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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	sic 프로그램 가능	pll	입력	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	차동 - 출력 : 입력	주파수 - 최대	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	분배기/승수	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	데이터 데이터	시계 시계	프로그래밍 프로그래밍 유형	마크로셀의 마크로셀의	지연 지연 TPD (1) 최대	전압 전압 - 공급	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
Cy37064VP48-100BAC	5.0400	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA				확인되지 확인되지									48-FBGA (7x7)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1		37															CMOS	64	12 ns	4.75V ~ 5.25V
cy8c21534-24pvxi	3.8200	RFQ	115	Cypress Semiconductor Corp	PSOC®1 CY8C21XXX	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)		Cy8c21534											28-SSOP	다운로드		rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				79		24	M8C	8 비트	24MHz	I²C, SPI, UART/USART	POR, PWM, WDT	8KB (8K X 8)	플래시	-	512 x 8	2.4V ~ 5.25V	A/D 28x8b	내부																				확인
Cy7B9940V-2AXC	-	RFQ	3688	Cypress Semiconductor Corp	Roboclockii ™ 주니어	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	44-LQFP	팬 팬 버퍼 (분포), 제로 지연 버퍼	Cy7B9940			예	lvpecl, lvttl	lvttl	1	4:10	예/아니오	200MHz	2.97V ~ 3.63V	44-TQFP (10x10)	다운로드	예/아니오	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	160																																		확인되지 확인되지
Cy7C1315CV18-250BZXC	34.9300	RFQ	147	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1315	SRAM-동기, QDR II									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드		Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	9																250MHz					휘발성 휘발성	18mbit								SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy8c4146azq-s433	16.8000	RFQ	5081	Cypress Semiconductor Corp	PSOC® 4 Cy8C4100S Plus	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP		Cy8c4146											64-TQFP (10x10)	다운로드		Rohs3 준수			2832-CY8C4146AZQ-S433			250		36	ARM® Cortex®-M0+	32 비트 싱글 비트	48MHz	I²C, Irda, Linbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART	Brown-Out Detect/Reset, Capsense, LVD, POR, PWM, Wdt	64KB (64K X 8)	플래시	-	8k x 8	1.71V ~ 5.5V	A/D 16x10b, 16x12b SAR; d/a 2x7b	내부																				확인되지 확인되지
S26KL512SDABHV020	10.4400	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KL	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA		S26KL512	플래시 - 아니오									2.7V ~ 3.6V	24-FBGA (6x8)	다운로드						3A991B1A	8542.32.0071	29																100MHz					비 비	512mbit	96 ns							플래시	64m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
cy8c4a45lqi-483	12.8800	RFQ	47	Cypress Semiconductor Corp	PSOC® 4 Cy8c4axx	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-ufqfn 노출 패드		cy8c4a45											48-QFN (6x6)	다운로드		rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-CY8C4A45LQI-483	3A991A3	8542.31.0000	39		38	ARM® Cortex®-M0+	32 비트 싱글 비트	48MHz	I²C, Irda, Linbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART	Brown-Out Detect/Reset, Capsense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT	32KB (32k x 8)	플래시	-	4K X 8	1.71V ~ 5.5V	A/D 16x10b, 8x12b SAR; d/a 2x7b, 2x13b	내부																				확인되지 확인되지
Cy7C1418SV18-250BZC	48.6000	RFQ	84	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1418	SRAM-동기, DDR II									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1																250MHz					휘발성 휘발성	36mbit								SRAM	2m x 18	평행한	-
cy7c1371d-133axc	-	RFQ	9292	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		Cy7c1371	sram-동기, sdr									3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드		Rohs3 준수			2832-CY7C1371D-133AXC			72																133 MHz					휘발성 휘발성	18mbit	6.5 ns							SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c09289v-9axc	-	RFQ	1018	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		Cy7c09289	sram-듀얼-, 동기									3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드		Rohs3 준수				3A991B2B	8542.32.0041	90																67 MHz					휘발성 휘발성	1mbit	9 ns							SRAM	64k x 16	평행한	-	확인되지 확인되지
CY62137CVSL-70BAIT	1.3500	RFQ	255	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA		Cy62137	sram- 비동기									2.7V ~ 3.6V	48-FBGA (7x7)	다운로드		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1																					휘발성 휘발성	2mbit	70 ns							SRAM	128k x 16	평행한	70ns
Cy7C09389V-7AC	-	RFQ	4415	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		Cy7c09389	sram-듀얼-, 동기									3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1																83MHz					휘발성 휘발성	1.152mbit	7.5 ns							SRAM	64k x 18	평행한	-
