TR-FE	0.4350	RFQ	2969	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1155X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753			R1155				24V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																													22 µA	125 µA				할 할있게 수	긍정적인						150ma								3V				-		1	2.6v @ 150ma	-	전류, 역전, 온도 전류
NJU7231F28-TE1#	0.3658	RFQ	3007	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			NJU7231				15V	결정된					SOT-23-5 (MTP5)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000																																		-	긍정적인						100ma								2.8V				-		1	0.6V @ 20ma	-	-
R1518J341E-T1-FE	0.8550	RFQ	8360	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1518X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀			R1518				36v	결정된					6-HSOP-J	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																													36 µA					활성화, 스타트 소프트	긍정적인						1A								3.4V				-		1	1.6V @ 1a	-	현재, 이상 온도
R1170D151B-TR-FE	0.5700	RFQ	5655	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1170X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-563, SOT-666			R1170				7V	결정된					SON1612-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																													160 µA					할 할있게 수	긍정적인						800ma								1.5V				-		1	0.45V @ 300ma	50dB (1kHz)	현재, 이상 온도
R1518J251B-T1-FE	0.8550	RFQ	6628	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1518X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀			R1518				36v	결정된					6-HSOP-J	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																													36 µA					활성화, 스타트 소프트	긍정적인						1A								2.5V				-		1	1.8V @ 1a	-	현재, 이상 온도
nju7665af-te1	-	RFQ	2228	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753							5.5V	결정된					SOT-23-5 (MTP5)	다운로드	rohs 비준수가	2 (1 년)		귀 99	8542.39.0001	3,000	비율																										1				충전 충전	7.5kHz			부정적인			아니요			500µA								-VIN				-	1.5V
NJM79L09L2A	-	RFQ	2659	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)							-30V	결정된					To-92-3	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	500																													6 MA					-	부정적인						100ma								-9V				-		1	-	67dB (120Hz)	온도, 회로 단락
RP200N111D-TR-FE	0.4350	RFQ	8038	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP200X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			RP200				5.25V	결정된					SOT-23-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																													4 µA					할 할있게 수	긍정적인						300ma								1.1V				-		1	0.7V @ 300ma	70dB (1kHz)	전류에 전류에
RP114Q282B-TR-FE	0.4050	RFQ	1642	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP114X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			RP114				5.25V	결정된					SC-88A	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																													75 µA					할 할있게 수	긍정적인						300ma								2.8V				-		1	0.3v @ 300ma	75db (1khz)	전류에 전류에
NJM2076D	-	RFQ	5885	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는		-20 ° C ~ 75 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	AB	-						1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)				1.8V ~ 15V	8-DIP	다운로드	rohs 비준수가	적용 적용 수 할		귀 99	8542.33.0001	50																									90mw x 1 @ 8ohm; 17.5mw x 2 @ 16ohm
NJM2132M	0.5835	RFQ	6442	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비)			NJM2132		-			-			2		8-DMP	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	100			2.1V/µs		27 MA	범용	1.8 MHz	20 NA	2 MV	2.7 v	32 v
R1172H361B-T1-FE	0.5724	RFQ	3529	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R1172X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-89-5/6			R1172				6V	결정된					SOT-89-5	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,000																													100 µa					할 할있게 수	긍정적인						1A								3.6v				-		1	0.18V @ 1a	70dB (1kHz)	현재, 이상 온도
RP132K001F-TR	0.4500	RFQ	2247	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP132X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	6-ufdfn 노출 패드			RP132				6.5V	조절할 조절할있는					DFN (PL) 1820-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	5,000																													85 µA					할 할있게 수	긍정적인						1A								0.8V				5.5V		1	1.54V @ 1a	70dB (1kHz)	현재, 이상 온도
NJM2267M	-	RFQ	5899	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	쓸모없는			범용	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)					14 MA			-			2		8-DMP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	100		4.85V ~ 9V	-
RP131L501D-TR	0.4050	RFQ	5602	Nisshinbo Micro Devices Inc.	RP131X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	6-xfdfn 노출 패드			RP131				6.5V	결정된					DFN1616-6B	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	5,000																													90 µA					할 할있게 수	긍정적인						1A								5V				-		1	0.65V @ 1a	60dB (1kHz)	현재, 이상 온도
R3111Q171C-TR-FE	0.2459	RFQ	2731	Nisshinbo Micro Devices Inc.	R3111X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SC-82AB	전압 전압		R3111							푸시 푸시, 풀 기둥			SC-82AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	3,000																												활성 활성																		1	1.7V	최대 100µs
njm3403am#	0.5940	RFQ	4604	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비)			NJM3403		3MA			-			4		14-DMP	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50			1.2V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	70 NA	2 MV	4 v	36 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (8608)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²