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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전류 - 공급	출력 출력	sic 프로그램 가능	pll	입력	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	차동 - 출력 : 입력	주파수 - 최대	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	분배기/승수	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	데이터 데이터	인터페이스	시계 시계	해상도 (비트)	메모리 메모리	터치 터치	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
Cy7b992-2Jct	13.3400	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	팬 팬 버퍼 (분포), 제로 지연 버퍼						예	CMOS	CMOS	1	1 : 8	아니오/아니요	80MHz	4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (11.43x13.97)	다운로드	예/예	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	750
Cy7C1625KV18-300BZXC	286.7200	RFQ	425	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c1625	SRAM-동기, QDR II											1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드		Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	105							300MHz		휘발성 휘발성			144mbit												SRAM	16m x 9	평행한	-	확인되지 확인되지
CY74FCT162823CTPVC	0.6800	RFQ	18	Cypress Semiconductor Corp	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입	74FCT162823			트라이 트라이, 스테이트 반전									4.5V ~ 5.5V	56-ssop	다운로드		rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	2	9	24MA, 24MA	마스터 마스터									긍정적 긍정적 가장자리	12.5ns @ 5V, 300pf	500 µA								4.5 pf
CG7828AA	-	RFQ	7751	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인									확인되지 확인되지										-							0000.00.0000	1
S34ML02G200TFB000	-	RFQ	5955	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, ML-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		S34ML02	플래시 - NAND											2.7V ~ 3.6V	48-tsop	-		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	96									비 비			2gbit												플래시	256m x 8	평행한	25ns
Cyd18S72V-100BBC	328.9100	RFQ	124	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	484-BGA		Cyd18S72	sram-듀얼-, 동기											3.135V ~ 3.465V	484-FBGA (23x23)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				1							100MHz		휘발성 휘발성			18mbit												SRAM	256k x 72	평행한	-	확인되지 확인되지
CS7226AAT	-	RFQ	8059	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																			-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
cy7c1311kv18-250bzc	-	RFQ	8789	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		cy7c1311	SRAM-동기, QDR II											1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드								13							250MHz		휘발성 휘발성			18mbit												SRAM	2m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
cywusb6935-48ltxckg	-	RFQ	9500	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																			-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
Cy7c421-25Jct	3.4000	RFQ	468	Cypress Semiconductor Corp	cy7c	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-LCC (J-Lead)		7C421				확인되지 확인되지								4.5 V ~ 5.5 v	32-PLCC (11.43x13.97)	다운로드		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0071	750				비동기	28.5MHz							512 x 9				25ns	50ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
Cy7c1062AV25-10BGC	17.6600	RFQ	21	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	119-bga		cy7c1062	sram- 비동기											2.4V ~ 2.6V	119-PBGA (14x22)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1									휘발성 휘발성			16mbit				10 ns								SRAM	512k x 32	평행한	10ns
S26KS128SDPBHN020	7.4200	RFQ	658	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KS	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA		S26KS128	플래시 - 아니오											1.7V ~ 1.95V	24-FBGA (6x8)	다운로드								100							166 MHz		비 비			128mbit				96 ns								플래시	16m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c1168kv18-550bzxc	62.6000	RFQ	276	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		cy7c1168	SRAM-동기, DDR II+											1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드								5							550MHz		휘발성 휘발성			18mbit												SRAM	1m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7c057V-15BBI	63.3400	RFQ	9027	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	172-lbga		cy7c057	sram-이중-, 비동기											3V ~ 3.6V	172-FBGA (15x15)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	1									휘발성 휘발성			1.152mbit				15 ns								SRAM	32k x 36	평행한	15ns
