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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 전류 - 공급 채널 채널 전압- 최대 (입력) 출력 출력 방향 sic 프로그램 가능 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 비트 비트 샘플링 샘플링 (속도) 입력 입력 데이터 데이터 구성 비율 -S/H : ADC a/d 수 변환기 건축학 참조 참조 전압 - 아날로그, 공급 전압 - 디지털, 공급 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 규약 드라이버/수 수신기 이중 데이터 데이터 인터페이스 시계 시계 출력 출력 다시 다시 타이밍 카운트 카운트 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 입력 입력 슈미트 슈미트 입력 회로 독립 독립 지연 지연 - 시간 전파 전파 채널 채널 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
LM98516CCMT National Semiconductor LM98516CCMT 2.5500
RFQ
ECAD 204 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 표면 표면 - LM98516 2 56-tssop - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1 10 - -
ADC12032CIWM National Semiconductor ADC12032CIWM -
RFQ
ECAD 2398 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) - 차동, 차이-의사, 단일 종료 20- 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 12 114K 1, 2 SPI MUX-S/H-ADC 1 : 1 1 SAR 외부 5V 5V
DS90CR283MTD/NOPB National Semiconductor DS90CR283MTD/NOPB 7.5900
RFQ
ECAD 4676 0.00000000 국가 국가 - 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 4.75V ~ 5.25V 56-tssop 다운로드 Rohs3 준수 5A991B1 8542.39.0001 34 -
LM25088QMH-2/NOPB National Semiconductor LM25088QMH-2/NOPB -
RFQ
ECAD 4144 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-LM25088QMH-2/NOPB-14 1
LM5101AMR/NOPB National Semiconductor lm5101amr/nopb -
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비) LM5101 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 8- 파워 패드 다운로드 0000.00.0000 1 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 2.3v, - 3A, 3A 430ns, 260ns 118 v
LM5102SD National Semiconductor LM5102SD 1.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 LM5102 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 10) (4x4) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.6A, 1.6A 600ns, 600ns 118 v
LMC6034IM-NS National Semiconductor LMC6034IM-NS -
RFQ
ECAD 2060 0.00000000 국가 국가 LMC® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 1.5MA (x4 () - 4 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1 1.1V/µs 40 MA CMOS 1.4 MHz 0.04 PA 1 MV 4.75 v 15.5 v
DM54LS366W/883 National Semiconductor DM54LS366W/883 5.1000
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ECAD 7069 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 54LS366 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
DS92LV090ATVEH National Semiconductor DS92LV090ATVEH 6.0100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP 트랜시버 3V ~ 3.6V 64-LQFP (10x10) 다운로드 5A991B1 8542.39.0001 1 LVD 9/9 100Mbps
MM74HC241N National Semiconductor MM74HC241N 0.4200
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 국가 국가 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) 74HC241 - 3 국가 2V ~ 6V 20-PDIP 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 18 버퍼, 반전 비 2 4 7.8ma, 7.8ma
COP8SAC720N8YYY/NOPB National Semiconductor cop8sac720n8yyy/nopb 6.7400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국가 국가 COP8 ™ 8SA 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) cop8sac7 20-PDIP - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.31.0001 1 16 COP8 8 비트 10MHz 전자기/sp (SPI) POR, PWM, WDT 4KB (4K X 8) OTP - 128 x 8 2.7V ~ 5.5V - 내부
JL198SGA National Semiconductor JL198SGA 401.0700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-99-8 9 캔 증폭기 To-99-8 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
9601FM National Semiconductor 9601fm 7.5100
RFQ
ECAD 327 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack 3 V ~ 18 v 14-cfp 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 모노스트 모노스트 10MA, 720µA 아니요 1 40 ns
ADC16061CCVT/NOPB National Semiconductor ADC16061CCVT/NOPB 32.2700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국가 국가 - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 52-LQFP - 미분 52-TQFP (10x10) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 160 14 2.5m 1 평행한 S/H-ADC 1 : 1 1 파이프 파이프 외부, 내부 5V 5V
