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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 출력 출력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 인터페이스 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
74FCT162245TPA/L IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16245TPA/L -
RFQ
ECAD 7309 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
71V416L15BEGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L15BEGI 8.8700
RFQ
ECAD 487 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA 71v416L sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-Cabga (9x9) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
74FCT163344X4APA IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT163344X4APA -
RFQ
ECAD 2993 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
ZSSC3136BA2R IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3136BA2R -
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ECAD 6010 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 센서 센서 컨디셔너 - 저항 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) ZSSC3136 4.5V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 2,000 i²c, zacwire ™ 원선 인터페이스
ZSSC3136BA1C IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3136BA1C -
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ECAD 2371 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3136 확인되지 확인되지 다운로드 0000.00.0000 2,800
QS3VH16211Y4PA IDT, Integrated Device Technology Inc QS3VH16211Y4PA 0.6700
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ECAD 979 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 QS3VH16211 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74FCT16245ATPVG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16245ATPVG8 1.3800
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ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 74FCT16245 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 48-ssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 217 트랜시버, 반전 비 2 8 32MA, 64MA
ZSSC4162BE1B IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC4162BE1B -
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ECAD 3913 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC4162 확인되지 확인되지 - 귀 99 8542.39.0001 5,000
43574K IDT, Integrated Device Technology Inc 43574K -
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ECAD 3327 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 확인되지 확인되지 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 1
74FCT162240ETPV IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT162240ETPV 0.3300
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ECAD 9 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 74FCT162240 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 48-ssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 4 4 24MA, 24MA
71V124SA15YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15YG 1.6000
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ECAD 311 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V124 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
71V65602S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65602S133PFG -
RFQ
ECAD 8126 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V65602 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 4.2 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
ZSPM4012BA1R33 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM4012BA1R33 -
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ECAD 2610 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM4012 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,300
71V424YL10PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424YL10PH 2.0100
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ECAD 199 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) 71v424 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
74FCT374KATQ IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT374KATQ 0.2900
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ECAD 2 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 74FCT374 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
7164S35FB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S35FB -
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ECAD 8717 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 7164S sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A001A2C 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 35 ns SRAM 8k x 8 평행한 35ns
74FCT163245CPFG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT163245CPFG 1.6000
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ECAD 5 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74FCT163245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 48-TVSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 2 8 8ma, 24ma
IDT74FCT244TPY IDT, Integrated Device Technology Inc IDT74FCT244TPY 0.5400
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ECAD 68 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 74FCT244 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20-ssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 4 15MA, 64MA
71V67603S133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133BG -
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga 71V67603 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 4.2 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
74FCT162244CTPVG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16244CTPVG 1.3800
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ECAD 4 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 74FCT162244 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 48-ssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 4 4 24MA, 24MA
ZSPM4011BA1R00 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM4011BA1R00 -
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ECAD 5070 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM4011 다운로드 귀 99 8542.39.0001 3,300
7164L55TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L55TDB 30.3800
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ECAD 13 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 7164L sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-cdip 다운로드 3A001A2C 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 55 ns SRAM 8k x 8 평행한 55ns
71V25761S200PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V25761S200pfg 12.3000
RFQ
ECAD 62 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V25761 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
71256SA15TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA15TPG 3.3600
RFQ
ECAD 179 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.300 ", 7.62mm) 71256SA sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
71256SA25Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA25Y -
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) 71256SA sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 25 ns SRAM 32k x 8 평행한 25ns
71P74804S200BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71p74804S200BQG 6.6800
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ECAD 5712 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71p74 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-Cabga (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 8.4 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
71V424YS12YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v424ys12ygi 2.0100
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ECAD 9720 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) 71v424 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 2156-71V424YS12 GYI-IDT 3A991B2A 8542.32.0041 20 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 512k x 8 평행한 12ns 확인되지 확인되지
IDT74FCT16373LATPF IDT, Integrated Device Technology Inc IDT74FCT16373LATPF -
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ECAD 3076 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 74FCT16373 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74FCT244ATQG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT244ATQG8 1.1400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 74FCT244 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20-QSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 4 15MA, 64MA
71V3577S75BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S75BQ -
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ECAD 5562 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA 71V3577 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고