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통합 통합 (ICS) (2201)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 출력 출력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 인터페이스 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 회로 독립 독립 지연 지연 - 시간 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
74FCT374KATQ IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT374KATQ 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 74FCT374 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
7164S35FB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S35FB -
RFQ
 ECAD 8717 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 7164S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A001A2C 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 35 ns SRAM 8k x 8 평행한 35ns
74FCT163245CPFG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT163245CPFG 1.6000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74FCT163245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 48-TVSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 2 8 8ma, 24ma
IDT74FCT244TPY IDT, Integrated Device Technology Inc IDT74FCT244TPY 0.5400
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 74FCT244 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20-ssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 4 15MA, 64MA
71V67603S133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133BG -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71V67603 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 4.2 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
ZSSC4175DE2B IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC4175DE2B -
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 마지막으로 마지막으로 ZSSC4175 확인되지 확인되지 다운로드 귀 99 8542.39.0001 4,730
74FCT162244CTPVG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16244CTPVG 1.3800
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 ECAD 4 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 74FCT162244 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 48-ssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 4 4 24MA, 24MA
ZSPM4011BA1R00 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM4011BA1R00 -
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 ECAD 5070 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM4011 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,300
7164L55TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L55TDB 30.3800
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 ECAD 13 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 7164L sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-cdip 다운로드 3A001A2C 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 55 ns SRAM 8k x 8 평행한 55ns
71V25761S200PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V25761S200pfg 12.3000
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V25761 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71256SA15TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA15TPG 3.3600
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 ECAD 179 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.300 ", 7.62mm) 71256SA sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
71256SA25Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA25Y -
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) 71256SA sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 25 ns SRAM 32k x 8 평행한 25ns
ZSSC3026CC6B IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3026CC6B 1.2150
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3026 확인되지 확인되지 다운로드 0000.00.0000 17,000
71P74804S200BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71p74804S200BQG 6.6800
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71p74 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-Cabga (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 8.4 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
71V424YS12YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v424ys12ygi 2.0100
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) 71v424 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 2156-71V424YS12 GYI-IDT 3A991B2A 8542.32.0041 20 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns 확인되지 확인되지
ZSSC3138BA2T IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3138BA2T 5.3186
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 센서 센서 컨디셔너 - 저항 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) ZSSC3138 4.5V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 77 i²c, zacwire ™ 원선 인터페이스
ZSSC4165BE1C IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC4165BE1C -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC4165 확인되지 확인되지 - 0000.00.0000 5,000
ZSSC4151AE2V IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC4151AE2V -
RFQ
 ECAD 3078 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 센서 센서 컨디셔너 - 저항 표면 표면 24-vfqfn 노출 패드 ZSSC4151 4.5V ~ 5.5V 24-QFN (4x4) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 490 I²C, Zacwire ™
IDT74FCT2573TQ IDT, Integrated Device Technology Inc IDT74FCT2573TQ 0.6100
RFQ
 ECAD 577 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 74FCT2573 트라이 트라이 4.75V ~ 5.25V 20-QSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 d- 타입 투명 타입 - 8 : 8 1 13ns
ZSSC3122AA2R IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3122AA2R -
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSSC3122 - 0000.00.0000 4,000
6116LA45DB IDT, Integrated Device Technology Inc 6116LA45dB 22.3600
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 24-CDIP (0.600 ", 15.24mm) 6116LA sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-CDIP 다운로드 3A001A2C 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16kbit 45 ns SRAM 2k x 8 평행한 45ns
6116LA15TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116LA15TPG 2.8000
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 24-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6116LA sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-PDIP 다운로드 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16kbit 15 ns SRAM 2k x 8 평행한 15ns
74LVCR162245APAG IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVCR162245APAG 1.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74LVCR 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74LVCR162245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 48-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 2 8 12MA, 12MA
ZSSC3036CC1B IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3036CC1B 1.3050
RFQ
 ECAD 7580 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3036 다운로드 0000.00.0000 17,000
SAP51D-B-G1 IDT, Integrated Device Technology Inc SAP51D-B-G1 -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 튜브 활동적인 액추에이터 액추에이터 인터페이스 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) SAP51D-B-G1 16V ~ 34V 16- 다운로드 귀 99 8542.39.0001 46 as-i
ZSSC3170EE1D IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3170EE1D -
RFQ
 ECAD 1996 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3170 확인되지 확인되지 다운로드 귀 99 8542.39.0001 50
ZSPM4011BA1W15 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM4011BA1W15 -
RFQ
 ECAD 3480 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM4011 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100
IDT74FCT16373LATPF IDT, Integrated Device Technology Inc IDT74FCT16373LATPF -
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 74FCT16373 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74FCT244ATQG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT244ATQG8 1.1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 74FCT244 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20-QSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 4 15MA, 64MA
71V3577S75BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S75BQ -
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V3577 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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