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74CBTLV3251SA4Q IDT, Integrated Device Technology Inc 74CBTLV3251SA4Q -
RFQ
ECAD 6599 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 74CBTLV3251 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
54FCT244CTLB IDT, Integrated Device Technology Inc 54FCT244CTLB 19.8600
RFQ
ECAD 31 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-LCC 54FCT244 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20-LCC (8.89x8.89) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 4 12MA, 48MA
ZSSC3123AI3B IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3123AI3B 1.7400
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3123 다운로드 0000.00.0000 9,000
74FCT16952CTPAG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16952CTPAG 2.8700
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ECAD 6 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74FCT16952 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 56-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 2 8 32MA, 64MA
5V9910ZQ-QS5V9910-5SOI IDT, Integrated Device Technology Inc 5V9910ZQ-QS5V9910-5 SOI 5.2900
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ECAD 2 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
71V3558XS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558XS133PF 2.0100
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ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v3558 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
71V016SA10BF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10BF 4.4000
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ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA 71V016 sram- 비동기 3.15V ~ 3.6V 48-Cabga (7x7) 다운로드 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
74FCT3245PGG IDT, Integrated Device Technology Inc 74fct3245pgg 1.4800
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ECAD 1558 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74FCT3245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 20-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 144 트랜시버, 반전 비 1 8 8ma, 24ma
71V2556SA133BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2556SA133BQI -
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ECAD 9113 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V2556 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
ZSPM1363BA1W1 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM1363BA1W1 -
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ECAD 8160 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM1363 - 귀 99 8542.39.0001 1,250
5962-9220506M3A IDT, Integrated Device Technology Inc 5962-9220506M3A 22.6000
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ECAD 33 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 28-CLCC 5962-9220506 트라이 트라이 4.5V ~ 5.5V 28-LCC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 -
74LVCH162244AXPF IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVCH16244AXPF 0.2700
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ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
5962-9215704M2A IDT, Integrated Device Technology Inc 5962-9215704M2A -
RFQ
ECAD 8159 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
40806K IDT, Integrated Device Technology Inc 40806K -
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ECAD 9968 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 확인되지 확인되지 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 1
ZSSC3154BA1C IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3154BA1C -
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ECAD 2770 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3154 확인되지 확인되지 다운로드 0000.00.0000 2,700
71V016SA12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12PHI -
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ECAD 5260 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V016 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
ZSSC3018BA2D ES IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3018BA2D ES -
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ECAD 2802 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3018 확인되지 확인되지 다운로드 0000.00.0000 50
71V016SA12YGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12YGI8 -
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ECAD 8615 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V016 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
ZSSC3036CC1B IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3036CC1B 1.3050
RFQ
ECAD 7580 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3036 다운로드 0000.00.0000 17,000
74ALVCH16823PAG IDT, Integrated Device Technology Inc 74ALVCH16823PAG 0.3300
RFQ
ECAD 6031 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74ALVCH 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) D- 타입 74ALVCH16823 트라이 트라이, 스테이트 반전 2.7V ~ 3.6V 56-tssop 다운로드 ROHS3 준수 귀 99 8542.39.0001 35 1 18 24MA, 24MA 마스터 마스터 150MHz 긍정적 긍정적 가장자리 40 µA 5 pf
74ALVCH16903A4PA IDT, Integrated Device Technology Inc 74ALVCH16903A4PA -
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 확인되지 확인되지 - 0000.00.0000 1
71V3556SA100BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA100BQI 10.8200
RFQ
ECAD 9730 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71v3556 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
ASI4UE-G1-SR-7 IDT, Integrated Device Technology Inc ASI4UE-G1-SR-7 9.9598
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ECAD 8442 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 액추에이터 액추에이터 인터페이스 표면 표면 28-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) ASI4UE-G1 16V ~ 33.1V 28-SSOP 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 500 as-i
71V432S7PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v432S7pfgi -
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71v432 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.63V 100-TQFP (14x14) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 7 ns SRAM 32k x 32 평행한 -
ZSSC4169DE4B IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC4169DE4B -
RFQ
ECAD 9280 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC4169 확인되지 확인되지 다운로드 0000.00.0000 4,730
ZSSC3131BA1D IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3131BA1D -
RFQ
ECAD 6536 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3131 확인되지 확인되지 다운로드 0000.00.0000 50
41273H-54FCT273TEB IDT, Integrated Device Technology Inc 41273H-54FCT273TEB 8.0000
RFQ
ECAD 2978 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 41273H - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
65V524A IDT, Integrated Device Technology Inc 65V524A -
RFQ
ECAD 8378 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 확인되지 확인되지 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 1
ZSSC3154BA3V IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3154BA3V -
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 센서 센서 컨디셔너 - 저항 표면 표면 32-vfqfn 노출 패드 ZSSC3154 4.5V ~ 5.5V 32-VFQFPN (5x5) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 490 i²c, zacwire ™ 원선 인터페이스
SAP51D-A-G1-T IDT, Integrated Device Technology Inc SAP51D-A-G1-T 12.3738
RFQ
ECAD 7204 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 튜브 활동적인 액추에이터 액추에이터 인터페이스 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) SAP51D-A-G1 16V ~ 34V 20- 다운로드 귀 99 8542.39.0001 37 as-i
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고