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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	sic 프로그램 가능	pll	입력	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	차동 - 출력 : 입력	주파수 - 최대	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	분배기/승수	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	i/o 수의	핵심 핵심	프로그램 프로그램 유형	램 램	규약	드라이버/수 수신기	이중	데이터 데이터	인터페이스	시계 시계	컨트롤러 컨트롤러	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
cy7c1399bl-15zxc	0.5900	RFQ	5	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비)		Cy7c1399	sram- 비동기									3V ~ 3.6V	28-tsop i	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0041	1												휘발성 휘발성	256kbit	15 ns	SRAM	32k x 8	평행한	15ns
cy7c1021b-12zxc	-	RFQ	3541	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		cy7c1021	sram- 비동기									4.5V ~ 5.5V	44-TSOP II	다운로드		Rohs3 준수				3A991B2B	8542.32.0041	142												휘발성 휘발성	1mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	평행한	12ns	확인되지 확인되지
FM24VN10-G	-	RFQ	3439	Cypress Semiconductor Corp	f-ram ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		FM24VN10	프램 (Ferroelectric RAM)									2V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드		rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2832-FM24VN10-G			1										3.4 MHz		비 비	1mbit	130 ns	프램	128k x 8	i²c	-	확인되지 확인되지
CY25100KSXI-030	6.2400	RFQ	369	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	스펙트럼 스펙트럼 생성기 클록				예	CMOS, 크리스탈	CMOS	1	1 : 2	아니오/아니요	200MHz	3.13V ~ 3.45V	8-SOIC	-	예/예				2156-CY25100KSXI-030			49
Cy62146Ge30-45ZSXI	-	RFQ	1266	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		Cy62146	sram- 비동기									2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드								56												휘발성 휘발성	4mbit	45 ns	SRAM	256k x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
S25FL164K0XMFI011	-	RFQ	8329	Cypress Semiconductor Corp	FL1-K	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		S25FL164	플래시 - 아니오									2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수			2832-S25FL164K0XMFI011			91										108 MHz		비 비	64mbit		플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o	3ms	확인되지 확인되지
CY7C1007B-15VC	7.3300	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)		CY7C1007	sram- 비동기									4.5V ~ 5.5V	28-SOJ	다운로드		rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		3A991B2B	8542.32.0041	1												휘발성 휘발성	1mbit	15 ns	SRAM	1m x 1	평행한	15ns
cy7c964a-gmb	-	RFQ	6065	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인						Cy7c964												-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
Cy7B933-400JC	-	RFQ	1826	Cypress Semiconductor Corp	Hotlink ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	28-LCC (J-Lead)	수화기											4.5V ~ 5.5V	28-PLCC (11.53x11.53)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		5A991B1	8542.39.0001	1					섬유질 섬유질	-	-	-
Cy23ep05SXI-1HT	12.9700	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	팬 팬 버퍼 (분포), 제로 지연 버퍼	cy23ep05			예	lvcmos, lvttl	LVCMOS	1		아니오/아니요	200MHz, 220MHz	2.5V, 3.3V	8-SOIC	다운로드	아니오/아니요							24																			확인되지 확인되지
cy7c67300-100axi	13.2000	RFQ	6	Cypress Semiconductor Corp	EZ-Host ™	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	USB 호스트/호스트 컨트롤러	표면 표면	100-lqfp		Cy7c67300										3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				1	32	Cy16	ROM (8KB)	16k x 8					SPI 직렬, USB, HPI		cy7c673xx								확인되지 확인되지
CG6851AM	-	RFQ	1118	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																		-		적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0041	1
CS4567AFT	-	RFQ	3053	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																		-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1,000
Cy7C1313CV18-167BZC	31.9600	RFQ	843	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	165-lbga		Cy7c1313	SRAM-동기, QDR II									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	10										167 MHz		휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	1m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
CG7137AA	-	RFQ	4438	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인																		-		적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
cy7c036av-25ac	23.6600	RFQ	53	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp		cy7c036	sram-이중-, 비동기									3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2B	8542.32.0041	1												휘발성 휘발성	288kbit	25 ns	SRAM	16k x 18	평행한	25ns
Cy22392ZXI-388	8.4000	RFQ	23	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		Cy22392											16-TSSOP	다운로드								36																			확인되지 확인되지
CY29942AC	-	RFQ	1669	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	32-LQFP	팬 팬 버퍼 (배포)					lvcmos, lvttl	lvcmos, lvttl	1	1:18	아니오/아니요	200MHz	2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V	32-TQFP (7x7)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
Cy62256-70SNI	-	RFQ	9457	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		Cy62256	sram- 비동기									4.5V ~ 5.5V	28 -Soic	다운로드		rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1												휘발성 휘발성	256kbit	70 ns	SRAM	32k x 8	평행한	70ns
cy8ctst100-00lfxi	40.0000	RFQ	5	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								확인되지 확인되지										-		Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.31.0001	1
S26KL512SDABHI030	9.6200	RFQ	547	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KL	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-VBGA		S26KL512	플래시 - 아니오									2.7V ~ 3.6V	24-FBGA (6x8)	다운로드		rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0050	1										100MHz		비 비	512mbit	96 ns	플래시	64m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7c15632kv18-500bzxi	282.2400	RFQ	627	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	165-lbga		Cy7c15632	SRAM-동기, QDR II+									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드								136										500MHz		휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	4m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
S34SL02G200BHI000	-	RFQ	4645	Cypress Semiconductor Corp	SL-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	63-VFBGA		S34SL02	플래시 - NAND									2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210												비 비	2gbit	25 ns	플래시	256m x 8	평행한	-
CS4951CMT	-	RFQ	9994	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																		-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0041	1,000
CY27C512-45ZC	3.7300	RFQ	97	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		CY27C512	eprom -otp									4.5V ~ 5.5V	32-tsop i	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1												비 비	512kbit	45 ns	eprom	64k x 8	평행한	-
Cy7S1041G30-10BVXI	-	RFQ	6033	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-VFBGA		Cy7S1041	sram- 비동기									2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드								50												휘발성 휘발성	4mbit	10 ns	SRAM	256k x 16	평행한	10ns	확인되지 확인되지
cy7c2265kv18-400bzxi	-	RFQ	1946	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	165-lbga		Cy7c2265	SRAM-동기, QDR II+									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드		rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				1										400MHz		휘발성 휘발성	36mbit		SRAM	1m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
S34MS02G200GHV000	-	RFQ	9092	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	67-VFBGA		S34MS02	플래시 - NAND									1.7V ~ 1.95V	67-BGA (8x6.5)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	260												비 비	2gbit	45 ns	플래시	256m x 8	평행한	45ns
Cy7C1313KV18-333BZC	30.6800	RFQ	281	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	165-lbga		Cy7c1313	SRAM-동기, QDR II									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	10										333 MHz		휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	1m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
S34ML01G100BHA003	-	RFQ	3582	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	63-VFBGA		S34ML01	플래시 - NAND									2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,300												비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	25ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7564)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²