| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 기술 | 현재 - 공급 | 출력으로 | PLL | 입력 | 널리 | 회로 수 | 입력 - 입력:출력 | 차동 - 입력:출력 | 정글 - 최대 | 전압 - 공급 | 공급자 장치 | 데이터시트 | 분배기/승수 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 수요소 | 요소당 비트 수 | 현재 - 인텐음, 미음 | 기능 | 입력할 수 있다 | I/O 수 | 코어 프로세서 | 코어 크기 | 속도 | 연결성 | 주변기기 | 프로그램 메모리 크기 | 프로그램 메모리 유형 | EEPROM 크기 | RAM 크기 | 전압 - 공급(Vcc/Vdd) | 변환기 변환기 | 발진 | 규약 | 드라이버/리시버 수 | 듀플렉스 | 데이터 속도 | 인터페이스 | 클럭킹 | 느낌이 좋다 | 치료 | LED 드라이버 채널 | 메모리 종류 | 메모리 크기 | 대처하다 | 힘껏 유도 @ V, 최대 CL | 현재 - 대기(Iq) | 접속시간 | 입력 커패시턴스 | 메모리 형식 | 기억 정리 | 메모리 인터페이스 | 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지 | SIC 프로그래밍 가능 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1393CV18-250BXZC | 30.0200 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1393 | SRAM - 동기식, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250MHz | 항체를 제거하세요 | 16Mbit | 스램 | 2M x 8 | 불편한 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021CV33-15VI | 0.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 44-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1021 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 44-SOJ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 15ns | 스램 | 64K x 16 | 불편한 | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GP12TFI020 | 16.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | GL-P | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | S29GL01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2832-S29GL01GP12TFI020 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 30 | 비대하다 | 1Gbit | 120ns | 플래시 | 128M x 8 | 불편한 | 120ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B952-SC | 14.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 24-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | 트랜시버 | 4.5V ~ 5.5V | 24-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 1 | 소넷/SDH | 1/1 | 가득 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021CV33-15ZCT | 0.8800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1021 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 15ns | 스램 | 64K x 16 | 불편한 | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W320-04X | 2.0700 | ![]() | 4159 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 56-TFSOP(0.240", 6.10mm 폭) | 클록 드라이버, 클록 신디사이저, 폭발 스펙트럼 C | 예 | 결정 | LVCMOS | 1 | 1:22 | 아니오/아니오 | 200MHz | 3.135V ~ 3.465V | 56-TSSOP II | 다운로드 | 예/아니요 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7881AT | 1.0000 | ![]() | 3879 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 해당 없음 | 1 | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22391KLTXC-02 | 2.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C09179V-12AXC | 27.4100 | ![]() | 448 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C09179 | SRAM - 듀얼포트, 동기식 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0041 | 11 | 50MHz | 항체를 제거하세요 | 288Kbit | 12ns | 스램 | 32K x 9 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1019BV33-10VC | 1.2100 | ![]() | 598 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 32-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1019 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 2(1년) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 10ns | 스램 | 128K x 8 | 불편한 | 10ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY9BF122KQN-G-AVE2 | 3.8400 | ![]() | 229 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FM3 MB9B120M | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 48-VFQFN 보조형 패드 | CY9BF122 | 48-QFN(7x7) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-CY9BF122KQN-G-AVE2 | 79 | 35 | ARM® Cortex®-M3 | 32비트 싱글 코어 | 72MHz | CSIO, I²C, LINbus, UART/USART | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 160KB(160K x 8) | 플래시 | - | 16K x 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 14x12b; D/A 2x10b | 내부 | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0833V-100BBIMG | 235.9900 | ![]() | 245 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 144-LBGA | CY7C0833 | SRAM - 듀얼포트, 동기식 | 3.135V ~ 3.465V | 144-FBGA(13x13) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 항체를 제거하세요 | 9Mbit | 스램 | 512K x 18 | 불편한 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG5816AAT | - | ![]() | 8935 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20142-SX1I | 1.1500 | ![]() | 336 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | CapSense® Express™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | 버튼 | 1.5mA | 2.4V ~ 5.25V | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.32.0071 | 336 | 최대 4개 | I²C | 아니요 | - | 최대 4개 | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY29947AXC | - | ![]() | 4234 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C | 표면 실장 | 32-TQFP | 팬아웃 회수(분배), 멀티플렉서 | CY29947 | LVCMOS, LVTTL | LVCMOS, LVTTL | 1 | 2:9 | 예/아니요 | 200MHz | 2.375V ~ 3.63V | 32-TQFP(7x7) | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20424-12LKXI | 2.1900 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | PSOC®1 CY8C20xxx | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 32-UFQFN 보조형 패드 | CY8C20424 | 32-QFN(5x5) | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.31.0001 | 137 | 28 | M8C | 8비트 | 12MHz | I²C, SPI | LVD, POR, WDT | 8KB(8K x 8) | 플래시 | - | 512x8 | 2.4V ~ 5.25V | - | 내부 | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PY28405OC-3 | 2.9400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G104TFA013 | - | ![]() | 6504 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | ML-1 | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | S34ML02 | 플래시 - 낸드 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비대하다 | 2Gbit | 플래시 | 128M x 16 | 불편한 | 25ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGMFIG11 | 1900년 13월 13일 | ![]() | 457 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-S | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | S25FL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 해당사항 없음 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2832-S25FL128SAGMFIG11 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 38 | 133MHz | 비대하다 | 128Mbit | 플래시 | 16M x 8 | SPI - 쿼드 I/O | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29PL064J70BAI120 | 8.2700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | PL-J | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-VFBGA | S29PL064 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA(8.15x6.15) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 2832-S29PL064J70BAI120 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 61 | 비대하다 | 64Mbit | 70ns | 플래시 | 4Mx16 | 불편한 | 70ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1046CV33-12VCT | 2.0400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 32-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1046 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 12ns | 스램 | 1M x 4 | 불편한 | 12ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1362A-200BGC | 9.3100 | ![]() | 298 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 119-BGA | CY7C1362 | SRAM - 동기식, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 119-PBGA(14x22) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200MHz | 항체를 제거하세요 | 9Mbit | 3ns | 스램 | 512K x 18 | 불편한 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1163KV18-550BZC | 56.9000 | ![]() | 273 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1163 | SRAM - 동기식, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | 다운로드 | 6 | 550MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 스램 | 1M x 18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S26KS512SDABHV030 | - | ![]() | 5804 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | 하이퍼플래시™ KS | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 24-VBGA | S26KS512 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-FBGA(6x8) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | 100MHz | 비대하다 | 512Mbit | 96ns | 플래시 | 64M x 8 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1460AV25-167AXC | 55.8900 | ![]() | 507 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | NoBL™ | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1460 | SRAM - 동기식, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP(14x20) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1 | 167MHz | 항체를 제거하세요 | 36Mbit | 3.4ns | 스램 | 1M x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML01G100TFV000 | - | ![]() | 6857 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | ML-1 | 쟁반 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | S34ML01 | 플래시 - 낸드 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비대하다 | 1Gbit | 플래시 | 128M x 8 | 불편한 | 25ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128P0XNFI001 | 5.0600 | ![]() | 1870년 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-P | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 8-WDFN옆패드 | S25FL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-WSON(6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 82 | 104MHz | 비대하다 | 128Mbit | 플래시 | 16M x 8 | SPI | 3ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041CV33-20ZC | 3.6800 | ![]() | 52 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1041 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 82 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 20ns | 스램 | 256K x 16 | 불편한 | 20ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP7416AT | - | ![]() | 5141 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT823ATQCT | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | 74FCT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 24-SSOP(0.154", 3.90mm 폭) | D형 | 74FCT823 | 3상태, 비반전 | 4.75V ~ 5.25V | 24-SSOP | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 | 9 | 32mA, 64mA | 마스터 리셋 | 포지티브에지 | 20ns @ 5V, 300pF | 200μA | 5pF |

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