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통합 통합 (ICS) (2201)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	-3dB 대역폭	스위치 스위치	멀티플렉서/demultiplexer 회로	온 온 저항 (최대)	채널 채널 채널 대 대 (Δron)	전압- 단일, 공급 (v+)	전압- 이중, 공급 (v ±)	스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대)	전하 전하	채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF))	전류- is (is (is)) (max)	Crosstalk	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	메모리 메모리	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	입력 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
74ALVCH162245PA	-	RFQ	7154	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)		74ALVCH162245	-			3 국가		2.3V ~ 2.7V, 2.7V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
74LVCHR162245AX4PA	0.2700	RFQ	1	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					74LVCHR162245								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
74FCT257PBATSO	0.2700	RFQ	3	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	쓸모없는					74FCT257								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74FCT244CTQG	0.9700	RFQ	7	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)		74FCT244	-			3 국가		4.75V ~ 5.25V	20-QSOP	다운로드					귀 99	8542.39.0001	310	버퍼, 반전 비	2	4	15MA, 64MA
74LVCH162244APAG	1.0000	RFQ	1	idt, 장치 통합 기술 in inc	74lvch	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)		74LVCH162244	-			3 국가		2.7V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	4	4	12MA, 12MA
74FST6800PGG	1.3800	RFQ	30	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fst	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 버스	74FST6800						-	24-TSSOP	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1				-																			단일 단일							10 x 1 : 1	1
74LVCC3245ASOG	0.1400	RFQ	1056	idt, 장치 통합 기술 in inc	74LVCC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		74LVCC3245				트라이 트라이, 스테이트 반전	1		24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	31																		-		-	-												전압 전압	양방향	8	2.3 v ~ 3.6 v	3 V ~ 5.5 v
74CBTLV3257SA4Q	0.2400	RFQ	2	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					74CBTLV3257								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
IDT74LVC861AEPG	0.6100	RFQ	4	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					74LVC861								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
74FCT540PCTQ	-	RFQ	6985	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
ZSSC3240CI3W	5.6700	RFQ	6589	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-vfqfn 노출 패드	저항성	ZSSC3240	비슷한 비슷한		2.3 MA	i²c, spi			24-QFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,800
74FCT2373ATQG8	1.1400	RFQ	3	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)		74FCT2373				트라이 트라이		4.75V ~ 5.25V	20-QSOP	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	d- 타입 투명 타입			15ma, 12ma																										8 : 8	1	2ns
74ALVC16245A4PA	0.2700	RFQ	6317	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					74ALVC16245								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
QS33X257Q1G8	-	RFQ	1711	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-FSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)							3		48-QVSOP	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1						-	4pdt	8 : 4	15ohm	-	5V	-	5.2ns, 4.8ns	-	10pf	1µA	-
71T75802S133PFI	-	RFQ	3429	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		71T75802		SRAM- 동기, SDR (ZBT)				2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1																			133 MHz			휘발성 휘발성		18mbit				4.2 ns										SRAM	1m x 18	평행한	-
74FCT3244ZPG	0.2900	RFQ	14	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74LVC16245APVG	1.8600	RFQ	8169	idt, 장치 통합 기술 in inc	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)		74LVC16245	-			3 국가		2.7V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
74FCT388915TDPYG	57.0700	RFQ	887	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	마지막으로 마지막으로													-	Rohs3 준수	1 (무제한)	요청시 요청시 도달하십시오	2832-74FCT388915TDPYG	귀 99	8542.39.0001	1
74FCT240PATQ	-	RFQ	6803	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74CBTLV3125QG	1.1400	RFQ	41	idt, 장치 통합 기술 in inc	74CBTLV	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)	버스 버스	74CBTLV3125						2.3V ~ 3.6V	16-QSOP	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1				-																			단일 단일							1 x 1 : 1	4
71V3558S200pfg	-	RFQ	2631	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		71v3558		SRAM- 동기, SDR (ZBT)				3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1																			200MHz			휘발성 휘발성		4.5mbit				3.2 ns										SRAM	256k x 18	평행한	-
71024S12G	1.9600	RFQ	989	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비)		71024S		sram- 비동기				4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	154																						휘발성 휘발성		1mbit				12 ns										SRAM	128k x 8	평행한	12ns	확인되지 확인되지
QS3VH16800PAG	0.6700	RFQ	5	idt, 장치 통합 기술 in inc	3VH	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	버스 버스							2.3V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	39				-																			단일 단일							10 x 1 : 1	2
QS3VH245Z4PA	-	RFQ	6848	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					QS3VH245								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
42244K-5962-9301901M2A	6.0000	RFQ	127	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					42244K								다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74FCT16244CTPVG	1.3800	RFQ	6	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)		74FCT16244	-			3 국가		4.5V ~ 5.5V	48-ssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	4	4	32MA, 64MA
42244K	7.0000	RFQ	61	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					42244K								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
74FCT324444ASOG	1.0400	RFQ	4	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		74FCT3244	-			3 국가		2.7V ~ 3.6V	20-	다운로드					귀 99	8542.39.0001	289	버퍼, 반전 비	2	4	8ma, 24ma
71256S35TDB	-	RFQ	9340	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	28-CDIP (0.300 ", 7.62mm)		71256S		sram- 비동기				4.5V ~ 5.5V	28-cdip	다운로드					3A001A2C	8542.32.0041	1																						휘발성 휘발성		256kbit				35 ns										SRAM	32k x 8	평행한	35ns
74FCT823ATSOG	0.2900	RFQ	3	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입	74FCT823				트라이 트라이, 스테이트 반전		4.75V ~ 5.25V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		1	9	15MA, 48MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																				긍정적 긍정적 가장자리	20NS @ 5V, 300pf	1 MA		6 pf

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (2201)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²