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통합 통합 (ICS) (2201)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	출력 출력	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	인터페이스	시계 시계	메모리 메모리	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	입력 입력	회로	독립 독립	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
71V35761S166BGI	-	RFQ	8782	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	119-bga		71V35761S	sram-동기, sdr			3.135V ~ 3.465V	119-PBGA (14x22)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	84						166 MHz	휘발성 휘발성		4.5mbit				3.5 ns				SRAM	128k x 36	평행한	-
ZSSC5101BE3B	-	RFQ	4676	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	쟁반	활동적인						ZSSC5101			확인되지 확인되지			다운로드						0000.00.0000	3,500
SAP5SD-A-G1-R	20.5200	RFQ	4498	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		액추에이터 액추에이터 인터페이스	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		SAP5SD-A-G1				16V ~ 34V	20-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000					as-i
71V2556S166PFG	7.6600	RFQ	332	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp		71V2556	SRAM- 동기, SDR (ZBT)			3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드						8542.32.0041	1						166 MHz	휘발성 휘발성		4.5mbit				3.5 ns				SRAM	128k x 36	평행한	-
ZSSC3170FE1C	-	RFQ	8063	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	쟁반	활동적인						ZSSC3170			확인되지 확인되지			다운로드					귀 99	8542.39.0001	2,300
71V65602S150PF	-	RFQ	3642	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp		71V65602	SRAM- 동기, SDR (ZBT)			3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1						150MHz	휘발성 휘발성		9mbit				3.8 ns				SRAM	256k x 36	평행한	-
71024S20TYI	-	RFQ	2383	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)		71024S	sram- 비동기			4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2B	8542.32.0041	1							휘발성 휘발성		1mbit				20 ns				SRAM	128k x 8	평행한	20ns
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74CBTLV16212PAG	2.7400	RFQ	1	idt, 장치 통합 기술 in inc	74CBTLV	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	버스 FET 스위치 교환	74CBTLV16212				2.3V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			-					단일 단일							12 x 2 : 2	1
ZSPM2000ZA3B	-	RFQ	1567	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	쟁반	활동적인						ZSPM2000						다운로드					귀 99	8542.39.0001	4,260
74LVC16245AX4PV	0.2700	RFQ	1	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74LVC16245						-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
Ziol2201BI1R	4.3500	RFQ	5746	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						Ziol2201						다운로드					귀 99	8542.39.0001	5,000
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SAP51D-B-G1-T	11.7427	RFQ	1482	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	튜브	활동적인		액추에이터 액추에이터 인터페이스	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		SAP51D-B-G1				16V ~ 34V	16-	다운로드						0000.00.0000	46					as-i
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74FCT821HCTQ	0.3600	RFQ	3326	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74FCT821						-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
74FCT377ATQG	-	RFQ	4720	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입	74FCT377		비 비		4.5V ~ 5.5V	20-QSOP	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	55	1	8	12MA, 48MA	설정 (설정 사전) 및 재설정						긍정적 긍정적 가장자리	7.2ns @ 5V, 50pf	1 MA		6 pf
71V124SA20TYI	-	RFQ	8157	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)		71V124	sram- 비동기			3V ~ 3.6V	32-SOJ	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2B	8542.32.0041	1							휘발성 휘발성		1mbit				20 ns				SRAM	128k x 8	평행한	20ns
ZSC31150GLG1-R	4.6200	RFQ	9604	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						ZSC31150						다운로드					귀 99	8542.39.0001	2,000
89HPES12T3G2ZBBCI	169.2700	RFQ	30	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	쓸모없는		인터페이스 인터페이스	표면 표면	324-BGA						0.9V ~ 1.1V	324-Cabga (19x19)	-	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-89HPES12T3G2ZBBCI	3A991A2	8542.39.0001	5					PCI Express, SMBUS
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IDT49FCT805KAQPI	3.3300	RFQ	135	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						49FCT805						-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (2201)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²