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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	전압 - 입력	출력 출력	sic 프로그램 가능	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	표준	규약	인터페이스	시계 시계	프로그래밍 프로그래밍 유형	마크로셀의 마크로셀의	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
Cy7C1564XV18-450BZC	225.3700	RFQ	163	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1564		SRAM-동기, QDR II+					1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							1									450MHz			휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cydmx128c16-65bvxi	2.8000	RFQ	4	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
Cy74FCT16244ETPAC	1.7300	RFQ	16	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	74FCT162244	-				3 국가		4.5V ~ 5.5V	48-tssop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	4	4	24MA, 24MA
cy7c63310-sxc	3.0200	RFQ	4	Cypress Semiconductor Corp	Encore ™ II	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	Cy7c63310			40ma				4V ~ 5.5V	16-	다운로드							100					제어 제어	USB 2.0	USB	GPIO, SPI											확인
S34MS01G100BHI000	-	RFQ	4058	Cypress Semiconductor Corp	MS-1	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34MS01		플래시 - NAND					1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210												비 비	1gbit	45 ns	플래시	128m x 8	평행한	45ns
S34MS01G200BHB000	-	RFQ	2775	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, MS-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34MS01		플래시 - NAND					1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210												비 비	1gbit	45 ns	플래시	128m x 8	평행한	45ns
PALC22V10-25JCB	6.0400	RFQ	8308	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인		표면 표면	28-LCC (J-Lead)					4.5V ~ 5.5V				28-PLCC (11.53x11.53)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1										단짝	10
cy7c1380kv33-167axi	1.0000	RFQ	2552	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1380		sram-동기, sdr					3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수						1									167 MHz			휘발성 휘발성	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy14b101ll-sp25xc	16.6400	RFQ	285	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인													다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-CY14B101LL-SP25XC-428			1
S29PL032J55BFI120	4.0000	RFQ	8230	Cypress Semiconductor Corp	PL-J	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	S29PL032		플래시 - 아니오					2.7V ~ 3.6V	48-FBGA (8.15x6.15)	다운로드	Rohs3 준수			2832-S29PL032J55BFI120	3A991B1A	8542.32.0071	1												비 비	32mbit	55 ns	플래시	2m x 16	평행한	55ns
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Cy2292SL-1H7	1.3000	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
cy7c1041cv33-12zct	8.5300	RFQ	6	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1041		sram- 비동기					3V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1,000												휘발성 휘발성	4mbit	12 ns	SRAM	256k x 16	평행한	12ns
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cy62256ll-70zxit	-	RFQ	4623	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비)	Cy62256		sram- 비동기					4.5V ~ 5.5V	28-tsop i	다운로드	적용 적용 수 할				귀 99	8542.32.0041	1,500												휘발성 휘발성	256kbit	70 ns	SRAM	32k x 8	평행한	70ns	확인되지 확인되지
CS6803AA	-	RFQ	1976	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
cy7c109d-10zxi	-	RFQ	5042	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	cy7c109		sram- 비동기					4.5V ~ 5.5V	32-tsop i	다운로드							1												휘발성 휘발성	1mbit	10 ns	SRAM	128k x 8	평행한	10ns	확인되지 확인되지
S26KL128SDABHI030	4.8600	RFQ	762	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KL	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA	S26KL128		플래시 - 아니오					2.7V ~ 3.6V	24-FBGA (6x8)	다운로드							62									100MHz			비 비	128mbit	96 ns	플래시	16m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
S34MS02G100BHV000	-	RFQ	1172	Cypress Semiconductor Corp	MS-1	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34MS02		플래시 - NAND					1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210												비 비	2gbit	45 ns	플래시	256m x 8	평행한	45ns
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Cy7C1347C-200AC	3.8100	RFQ	8	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1347		sram-동기, sdr					3.15V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1									200MHz			휘발성 휘발성	4.5mbit	2.8 ns	SRAM	128k x 36	평행한	-
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S34ML04G100BHB003	-	RFQ	4456	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34ML04		플래시 - NAND					2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,300												비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	25ns
cy62147ev18ll-55bvxit	-	RFQ	8961	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62147		sram- 비동기					1.65V ~ 2.25V	48-VFBGA (6x8)	다운로드							62												휘발성 휘발성	4mbit	55 ns	SRAM	256k x 16	평행한	55ns	확인되지 확인되지
Cy7C1612KV18-300BZC	1.0000	RFQ	2979	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1612		SRAM-동기, QDR II					1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	105									300MHz			휘발성 휘발성	144mbit		SRAM	8m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7c1460AV25-250AXC	57.3500	RFQ	11	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1460		sram-동기, sdr					2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	72									250MHz			휘발성 휘발성	36mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7564)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²