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![]() | Cy14B116L-ZS25XI | - | ![]() | 3721 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | Cy14B116 | nvsram (r 휘발성 sram) | 2.7V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | 5 | 비 비 | 16mbit | 25 ns | nvsram | 2m x 8 | 평행한 | 25ns | 확인되지 확인되지 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cy8c27643-24ltxihg | - | ![]() | 7260 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | PSOC®1 CY8C27XXX | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-vfqfn 노출 패드 | Cy8c27643 | 48-QFN (7x7) | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 0000.00.0000 | 1 | 44 | M8C | 8 비트 | 24MHz | I²C, SPI, UART/USART | POR, PWM, WDT | 16KB (16k x 8) | 플래시 | - | 256 x 8 | 3V ~ 5.25V | A/D 4X14B; D/A 4x9b | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | Cy2292SL-1U3 | - | ![]() | 2934 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | 대부분 | 활동적인 | 확인되지 확인되지 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | cy62167ev18ll-55bvxi | - | ![]() | 7044 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Mobl® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | Cy62167 | sram- 비동기 | 1.65V ~ 2.25V | 48-VFBGA (6x8) | 다운로드 | 1 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 평행한 | 55ns | 확인되지 확인되지 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PY25010SC-1 | - | ![]() | 9206 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | 대부분 | 활동적인 | 확인되지 확인되지 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | cy62126ev30ll-55zsxe | 4.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Mobl® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | Cy62126 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | 67 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 55 ns | SRAM | 64k x 16 | 평행한 | 55ns | 확인되지 확인되지 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM24CL64B-DG | - | ![]() | 8617 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | f-ram ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | FM24CL64 | 프램 (Ferroelectric RAM) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN (4x4.5) | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.32.0070 | 65 | 1MHz | 비 비 | 64kbit | 550 ns | 프램 | 8k x 8 | i²c | - | 확인되지 확인되지 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | S25FL064P0XNFI003 | 41.6700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FL-P | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | S25FL064 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2832-S25FL064P0XNFI003-TR | 12 | 104 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | spi-쿼드 i/o | 5µs, 3ms | 확인되지 확인되지 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PCY28324PVCT | 2.1700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1350S-133AXC | 6.3300 | ![]() | 640 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | Cy7c1350 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | 48 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 4 ns | SRAM | 128k x 36 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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