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통합 통합 (ICS) (8608)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압- 최대 (입력) 출력 출력 산출 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 슬림 슬림 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 전압- v (VCC/VDD) load 인터페이스 출력 출력 메모리 메모리 시간 시간 날짜 날짜 전압 - 배터리, 공급 현재- 관리 시간 (최대) 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호 전압/출력 - 전류 1 전압/출력 - 전류 2 전압/출력 - 전류 3 LED 드라이버 감독자 시퀀서와
RP118K151D-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118K151D-TR 0.3150
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP118X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-udfn n 패드 RP118 5.5V 결정된 DFN (PL) 1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 0.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 100ma 1.5V - 1 0.66v @ 100ma - 전류에 전류에
NJU7051V-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7051V-TE1 -
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 15µA 철도 철도 레일 1 8-ssop 다운로드 2 (1 년) 귀 99 8542.33.0001 2,000 0.05V/µs 범용 100 kHz 1 PA 1 v 16 v
NJM5534M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM5534M -
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 4MA - 1 8-DMP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 13V/µs 범용 10MHz 500 NA 500 µV 6 v 44 v
RP111N181D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. rp1111n181d-tr-fe 1.1500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. rp111x 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP111 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 125 µA 할 할있게 수 긍정적인 500ma 1.8V - 1 0.41V @ 500MA 75dB (10kHz) 현재, 이상 온도
NJM2138M# Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2138M# 1.6410
RFQ
 ECAD 8076 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJM2138 2.27MA - 4 14-DMP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 45V/µs 범용 200MHz 500 NA 1 MV 2.7 v 12 v
RN5RK401B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RK401B-TR-FE 0.5880
RFQ
 ECAD 7948 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RN5RK 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN5RK401 8V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 스텝 스텝 1 후원 100kHz 긍정적인 아니요 - 4V - -
NJW4750MHHT1-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJW4750MHHT1-TE1 1.3466
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 26-wfqfn q 패드 NJW4750 2.4V ~ 40V 26-EQFN-HH (3.4x2.6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,500 4 스텝 스텝 (다운 다운) 동기 (3), 선형 (ldo) (1) 280kHz ~ 2.4MHz 3.3v, 1a 1.8V, 500MA 1.2V, 500MA 아니요 아니요 아니요
R1224N302M-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N302M-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 180kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
R3111H401C-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111H401C-T1-FE 0.3222
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA 전압 전압 R3111 푸시 푸시, 풀 기둥 SOT-89-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성 활성 1 4V 최대 100µs
R3111Q601B-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3111Q601B-TR-FE 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-82A, SOT-343 전압 전압 R3111 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-82AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 6V 전형적인 100µs
R3117Q112A-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117Q112A-TR-FE 0.3381
RFQ
 ECAD 1539 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R3117X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 전압 전압 R3117 열린 열린 또는 배수 수집기 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 1.1V 전형적인 80µs
R1191H036D-T1-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191H036D-T1-FE 0.5406
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1191X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 R1191 16V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 100 µa 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3.6v - 1 1.8V @ 300MA 70dB (1kHz) 온도, 전류 반전, 단락
RS5C316A-E2-F Nisshinbo Micro Devices Inc. RS5C316A-E2-F -
RFQ
 ECAD 8406 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 시계/캘린더 알람, 도약 2.5V ~ 6V 8-ssop - 2129-RS5C316A-E2-F 1 평행, 직렬 - HH : MM : SS (12/24 HR) YY-MM-DD - 1.5µa ~ 2µa @ 3v ~ 6v
RP173Q182D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173Q182D-TR-FE 0.2920
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP173X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RP173 11V 결정된 SC-88A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 3.7 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.8V - 1 2.19V @ 150mA 30db (1khz) 전류, 전류 역전
NJM386E Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM386E -
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AB - 1 채널 (모노) 4V ~ 12V 8-SOP 다운로드 쓸모없는 100 500mw x 1 @ 16ohm, 325mw x 1 @ 8ohm
RP109L171B-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109L171B-TR 0.2550
