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통합 통합 (ICS) (2201)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 출력 출력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 인터페이스 시계 시계 메모리 메모리 전압 전압 메모리 메모리 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 액세스 액세스 입력 입력 회로 독립 독립 지연 지연 - 시간 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
ZSSC3131BE1C IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3131BE1C -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3131 확인되지 확인되지 다운로드 0000.00.0000 2,800
ZSSC3136BE1D IDT, Integrated Device Technology Inc ZSSC3136BE1D -
RFQ
 ECAD 2854 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 쟁반 활동적인 ZSSC3136 확인되지 확인되지 다운로드 0000.00.0000 50
ZSPM1502ZA1W0 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM1502ZA1W0 -
RFQ
 ECAD 3659 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM1502 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,000
74FCT16373CTPAG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16373CTPAG8 -
RFQ
 ECAD 2185 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74FCT16373 트라이 트라이 4.5V ~ 5.5V 48-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 d- 타입 투명 타입 32MA, 64MA 8 : 8 2 1.5ns
ZSPM4141AI1R31 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM4141AI1R31 -
RFQ
 ECAD 1237 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM4141 다운로드 귀 99 8542.39.0001 10,000
74FCT244CTQG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT244CTQG 0.9700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 74FCT244 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20-QSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 310 버퍼, 반전 비 2 4 15MA, 64MA
ZSPM4141AI1W30 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM4141AI1W30 -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM4141 다운로드 귀 99 8542.39.0001 2,500
ASI4UE-G1-MT IDT, Integrated Device Technology Inc ASI4UE-G1-MT 13.3740
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 ECAD 3823 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 튜브 활동적인 액추에이터 액추에이터 인터페이스 표면 표면 28-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) ASI4UE-G1 16V ~ 33.1V 28-SSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 47 as-i
ZSC31010CEG1-T IDT, Integrated Device Technology Inc ZSC31010CEG1-T 4.3821
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 ECAD 3793 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc RBICLITE ™ 튜브 활동적인 센서 센서 컨디셔너 - 저항 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZSC31010 2.7V ~ 5.5V, 5.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 97 Zacwire ™ ire 인터페이스
ZSPM4012BA1W18 IDT, Integrated Device Technology Inc ZSPM4012BA1W18 -
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 ECAD 6757 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 ZSPM4012 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,000
74FCT162244LBATPV IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16244LBATPV -
RFQ
 ECAD 1957 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
74FST3244PY IDT, Integrated Device Technology Inc 74FST3244PY 0.2000
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 ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 버스 버스 74FST3244 4.75V ~ 5.25V 20-ssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,500 - 단일 단일 4 x 1 : 1 2
IDT74FCT162827ETPV IDT, Integrated Device Technology Inc IDT74FCT162827ETPV -
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 ECAD 2054 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 48-DIP (0.600 ", 15.24mm) 74FCT162827 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 48-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 10 24MA, 24MA
74LVCH32245ABF IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVCH32245ABF -
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74lvch 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 96-LFBGA 74LVCH32245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 96-Cabga (13.5x5.5) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 4 8 24MA, 24MA
IDT74FCT540KATP IDT, Integrated Device Technology Inc IDT74FCT540KATP -
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74FCT162373CTPAG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT162373CTPAG 1.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74FCT162373 트라이 트라이 4.5V ~ 5.5V 48-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 d- 타입 투명 타입 24MA, 24MA 8 : 8 2 1.5ns
QS3384Y IDT, Integrated Device Technology Inc QS3384Y 0.2700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 QS3384 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
74LVC273APGG IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVC273APGG 0.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) D- 타입 74LVC273 트라이 트라이, 스테이트 반전 2.7V ~ 3.6V 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 24MA, 24MA 기준 긍정적 긍정적 가장자리 8.5ns @ 3.3v, 50pf 10 µA 4.5 pf
74LVC245AQG IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVC245AQG 0.1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 74LVC245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 20-QSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 1 8 24MA, 24MA
74LVC244AE4SO IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVC244AE4SO 0.1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
QS3VH16210PA IDT, Integrated Device Technology Inc QS3VH16210PA -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 버스 버스 QS3VH16210 3V ~ 3.6V 48-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 - 단일 단일 10 x 1 : 1 2
71T75802S100PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S100pfgi 6.6800
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 ECAD 209 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71T75802 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 18mbit 5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
71T75602S166PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166PF 6.6800
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71T75602 SRAM- 동기, SDR (ZBT) 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
71V016SA12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12PHI -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) 71V016 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
QS4A205XQ IDT, Integrated Device Technology Inc QS4A205XQ 1.0000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 QS4A205 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
71V3577YS85PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v3577ys85pf 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp 71V3577 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4.5mbit 8.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
74FCT16374LBATPV IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT16374LBATPV 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 74FCT16374 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
QS3VH16211Y4PA IDT, Integrated Device Technology Inc QS3VH16211Y4PA 0.6700
RFQ
 ECAD 979 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 QS3VH16211 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
QS3306XAS1 IDT, Integrated Device Technology Inc QS3306XAS1 0.1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 QS3306 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
5962-9220506M3A IDT, Integrated Device Technology Inc 5962-9220506M3A 22.6000
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 28-CLCC 5962-9220506 트라이 트라이 4.5V ~ 5.5V 28-LCC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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