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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	데이터 데이터	시계 시계	프로그래밍 프로그래밍 유형	마크로셀의 마크로셀의	지연 지연 TPD (1) 최대	전압 전압 - 공급	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
Cy7C1512V18-167BZXC	129.4200	RFQ	218	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1512	SRAM-동기, QDR II		1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	105																167 MHz					휘발성 휘발성	72mbit								SRAM	4m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
S29GL01GT11TFIV10	11.2100	RFQ	437	Cypress Semiconductor Corp	GL-T	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S29GL01	플래시 - 아니오		1.65V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드							27																					비 비	1gbit	110 ns							플래시	128m x 8	평행한	60ns	확인되지 확인되지
Cy7C141-45JC	8.7000	RFQ	300	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	52-LCC (J-Lead)	Cy7c141	sram-이중-, 비동기		4.5V ~ 5.5V	52-PLCC (19.13x19.13)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1																					휘발성 휘발성	8kbit	45 ns							SRAM	1K X 8	평행한	45ns
CG7825AA	-	RFQ	9969	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는									-	적용 적용 수 할						42																																		확인되지 확인되지
CYPD11222-40LQXI	-	RFQ	8222	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
Cy7c1347S-166axc	5.4300	RFQ	357	Cypress Semiconductor Corp	-	가방	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1347	sram-동기, sdr		3.15V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	-	적용 적용 수 할				3A991B2A		56																166 MHz					휘발성 휘발성	4.5mbit	3.5 ns							SRAM	128k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
CY2081SL-552	1.4700	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
S34ML04G200BHI900	-	RFQ	1814	Cypress Semiconductor Corp	ML-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34ML04	플래시 - NAND		2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210																					비 비	4gbit								플래시	512m x 8	평행한	25ns
cy621472e30ll-45zsxa	-	RFQ	8813	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	Cy621472	sram- 비동기		2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	-							1																					휘발성 휘발성	4mbit	45 ns							SRAM	256k x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
cy7c027v-15axi	60.0000	RFQ	4545	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	cy7c027	sram-이중-, 비동기		3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2B	8542.32.0041	90																					휘발성 휘발성	512kbit	15 ns							SRAM	32k x 16	평행한	15ns
S29GL128S11FHIV10	4.0000	RFQ	3040	Cypress Semiconductor Corp	GL-S	대부분	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL128	플래시 - 아니오		1.65V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	Rohs3 준수			2832-S29GL128S11FHIV10			1																					비 비	128mbit	110 ns							플래시	8m x 16	평행한	60ns	확인되지 확인되지
cy7c1350g-166axi	5.9300	RFQ	395	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1350	sram-동기, sdr		3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	51																166 MHz					휘발성 휘발성	4.5mbit	3.5 ns							SRAM	128k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C1412KV18-333BZC	51.6500	RFQ	100	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1412	SRAM-동기, QDR II		1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							6																333 MHz					휘발성 휘발성	36mbit								SRAM	2m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy37128VP160-83AXC	14.1600	RFQ	184	Cypress Semiconductor Corp	Ultra37000 ™	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	160-LQFP	Cy37128				160-TQFP (24x24)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	22		133															CMOS	128	15 ns	3V ~ 3.6V														확인되지 확인되지
cy8c4125axi-m445	3.6500	RFQ	135	Cypress Semiconductor Corp	PSOC® 4 CY8C41XX -M	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP	Cy8c4125				64-TQFP (14x14)	다운로드							83		51	ARM® Cortex®-M0	32 비트 싱글 비트	24MHz	I²C, Irda, Linbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART	Brown-Out Detect/Reset, Capsense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT	32KB (32k x 8)	플래시	-	4K X 8	1.71V ~ 5.5V	A/D 16x12b SAR; 2xidac	내부																				확인되지 확인되지
Cy7c4231-15JC	11.0700	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	cy7c	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	7C4231		확인되지 확인되지	4.5 V ~ 5.5 v	32-PLCC (11.43x13.97)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1	동기														66.7MHz							2k x 9	10ns	35MA	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
S34MS02G200TFI000	2.8200	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S34MS02	플래시 - NAND		1.7V ~ 1.95V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수			2832-S34MS02G200TFI000	3A991B1A	8542.32.0071	1																					비 비	2gbit	45 ns							플래시	256m x 8	평행한	45ns
TST241-LQI-01	2.8400	RFQ	290	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인				TST241					다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-TST241-LQI-01-428			1
cy7c1381d-133axc	39.7400	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1381	sram-동기, sdr		3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수			2832-CY7C1381D-133AXC			13																133 MHz					휘발성 휘발성	18mbit	6.5 ns							SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy8c28623-24ltxi	-	RFQ	8440	Cypress Semiconductor Corp	PSOC®1 CY8C28XXX	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드	cy8c28623				48-QFN (7x7)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.31.0001	70		44	M8C	8 비트	24MHz	i²c, irda, spi, uart/usart	LVD, POR, PWM, WDT	16KB (16k x 8)	플래시	-	1K X 8	3V ~ 5.25V	A/D 4X14B; D/A 4x9b	내부																				확인되지 확인되지
CG6253AAT	-	RFQ	8938	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
CG7032KGA	-	RFQ	1999	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.31.0001	1
cy7c1520kv18-300bzxc	135.1500	RFQ	257	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1520	SRAM-동기, DDR II		1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	136																300MHz					휘발성 휘발성	72mbit								SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C25682KV18-450BZC	238.7600	RFQ	302	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c25682	SRAM-동기, DDR II+		1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136																450MHz					휘발성 휘발성	72mbit								SRAM	4m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
cy14b101la-zs20xi	1.0000	RFQ	2034	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	Cy14B101	nvsram (r 휘발성 sram)		2.7V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드							1																					비 비	1mbit	20 ns							nvsram	128k x 8	평행한	20ns	확인되지 확인되지
S71VS128RB0AHK4L0	-	RFQ	4838	Cypress Semiconductor Corp	VS-R	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-VFBGA	S71VS128	플래시, psram		1.7V ~ 1.95V	56-VFRBGA (7.7x6.2)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2166-S71VS128RB0AHK4L0-428			1																108 MHz					비 비, 휘발성	128mbit ((), 32mbit (RAM)								플래시, 램	-	평행한	-	확인되지 확인되지
CS7282BM	-	RFQ	5348	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
cy7c1352g-133axi	5.9500	RFQ	267	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1352	sram-동기, sdr		3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	51																133 MHz					휘발성 휘발성	4.5mbit	4 ns							SRAM	256k x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C25652KV18-550BZXC	355.5400	RFQ	157	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c25652	SRAM-동기, QDR II+		1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							1																550MHz					휘발성 휘발성	72mbit								SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7c1009bn-15Vit	2.1900	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)	CY7C1009	sram- 비동기		4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1,000																					휘발성 휘발성	1mbit	15 ns							SRAM	128k x 8	평행한	15ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7564)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²