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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	sic 프로그램 가능	pll	입력	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	차동 - 출력 : 입력	주파수 - 최대	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	분배기/승수	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
Cy62128bnll-55sit	1.2400	RFQ	875	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비)		Cy62128	sram- 비동기									4.5V ~ 5.5V	32-SOIC	다운로드		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2B	8542.32.0041	1,000															휘발성 휘발성	1mbit	55 ns	SRAM	128k x 8	평행한	55ns
CY2071ASC-455	-	RFQ	5038	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인							확인되지 확인되지										-							0000.00.0000	1
cy7c026av-25axi	52.0000	RFQ	8071	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		cy7c026	sram-이중-, 비동기									3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드		Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0041	90															휘발성 휘발성	256kbit	25 ns	SRAM	16k x 16	평행한	25ns
Cy7C1313CV18-167BZC	31.9600	RFQ	843	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1313	SRAM-동기, QDR II									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	10														167 MHz	휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	1m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy62146Ge30-45ZSXI	-	RFQ	1266	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		Cy62146	sram- 비동기									2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드								56															휘발성 휘발성	4mbit	45 ns	SRAM	256k x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
cy8c29666-24lfxi	-	RFQ	4862	Cypress Semiconductor Corp	PSOC®1 CY8C29XXX	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드		Cy8c29666											48-QFN (7x7)	다운로드		Rohs3 준수				귀 99	8542.31.0001	260	44	M8C	8 비트	24MHz	I²C, SPI, UART/USART	POR, PWM, WDT	32KB (32k x 8)	플래시	-	2k x 8	3V ~ 5.25V	A/D 12x14B; D/A 4x9b	내부									확인되지 확인되지
CY2071ASL-528	-	RFQ	9127	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인							확인되지 확인되지										-							0000.00.0000	1
Cy74FCT16373ETPAC	1.7300	RFQ	277	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인					74FCT16373												다운로드			공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-CY74FCT16373ETPAC-428			1
Cy7C1413JV18-300BZXC	67.2400	RFQ	210	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1413	SRAM-동기, QDR II									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드		Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	105														300MHz	휘발성 휘발성	36mbit		SRAM	2m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
S25FL127SABMFI100	3.0300	RFQ	570	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		S25FL127	플래시 - 아니오									2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드								100														108 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인되지 확인되지
793.559-00	-	RFQ	1104	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	sic에서 중단되었습니다																	-			공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
CY7B9910-2SXCT	9.5500	RFQ	132	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	팬 팬 버퍼 (분포), 제로 지연 버퍼	Cy7B9910			예	시계	TTL	1	1 : 8	아니오/아니요	80MHz	4.5V ~ 5.5V	24-SOIC	다운로드	아니오/아니요	Rohs3 준수						32																						확인되지 확인되지
Cy7C1382B-150AC	14.5700	RFQ	5055	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		Cy7c1382	sram-동기, sdr									3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1														150MHz	휘발성 휘발성	18mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-
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cy8ctma395-lti-00	7.5700	RFQ	50	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인							확인되지 확인되지										-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
Cy7C1565KV18-450BZC	517.1000	RFQ	64	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1565	SRAM-동기, QDR II+									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136														450MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
S34MS04G200BHV000	-	RFQ	1594	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA		S34MS04	플래시 - NAND									1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210															비 비	4gbit	45 ns	플래시	512m x 8	평행한	45ns
S25HL512TFANHI010	12.1400	RFQ	10	Cypress Semiconductor Corp	HL-T	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드		S25HL512	플래시 - 아니오									2.7V ~ 3.6V	8-wson (6x8)	다운로드								42														166 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인되지 확인되지
Cy7C09289V-7AC	50.4000	RFQ	48	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		Cy7c09289	sram-듀얼-, 동기									3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1														83MHz	휘발성 휘발성	1mbit	7.5 ns	SRAM	64k x 16	평행한	-
S29GL128S10TFIV10	13.1600	RFQ	7	Cypress Semiconductor Corp	GL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		S29GL128	플래시 - 아니오									1.65V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드		rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S29GL128S10TFIV10	3A991B1A	8542.32.0050	40															비 비	128mbit	100 ns	플래시	8m x 16	평행한	60ns	확인되지 확인되지
cy62157ev30ll-45zsxit	-	RFQ	5334	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		Cy62157	sram- 비동기									2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드								1															휘발성 휘발성	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
Cy2510ZC-1	1.3400	RFQ	320	Cypress Semiconductor Corp	Spread Aware ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	제로 제로 버퍼				예	lvcmos, lvttl	lvcmos, lvttl	1	2:11	아니오/아니요	140MHz	2.97V ~ 3.63V	24-TSSOP	다운로드	아니오/아니요	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
cy8c21323-24lfxi	-	RFQ	9765	Cypress Semiconductor Corp	PSOC®1 CY8C21XXX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-vfqfn 노출 패드		Cy8c21323											24-QFN (4x4)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				175	16	M8C	8 비트	24MHz	I²C, SPI, UART/USART	POR, PWM, WDT	4KB (4K X 8)	플래시	-	256 x 8	2.4V ~ 5.25V	A/D 8x8b	내부									확인되지 확인되지
Cy7c1460AV25-200BZC	54.3500	RFQ	170	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1460	sram-동기, sdr									2.375V ~ 2.625V	165-FBGA (15x17)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	105														200MHz	휘발성 휘발성	36mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
S34ML04G200TFA003	-	RFQ	3880	Cypress Semiconductor Corp	ML-2	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		S34ML04	플래시 - NAND									2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000															비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	25ns
Cy7c199L-20ZC	1.2300	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비)		Cy7c199	sram- 비동기									4.5V ~ 5.5V	28-tsop i	다운로드		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	1															휘발성 휘발성	256kbit	20 ns	SRAM	32k x 8	평행한	20ns
FM25V20A-DG	-	RFQ	5167	Cypress Semiconductor Corp	f-ram ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드		FM25V20	프램 (Ferroelectric RAM)									2V ~ 3.6V	8-DFN (5x6)	다운로드								1														40MHz	비 비	2mbit		프램	256k x 8	SPI	-	확인되지 확인되지
cy7c136-30nc	-	RFQ	7269	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	52-bqfp		cy7c136	sram-이중-, 비동기									4.5V ~ 5.5V	52-PQFP (10x10)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1															휘발성 휘발성	16kbit	30 ns	SRAM	2k x 8	평행한	30ns
S34MS01G200BHI900	-	RFQ	3702	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA		S34MS01	플래시 - NAND									1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210															비 비	1gbit	45 ns	플래시	128m x 8	평행한	45ns
Cy7C195-15VCT	3.1200	RFQ	27	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	24-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)		Cy7c195	sram- 비동기									4.5V ~ 5.5V	24-SOJ	다운로드		rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1,000															휘발성 휘발성	256kbit	15 ns	SRAM	64k x 4	평행한	15ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7564)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²