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통합 통합 (ICS) (2201)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	-3dB 대역폭	스위치 스위치	멀티플렉서/demultiplexer 회로	온 온 저항 (최대)	채널 채널 채널 대 대 (Δron)	전압- 단일, 공급 (v+)	전압- 이중, 공급 (v ±)	스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대)	전하 전하	채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF))	전류- is (is (is)) (max)	Crosstalk	시계 시계	메모리 메모리	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	입력 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
74LVCR16245AXPA	0.2700	RFQ	8880	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					74LVCR162245									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			1
61823N	-	RFQ	7905	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인										확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)			0000.00.0000	1
60245D	-	RFQ	6674	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인										확인되지 확인되지				-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)				1
74FCT823ATSOG	0.2900	RFQ	3	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입	74FCT823				트라이 트라이, 스테이트 반전			4.75V ~ 5.25V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1		1	9	15MA, 48MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																	긍정적 긍정적 가장자리	20NS @ 5V, 300pf	1 MA		6 pf
QS3VH16800PAG	0.6700	RFQ	5	idt, 장치 통합 기술 in inc	3VH	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	버스 버스								2.3V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8542.39.0001	39				-																단일 단일							10 x 1 : 1	2
42244K-5962-9301901M2A	6.0000	RFQ	127	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					42244K									다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1
74FCT16244CTPVG	1.3800	RFQ	6	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)		74FCT16244	-			3 국가			4.5V ~ 5.5V	48-ssop	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	4	4	32MA, 64MA
QS3VH245Z4PA	-	RFQ	6848	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					QS3VH245									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			1
42244K	7.0000	RFQ	61	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					42244K									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			1
71256S35TDB	-	RFQ	9340	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	28-CDIP (0.300 ", 7.62mm)		71256S		sram- 비동기					4.5V ~ 5.5V	28-cdip	다운로드				3A001A2C	8542.32.0041	1																			휘발성 휘발성		256kbit				35 ns					SRAM	32k x 8	평행한	35ns
71024S12G	1.9600	RFQ	989	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비)		71024S		sram- 비동기					4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	다운로드				3A991B2A	8542.32.0041	154																			휘발성 휘발성		1mbit				12 ns					SRAM	128k x 8	평행한	12ns	확인되지 확인되지
74FCT324444ASOG	1.0400	RFQ	4	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		74FCT3244	-			3 국가			2.7V ~ 3.6V	20-	다운로드				귀 99	8542.39.0001	289	버퍼, 반전 비	2	4	8ma, 24ma
ZSSC4169DE1C	-	RFQ	8623	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	쟁반	활동적인					ZSSC4169					확인되지 확인되지				다운로드					0000.00.0000	4,730
74CBTLV3125QG	1.1400	RFQ	41	idt, 장치 통합 기술 in inc	74CBTLV	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)	버스 버스	74CBTLV3125							2.3V ~ 3.6V	16-QSOP	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1				-																단일 단일							1 x 1 : 1	4
74FCT240PATQ	-	RFQ	6803	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인														-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1
74FCT3244ZPG	0.2900	RFQ	14	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인														-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1
QS33X257Q1G8	-	RFQ	1711	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-FSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)								3		48-QVSOP	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1						-	4pdt	8 : 4	15ohm	-	5V	-	5.2ns, 4.8ns	-	10pf	1µA	-
71T75802S133PFI	-	RFQ	3429	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		71T75802		SRAM- 동기, SDR (ZBT)					2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다	3A991B2A	8542.32.0041	1																		133 MHz	휘발성 휘발성		18mbit				4.2 ns					SRAM	1m x 18	평행한	-
71V256SA12PZG8	3.6200	RFQ	2	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비)		71V256		sram- 비동기					3V ~ 3.6V	28-tsop	다운로드				3A991B2B	8542.32.0041	1																			휘발성 휘발성		256kbit				12 ns					SRAM	32k x 8	평행한	12ns
ZSSC3240CI3W	5.6700	RFQ	6589	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-vfqfn 노출 패드	저항성	ZSSC3240	비슷한 비슷한		2.3 MA	i²c, spi				24-QFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	1,800
71V3556S166PFGI	10.6800	RFQ	175	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		71v3556		SRAM- 동기, SDR (ZBT)					3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드				3A991B2A	8542.32.0041	1																		166 MHz	휘발성 휘발성		4.5mbit				3.5 ns					SRAM	128k x 36	평행한	-
71V416L10BE	8.3300	RFQ	406	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA		71v416L		sram- 비동기					3V ~ 3.6V	48-Cabga (9x9)	다운로드				3A991B2A	8542.32.0041	1																			휘발성 휘발성		4mbit				10 ns					SRAM	256k x 16	평행한	10ns
74FCT162823NBCTPV	0.5300	RFQ	2	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					74FCT162823									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1
71V65703S75PFI	6.0000	RFQ	128	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		71V65703		SRAM- 동기, SDR (ZBT)					3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다	3A991B2A	8542.32.0041	1																			휘발성 휘발성		9mbit				7.5 ns					SRAM	256k x 36	평행한	-
74FCT573CTSOG8	1.1400	RFQ	1	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		74FCT573				트라이 트라이			4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	d- 타입 투명 타입			15MA, 48MA																							8 : 8	1	1.5ns
74FCT374CTSOG	1.1400	RFQ	982	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입	74FCT374				트라이 트라이, 스테이트 반전			4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1		1	8	15MA, 48MA	기준																	긍정적 긍정적 가장자리	5.2ns @ 5V, 50pf	1 MA		6 pf
74FCT2373ATQG8	1.1400	RFQ	3	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)		74FCT2373				트라이 트라이			4.75V ~ 5.25V	20-QSOP	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	d- 타입 투명 타입			15ma, 12ma																							8 : 8	1	2ns
IDT74LVC861AEPG	0.6100	RFQ	4	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인					74LVC861									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		0000.00.0000	1
74FCT244PBATQ	0.2700	RFQ	5058	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인														-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.39.0001	1
ZSSC3135BA1B	2.7600	RFQ	8754	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	쟁반	활동적인					ZSSC3135									다운로드					0000.00.0000	2,800

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (2201)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²