S25FL256LAGBHV020	5.0500	RFQ	760	Cypress Semiconductor Corp	FL-L	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA		S25FL256	플래시 - 아니오									2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	다운로드								60																133 MHz					비 비	256mbit								플래시	32m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-	확인되지 확인되지
CY25033KSXC-1	-	RFQ	7014	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																	-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
cy7c429-65ac	7.9400	RFQ	251	Cypress Semiconductor Corp	cy7c	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-TQFP		7C429		확인되지 확인되지								4.5 V ~ 5.5 v	32-TQFP (7x7)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1	비동기														12.5MHz							2k x 9	65ns	35MA	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
M602LFXI	2.1300	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																	-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
cy7c271a-30jc	-	RFQ	1829	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)				cy7c271	eprom -otp									4.5V ~ 5.5V		-		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1																					비 비	256kbit	30 ns							eprom	32k x 8	평행한	-
Cy7C15631KV18-450BZC	205.8600	RFQ	4	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		표면 표면	165-lbga		Cy7c15631											165-FBGA (13x15)	-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
Cy7C1381BV25-100AC	14.5700	RFQ	63	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		Cy7c1381	sram-동기, sdr									2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x20)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1																100MHz					휘발성 휘발성	18mbit	8.5 ns							SRAM	512k x 36	평행한	-
cy7b9950axc	33.9900	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	RoboClock ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-TQFP	클럭 클럭, 버퍼 아웃 분포	CY7B9950			예	lvcmos, lvttl	lvttl	1	1 : 8	아니오/아니요	200MHz	2.375V ~ 3.63V	32-TQFP (7x7)	다운로드	예/예	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				9																																		확인되지 확인되지
Cy2v995ai	4.3800	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-TQFP	제로 제로 버퍼					lvcmos, lvttl	lvttl	1	2 : 8	아니오/아니요	200MHz	2.375V ~ 2.625V, 2.97V ~ 3.63V	44-TQFP (10x10)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
CG6123AAT	-	RFQ	3729	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																	-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				500
S29GL01GT10DHI010	-	RFQ	7007	Cypress Semiconductor Corp	GL-T	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga		S29GL01	플래시 - 아니오									2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (9x9)	다운로드		rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				1																					비 비	1gbit	100 ns							플래시	128m x 8	평행한	60ns	확인되지 확인되지
S99ML01G10043	-	RFQ	7207	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	sic에서 중단되었습니다																	-		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1
Cy7C1412B18-200BZC	44.8600	RFQ	67	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1412	SRAM-동기, QDR II									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	7																200MHz					휘발성 휘발성	36mbit								SRAM	2m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
CY27C256-150PC	-	RFQ	9858	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	28-DIP (0.600 ", 15.24mm)		CY27C256	eprom -otp									4.5V ~ 5.5V	28-PDIP	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1																					비 비	256kbit	150 ns							eprom	32k x 8	평행한	-
cy7c1363c-133ajxc	11.3600	RFQ	271	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		Cy7c1363	sram-동기, sdr									3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				27																133 MHz					휘발성 휘발성	9mbit	6.5 ns							SRAM	512k x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C2670KV18-550BZI	-	RFQ	3093	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c2670	SRAM-동기, DDR II+									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드						3A991B2A	8542.32.0041	1																550MHz					휘발성 휘발성	144mbit								SRAM	4m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy62256VL-70SNCT	0.9900	RFQ	6	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		Cy62256	sram- 비동기									2.7V ~ 3.6V	28 -Soic	다운로드		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0041	1,000																					휘발성 휘발성	256kbit	70 ns							SRAM	32k x 8	평행한	70ns
Cy7c1320JV18-250BZXI	35.7800	RFQ	20	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1320	SRAM-동기, DDR II									1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드		Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	9																250MHz					휘발성 휘발성	18mbit								SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7564)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²