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통합 통합 (ICS) (2201)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	인터페이스	시계 시계	메모리 메모리	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	입력 입력	회로	독립 독립	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
71V547S100pfgi	7.6100	RFQ	179	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp		71v547		SRAM- 동기, SDR (ZBT)				3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	1								휘발성 휘발성		4.5mbit				10 ns				SRAM	128k x 36	평행한	-
476cg-08LF	1.5400	RFQ	1	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	새로운 새로운 아닙니다										확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	요청시 요청시 도달하십시오	2832-476CG-08LF	귀 99		1
71V016SA10PHG	-	RFQ	8764	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		71V016		sram- 비동기				3.15V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드					3A991B2B	8542.32.0041	1								휘발성 휘발성		1mbit				10 ns				SRAM	64k x 16	평행한	10ns
71v432S10pf	1.6600	RFQ	570	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp		71v432		sram-동기, sdr				3.135V ~ 3.63V	100-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2B	8542.32.0041	1								휘발성 휘발성		1mbit				10 ns				SRAM	32k x 32	평행한	-
74LVCH16601APVG	0.2700	RFQ	2	idt, 장치 통합 기술 in inc	74lvch	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)		74LVCH16601					18 비트	2.3V ~ 3.6V	56-ssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	26	보편적 보편적 버스 인			24MA, 24MA
43466y	-	RFQ	6065	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인										확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)				0000.00.0000	1
ZSSC3123AI2R	2.7900	RFQ	5022	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						ZSSC3123								다운로드					귀 99	8542.39.0001	4,000
IDT74FCT652TQ	0.8500	RFQ	41	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)		74FCT652	-		3 국가			4.75V ~ 5.25V	24-QSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	1	8	15MA, 64MA
74CBTLV3126PGG	0.2400	RFQ	10	idt, 장치 통합 기술 in inc	74CBTLV	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 버스	74CBTLV3126						2.3V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	96				-					단일 단일							1 x 1 : 1	4
29FCT2052CTQG	1.3500	RFQ	711	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인														-		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-29FCT2052CTQG-1725			1
QS52806ZQATQ	-	RFQ	7171	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인										확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)					1
ZSSC3136BA2T	-	RFQ	5648	idt, 장치 통합 기술 in inc	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인		센서 센서 컨디셔너 - 저항	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)		ZSSC3136						4.5V ~ 5.5V	14-ssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	77						i²c, zacwire ™ 원선 인터페이스
74LVCH16374APAG	1.8600	RFQ	8	idt, 장치 통합 기술 in inc	74lvch	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	D- 타입	74LVCH16374			트라이 트라이, 스테이트 반전			2.7V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		2	8	24MA, 24MA	기준		150MHz				긍정적 긍정적 가장자리	4.5ns @ 3.3v, 50pf	10 µA		4.5 pf
ZSPM4013BA1R33	-	RFQ	5893	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						ZSPM4013								다운로드					귀 99	8542.39.0001	3,300
QS74FCT2X374ZQATQ2	-	RFQ	3194	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인										확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)					1
74FCT16543NATPA	0.5300	RFQ	869	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74FCT16543								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74LVCH16245AX4PV	-	RFQ	6081	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74LVCH16245								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
ZSPM4011BA1W18	-	RFQ	9034	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						ZSPM4011								다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000
71V65603S150PFG	19.8800	RFQ	326	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp		71V65603		SRAM- 동기, SDR (ZBT)				3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	1							150MHz	휘발성 휘발성		9mbit				3.8 ns				SRAM	256k x 36	평행한	-
ZSSC3224BI1D ES	-	RFQ	3754	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	쟁반	활동적인						ZSSC3224				확인되지 확인되지				다운로드						0000.00.0000	1
71V016SA10BFGI	-	RFQ	1825	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-LFBGA		71V016		sram- 비동기				3.15V ~ 3.6V	48-Cabga (7x7)	다운로드					3A991B2B	8542.32.0041	1								휘발성 휘발성		1mbit				10 ns				SRAM	64k x 16	평행한	10ns
IDT74FCT163373LPF	1.3400	RFQ	8128	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74FCT163373								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
QS3VH245SOG	1.5900	RFQ	575	idt, 장치 통합 기술 in inc	3VH	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	버스 버스	QS3VH245						2.3V ~ 3.6V	20-	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1				-					단일 단일							1 x 8 : 1	1
41646p	-	RFQ	6990	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인										확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)					1
IDT74ALVC10AMPG	0.2300	RFQ	4	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74ALVC10								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
IDT54FCT821HATEB	-	RFQ	2271	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인														-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74FCT162511CTPAG	0.5300	RFQ	2	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)		74FCT162511	-		3 국가			4.5V ~ 5.5V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	34	트랜시버, 반전 비	1	16	24MA, 24MA
71V67703S80BG	26.6900	RFQ	123	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	119-bga		71V67703		sram-동기, sdr				3.135V ~ 3.465V	119-PBGA (14x22)	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	1							100MHz	휘발성 휘발성		9mbit				8 ns				SRAM	256k x 36	평행한	-
74FCT16245LBCTPF	0.4700	RFQ	1	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74FCT16245								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
IDT74FCT648TQ	0.8500	RFQ	5	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)		74FCT648	-		3 국가			4.75V ~ 5.25V	24-QSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	1	8	15MA, 64MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (2201)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²