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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전압 - 입력	sic 프로그램 가능	pll	입력	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	차동 - 출력 : 입력	주파수 - 최대	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	분배기/승수	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	규약	드라이버/수 수신기	이중	데이터 데이터	시계 시계	프로그래밍 프로그래밍 유형	마크로셀의 마크로셀의	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
cy7c136e-55jxct	17.9400	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	52-LCC (J-Lead)		cy7c136	sram-이중-, 비동기										4.5V ~ 5.5V	52-PLCC (19.13x19.13)	-		rohs 비준수				귀 99	8542.32.0041	28																					휘발성 휘발성	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	평행한	55ns
5962-89841113A	16.6700	RFQ	41	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		표면 표면	28-CLCC				4.5V ~ 5.5V	확인되지 확인되지									28-CLCC (11.43x11.43)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다			0000.00.0000	1				15 ns															단짝	10
S70GL02GS12FHIV20	27.2665	RFQ	101	Cypress Semiconductor Corp	GL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga		S70GL02	플래시 - 아니오										1.65V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드		Rohs3 준수			2832-S70GL02GS12FHIV20			20																					비 비	2gbit	120 ns	플래시	128m x 16	평행한	-	확인
S29GL512P10TFIR20	13.2700	RFQ	5621	Cypress Semiconductor Corp	GL-P	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		S29GL512	플래시 - 아니오										2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드		Rohs3 준수			2832-S29GL512P10TFIR20	3A991B1A	8542.32.0071	91																					비 비	512mbit	100 ns	플래시	32m x 16	평행한	100ns
cy8ctma300e-36lqxika	5.3400	RFQ	126	Cypress Semiconductor Corp	Truetouch ™	대부분	활동적인								확인되지 확인되지										-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
CS6125AT	-	RFQ	1507	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																		-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
CG5914AT	-	RFQ	2340	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																		-		적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
Cy7C1370SV25-167AXC	27.5600	RFQ	482	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		Cy7c1370	sram-동기, sdr										2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x14)	-		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				11																		167 MHz			휘발성 휘발성	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c1019cv33-12zc	1.1900	RFQ	6307	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비)		cy7c1019	sram- 비동기										3V ~ 3.6V	32-TSSOP II	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2B	8542.32.0041	1																					휘발성 휘발성	1mbit	12 ns	SRAM	128k x 8	평행한	12ns
CG7144AA	-	RFQ	4305	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인																		-		적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
CY22150ZC-315	-	RFQ	7987	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								확인되지 확인되지										-							0000.00.0000	1
S34ML02G104TFI013	-	RFQ	8856	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		S34ML02	플래시 - NAND										2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000																					비 비	2gbit		플래시	128m x 16	평행한	25ns
cy8c3446lti-085	9.3100	RFQ	35	Cypress Semiconductor Corp	PSOC® 3 CY8C34XX	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	68-vfqfn 노출 패드		Cy8c3446												68-QFN (8x8)	다운로드								35	38	8051	8 비트	50MHz	EBI/EMI, I²C, Linbus, SPI, UART/USART, USB	Capsense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT	64KB (64K X 8)	플래시	2k x 8	8k x 8	1.71V ~ 5.5V	A/D 16x12b; d/a 2x8b	내부															확인되지 확인되지
cy7c1049cv33-15zc	3.4000	RFQ	381	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		cy7c1049	sram- 비동기										3V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1																					휘발성 휘발성	4mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	평행한	15ns
palce20v8-7jc	1.0200	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		표면 표면	28-LCC (J-Lead)				4.75V ~ 5.25V										28-PLCC (11.53x11.53)	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1				7.5 ns															단짝	8
CY29948AXC	12.1300	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-TQFP	팬 팬 버퍼 (배포 배포), 멀티플렉서	CY29948					lvcmos, lvpecl, lvttl	lvcmos, lvttl	1	2:12	예/아니오	200MHz	2.375V ~ 3.63V	32-TQFP (7x7)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지				25
Cy7C25682KV18-550BZXI	355.5400	RFQ	264	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c25682	SRAM-동기, DDR II+										1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드								1																		550MHz			휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	4m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c1011g30-10zsxa	10.1400	RFQ	437	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		cy7c1011	sram- 비동기										2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드								1																					휘발성 휘발성	2mbit	10 ns	SRAM	128k x 16	평행한	10ns	확인되지 확인되지
cy14b104m-zsp45xi	-	RFQ	5287	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		Cy14B104	nvsram (r 휘발성 sram)										2.7V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드								1																					비 비	4mbit	45 ns	nvsram	256k x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
cy62148dv30ll-70bvxi	2.1100	RFQ	4	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA		Cy62148	sram- 비동기										2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드		Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1																					휘발성 휘발성	4mbit	70 ns	SRAM	512k x 8	평행한	70ns
cy7c68001-56ltxckg	-	RFQ	9854	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인																		-		적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
Cy62177ESL-55ZXI	60.7300	RFQ	906	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)		Cy62177	sram- 비동기										2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V	48-tsop i	다운로드								5																					휘발성 휘발성	32mbit	55 ns	SRAM	4m x 8, 2m x 16	평행한	55ns	확인되지 확인되지
S25FL116K0XMFV011	0.5100	RFQ	10	Cypress Semiconductor Corp	FL1-K	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		S25FL116	플래시 - 아니오										2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드		Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0071	981																		108 MHz			비 비	16mbit		플래시	2m x 8	spi-쿼드 i/o	3ms
S26KS128SDABHN030	7.4900	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KS	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA		S26KS128	플래시 - 아니오										1.7V ~ 1.95V	24-FBGA (6x8)	다운로드								41																		100MHz			비 비	128mbit	96 ns	플래시	16m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
cy62138fv30ll-45bvxi	3.3400	RFQ	692	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	36-VFBGA		Cy62138	sram- 비동기										2.2V ~ 3.6V	36-VFBGA (6x8)	다운로드								90																					휘발성 휘발성	2mbit	45 ns	SRAM	256k x 8	평행한	45ns	확인되지 확인되지
Cy27027ZXC	1.1000	RFQ	5	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	-	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	-	CY27027				-	-	-		-	-	-	-	8-tssop	-	-	적용 적용 수 할				귀 99		272																												확인되지 확인되지
cy7c028v-20ac	-	RFQ	1287	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		cy7c028	sram-이중-, 비동기										3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드		rohs 비준수				3A991B2B	8542.32.0041	90																					휘발성 휘발성	1mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	평행한	20ns	확인되지 확인되지
Cy7C2670KV18-450BZI	376.1200	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga		Cy7c2670	SRAM-동기, DDR II+										1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드		rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				1																		450MHz			휘발성 휘발성	144mbit		SRAM	4m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c68003-20fnxi	1.1600	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	cy7c	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-UFBGA, WLCSP	트랜시버	Cy7c68003											1.8V ~ 3.3V	20-WLCSP (2.14x1.76)	다운로드		Rohs3 준수						259														USB 2.0	1/1	가득한	-
Cy7c1020CV33-10ZC	1.0700	RFQ	7927	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		cy7c1020	sram- 비동기										3V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드		rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2B	8542.32.0041	1																					휘발성 휘발성	512kbit	10 ns	SRAM	32k x 16	평행한	10ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7564)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²