LM9073T National Semiconductor LM9073T 2.1200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-11 (-1 된 리드) 27V 결정된 TO-220-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 100 µa 10 MA 활성화, Watchdog (RSTO) 긍정적인 700ma, 100ma 5V - 2 1V @ 700MA 40dB (20kHz) 온도, 단락, 전압
LMH6646AMMX/NOPB National Semiconductor LMH6646AMMX/NOPB 1.3600
RFQ
ECAD 108 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 725µa (x2 채널) 푸시 푸시, 풀 투 레일 2 8-VSSOP - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.33.0001 1 22V/µs 55MHz 20 MA 전압 전압 650 NA 1 MV 2.5 v 12 v
LM3477AMM/NOPB National Semiconductor LM3477AMM/NOPB 1.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) LM3477 트랜지스터 트랜지스터 8-VSSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 211 뿌리 뿌리 2.97V ~ 35V 1 벅, 부스트-벅 500kHz 할 할있게 수 긍정적인 1 93% 아니요 아니요 -
LM2590HVSX-3.3/NOPB National Semiconductor LM2590HVSX-3.3/NOPB -
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-LM2590HVSX-3.3/NOPB-14 1
JM54AC273S2A-RH National Semiconductor JM54AC273S2A-RH 282.5400
RFQ
ECAD 133 0.00000000 국가 국가 54AC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-Clcc D- 타입 54AC273 비 비 2V ~ 6V 20-LCCC (8.89x8.89) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 24MA, 24MA 마스터 마스터 90MHz 긍정적 긍정적 가장자리 11.5ns @ 5V, 50pf 80 µA 4.5 pf
LMC6061AIMX/NOPB National Semiconductor LMC6061AIMX/NOPB 0.8500
RFQ
ECAD 784 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 24µA 철도 철도 레일 1 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.33.0001 355 0.035V/µs 범용 100 kHz 0.01 PA 100 µV 4.5 v 15.5 v
LME49725MA/NOPB National Semiconductor LME49725MA/NOPB -
RFQ
ECAD 3583 0.00000000 국가 국가 LME® 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 3MA (x2 2) 단일 단일 2 8-SOIC - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-LME49725MA/NOPB-14 1 15V/µs 7 MHz 22 MA 기준 40MHz 15 na 500 µV 9 v 36 v
LM3151MHE-3.3 National Semiconductor LM3151MHE-3.3 1.4600
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) LM3151 트랜지스터 트랜지스터 14-HTSSOP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 뿌리 뿌리 6V ~ 42V 1 책임 250kHz 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1 - 아니요 -
LP3981ILDX-2.5/NOPB National Semiconductor LP3981ILDX-2.5/NOPB 0.3100
RFQ
ECAD 22 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-wdfn n 패드 6V 결정된 6- 웨슨 (3x4) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 975 120 µA 210 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 2.5V - 1 0.2v @ 300ma 50dB ~ 55dB (1kHz ~ 10kHz) 전류, 이상 온도, 단락
74FCT841ASPC National Semiconductor 74FCT841ASPC 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 국가 국가 74fct 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 24-DIP (0.600 ", 15.24mm) 74FCT841 트라이 트라이, 스테이트 반전 4.75V ~ 5.25V 24-PDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 d- 타입 투명 타입 32MA, 48MA 10:10 1 10NS @ 5V, 50pf
54F163ADM National Semiconductor 54F163ADM 2.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국가 국가 54f 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 54F163 위로 4.5 V ~ 5.5 v 16-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 이진 이진 1 4 동기 동기 75MHz 긍정적 긍정적 가장자리
LM111H/883 National Semiconductor LM111H/883 19.6800
RFQ
ECAD 588 0.00000000 국가 국가 LM111 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-99-8 9 캔 미분 오픈-수집가 To-99-8 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 1 5V ~ 15V, ± 2.5V ~ 15V 3MV @ ± 15V 0.1PA @ ± 15V - 5MA, 6MA 80dB CMRR 200ns (타이핑) -
5962-8958701XA National Semiconductor 5962-8958701XA 62.4000
RFQ
ECAD 21 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-5962-8958701XA-14 1
LM2574N-12 National Semiconductor LM2574N-12 -
RFQ
ECAD 7519 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 40V 결정된 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 뿌리 뿌리 1 책임 52kHz 긍정적인 아니요 500ma 12V - 4V
LM3405AXMK/NOPB National Semiconductor lm3405axmk/nopb 1.0000
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 LM3405 다운로드 0000.00.0000 1
DS3603N National Semiconductor DS3603N -
RFQ
ECAD 9269 0.00000000 국가 국가 Tri-State® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 수화기 ± 4.75V ~ 5.25 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 - 0/2 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고