cy7c1046cv33-10vc	2.1300	RFQ	262	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비)		cy7c1046	sram- 비동기											3V ~ 3.6V	32-SOJ	다운로드		rohs 비준수	2 (1 년)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1									휘발성 휘발성			4mbit				10 ns								SRAM	1m x 4	평행한	10ns
Cyd18S72V18-200BGXI	466.6700	RFQ	722	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	484-FBGA		Cyd18S72	sram-듀얼-, 동기											1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V	484-PBGA (27x27)	다운로드		Rohs3 준수			-CYD18S72V18	3A991B2A	8542.32.0041	60							200MHz		휘발성 휘발성			18mbit				3.3 ns								SRAM	256k x 72	평행한	-
Cy2305SXI-1HKA	2.1000	RFQ	190	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	제로 제로 버퍼						예 예 패스로	lvcmos, lvttl	LVCMOS	1	1 : 5	아니오/아니요	133.33MHz	3V ~ 3.6V	16-	-	아니오/아니요				2156-CY2305SXI-1HKA			190
5962-8981702YA	198.6600	RFQ	8	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	28-cflatpack, 창		5962-8981702	eprom -uv											4.5V ~ 5.5V	28-cflatpack	다운로드		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A001A2C	8542.32.0071	1									비 비			256kbit				45 ns								eprom	32k x 8	평행한	-
CP7408KGA	-	RFQ	4677	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																			-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.31.0001	1
cy7c1041bv33l-12zxc	11.7300	RFQ	351	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		cy7c1041	sram- 비동기											3V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1									휘발성 휘발성			4mbit				12 ns								SRAM	256k x 16	평행한	12ns
Cy27C256A-90ZC	2.1900	RFQ	5180	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		CY27C256	eprom -otp											4.5V ~ 5.5V	32-tsop i	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1									비 비			256kbit				90 ns								eprom	32k x 8	평행한	-
cy7c199cnl-15vxc	-	RFQ	2790	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)		Cy7c199	sram- 비동기											4.5V ~ 5.5V	28-SOJ	다운로드		Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0041	1,350									휘발성 휘발성			256kbit				15 ns								SRAM	32k x 8	평행한	15ns	확인되지 확인되지
S26KL256SDABHI030	-	RFQ	5213	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KL	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA		S26KL256	플래시 - 아니오											2.7V ~ 3.6V	24-FBGA (6x8)	다운로드		rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2166-S26KL256SDABHI030-428			1							100MHz		비 비			256mbit				96 ns								플래시	32m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
cy8ctmg100-00lfxi	40.0000	RFQ	11	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-ufqfn 노출 패드				1 MA										2.4V ~ 5.25V	32-QFN (5x5)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991A3	8542.31.0001	1						i²c		-		-	내부
S34ML08G201TFI003	-	RFQ	6224	Cypress Semiconductor Corp	ML-2	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		S34ML08	플래시 - NAND											2.7V ~ 3.6V	48-tsop	-		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000									비 비			8gbit												플래시	1g x 8	평행한	25ns
S29GL128S10TFI020	50.0000	RFQ	10	Cypress Semiconductor Corp	GL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		S29GL128	플래시 - 아니오											2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드		rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S29GL128S10TFI020	3A991B1A	8542.32.0050	22									비 비			128mbit				100 ns								플래시	8m x 16	평행한	60ns	확인
Cy27020SXCKP	3.0400	RFQ	289	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	스펙트럼 스펙트럼 생성기 클록						예	시계, 크리스탈	시계	1	1 : 2	아니오/아니요	48MHz	2.97V ~ 3.63V	8-SOIC	-	아니오/아니요				2156-CY27020SXCKP			99
cy14b256q1a-sxi	6.7900	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		Cy14B256	nvsram (r 휘발성 sram)											2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0041	45							40MHz		비 비			256kbit												nvsram	32k x 8	SPI	-	확인되지 확인되지
Cy7c4245-15AC	18.0000	RFQ	5	Cypress Semiconductor Corp	cy7c	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP		7C4245				확인되지 확인되지								3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (14x14)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1				동기	66.7MHz							4K X 18				10ns	45MA	단방향	깊이, 너비	예	예	아니요
cy7c2565kv18-500bzi	757.0900	RFQ	16	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c2565	SRAM-동기, QDR II+											1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136							500MHz		휘발성 휘발성			72mbit												SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7564)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²