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통합 통합 (ICS) (2201)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	메모리 메모리	전압 전압	메모리 메모리	액세스 액세스	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
40574K	-	RFQ	3576	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인										확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)			0000.00.0000	1
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74FCT245ZATQ	0.2700	RFQ	12	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인														-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		0000.00.0000	1
74FCT16245LBETPA	1.0000	RFQ	4	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74FCT16245								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1
QS3384YQ	-	RFQ	3573	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						QS3384								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1
74FCT3244APGG	1.0400	RFQ	6	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74FCT3244	-		3 국가			2.7V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드				귀 99	8542.39.0001	289	버퍼, 반전 비	2	4	8ma, 24ma
71T75902S85BG	42.2200	RFQ	65	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	119-bga			71T75902		SRAM- 동기, SDR (ZBT)				2.375V ~ 2.625V	119-PBGA (14x22)	다운로드				3A991B2A	8542.32.0041	1									휘발성 휘발성		18mbit	8.5 ns									SRAM	1m x 18	평행한	-
7164l20yg	3.3600	RFQ	1	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)			7164L		sram- 비동기				4.5V ~ 5.5V	28-SOJ	다운로드				귀 99	8542.32.0041	1									휘발성 휘발성		64kbit	20 ns									SRAM	8k x 8	평행한	20ns
71V256SA15YGI	-	RFQ	2925	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)			71V256		sram- 비동기				3V ~ 3.6V	28-SOJ	다운로드				3A991B2B	8542.32.0041	1									휘발성 휘발성		256kbit	15 ns									SRAM	32k x 8	평행한	15ns
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71V6783S150BQ	26.6900	RFQ	133	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA			71v67803		sram-동기, sdr				3.135V ~ 3.465V	165-Cabga (13x15)	다운로드				3A991B2A	8542.32.0041	1						150MHz			휘발성 휘발성		9mbit	3.8 ns									SRAM	512k x 18	평행한	-
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71V3559S80BG	7.6600	RFQ	677	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	119-bga			71V3559		SRAM- 동기, SDR (ZBT)				3.135V ~ 3.465V	119-PBGA (14x22)	다운로드				3A991B2A	8542.32.0041	1									휘발성 휘발성		4.5mbit	8 ns									SRAM	256k x 18	평행한	-
74CBTLV16211PAG	2.7400	RFQ	3	idt, 장치 통합 기술 in inc	74CBTLV	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	버스 버스		74CBTLV16211						2.3V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1				-						단일 단일			12 x 1 : 1	2
74FCT162373ATPVG	1.3800	RFQ	761	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT162373			트라이 트라이			4.5V ~ 5.5V	48-ssop	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA									8 : 8	2	1.5ns
QS3384PAG	-	RFQ	5575	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 버스		QS3384						4.75V ~ 5.25V	24-TSSOP	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1				-						단일 단일			5 x 1 : 1	2
74ALVC164245PAG8	1.5700	RFQ	100	idt, 장치 통합 기술 in inc	74ALVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)		-	74ALVC164245			트라이 트라이, 스테이트 반전		2		48-tssop	다운로드				귀 99	8542.39.0001	192					-		-	-								전압 전압	양방향	8	2.7 V ~ 3.6 v	4.5 V ~ 5.5 v
71V67903S80pfg	14.7400	RFQ	534	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp			71V67903		sram-동기, sdr				3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드				3A991B2A	8542.32.0041	1						100MHz			휘발성 휘발성		9mbit	8 ns									SRAM	512k x 18	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (2201)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²