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP109X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-xdfn d 패드 RP109 5.25V 결정된 DFN1010-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 10,000 70 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 1.7V - 1 0.54V @ 150mA 75db (1khz) 전류에 전류에
NJM78L20UA-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L20UA-TE1 0.2435
RFQ
 ECAD 7574 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 TO-243AA NJM78L20 40V 결정된 SOT-89 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 7 MA - 긍정적인 100ma 20V - 1 - 58dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJM78L09A Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM78L09A -
RFQ
 ECAD 5938 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30V 결정된 To-92-3 다운로드 rohs 비준수가 적용 적용 수 할 귀 99 8542.39.0001 500 6 MA - 긍정적인 100ma 9V - 1 - 65dB (120Hz) 온도, 회로 단락
NJM2360AM-TE3 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2360AM-TE3 -
RFQ
 ECAD 1542 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) 40V 조절할 조절할있는 8-DMP 다운로드 쓸모없는 2,000 뿌리 뿌리 1 책임 100Hz ~ 100kHz 긍정적인 - 1.5A (스위치) 1.25V 40V 2.5V
R1501S030B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501S030B-E2-FE 0.7632
RFQ
 ECAD 4970 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1501X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1501 24V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 160 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3V - 1 1.125V @ 1a 60dB (1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
R1514S055B-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1514S055B-E2-FE 0.7155
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1514X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 R1514 36v 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 20 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 5.5V - 1 0.35V @ 20MA - 전류, 이상 온도, 단락
RP506K161E-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. RP506K161E-TR 0.9750
RFQ
 ECAD 7017 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP505K 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 RP506 5.5V 결정된 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 1.2MHz 긍정적인 예 2A 1.6V - 2.5V
RP131S331D-E2-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131S331D-E2-FE 0.4293
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP131X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-SOIC 변화 (0.154 ", 3.90mm 너비), 4 개의 리드 + 2 핀 RP131 6.5V 결정된 6-HSOP-J 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 90 µA 할 할있게 수 긍정적인 1A 3.3v - 1 0.65V @ 1a 70dB (1kHz) 현재, 이상 온도
NJM2930F05 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2930F05 1.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 75 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 26V 결정된 TO-220 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 7 MA 40 MA - 긍정적인 150ma 5V - 1 0.6V @ 150ma 60dB (120Hz) 온도, 회로 단락
RP104N281D-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. RP104N281D-TR-FE 0.2767
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. RP104X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RP104 5.25V 결정된 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 1.5 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.8V - 1 0.32v @ 150ma - 전류에 전류에
R1224N402G-TR-FE Nisshinbo Micro Devices Inc. R1224N402G-TR-FE 0.7950
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 R1224 트랜지스터 트랜지스터 SOT-23-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 2.3V ~ 18.5V 1 책임 300kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 100% 아니요 아니요 -
NJU7002M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7002M 0.9720
RFQ
 ECAD 2607 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) NJU7002 - - 2 8-DMP 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 100 0.05V/µs CMOS 100 kHz 1 PA 10 MV 1 v 16 v
NJU7095M Nisshinbo Micro Devices Inc. NJU7095M -
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) 80µA 철도 철도 레일 2 8-DMP 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 귀 99 8542.33.0001 100 1V/µs CMOS 1MHz 1 PA 2 MV 1 v 5.5 v
NJM2370U03-TE1 Nisshinbo Micro Devices Inc. NJM2370U03-TE1 0.3900
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SOT-89-5/6 NJM2370 20V 결정된 SOT-89-5 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 180 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 3V - 1 0.3v @ 30ma 60dB (400Hz) 현재, 이상 온도
R1243K001C-TR Nisshinbo Micro Devices Inc. R1243K001C-TR 1.0500
RFQ
 ECAD 2836 0.00000000 Nisshinbo Micro Devices Inc. R1243X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-ufdfn 노출 패드 R1243 30V 조절할 조절할있는 DFN (PL) 2527-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 5,000 뿌리 뿌리 1 책임 330kHz 긍정적인 아니요 2A 0.8V 18V 4.5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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