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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 전류 - 공급 전압 - 입력 전압- 최대 (입력) 출력 출력 온도 온도 pll 입력 산출 회로 회로 비율 - 출력 : 입력 차동 - 출력 : 입력 주파수 - 최대 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 분배기/승수 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스 슬림 슬림 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) 입력 입력 참조 참조 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 load 출력 출력 다시 다시 cl 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬 현재 - 출력 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 노이즈 -0.1Hz ~ 10Hz -10Hz ~ 10kHz 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
LM2596S-ADJ National Semiconductor LM2596S-ADJ 2.9700
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA LM2596 40V 조절할 조절할있는 DDPAK/TO-263-5 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 뿌리 뿌리 1 책임 150kHz 긍정적인 아니요 3A 1.2V 37V 4.5V
LP38858S-0.8/NOPB National Semiconductor LP38858S-0.8/NOPB 1.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA 5.5V 결정된 DDPAK/TO-263-5 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 9 MA 15 MA 소프트 소프트 긍정적인 1.5A 0.8V - 1 0.18V @ 1.5A 80dB ~ 58dB (120Hz ~ 1kHz) 전류, 이상 온도, 단락
HPC46003V20/63 National Semiconductor HPC46003V20/63 7.4900
RFQ
ECAD 500 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 HPC46003 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.31.0001 250
COP8SGE728N8/NOPB National Semiconductor COP8SGE728N8/NOPB -
RFQ
ECAD 2931 0.00000000 국가 국가 COP8 ™ 8SG 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) cop8sge7 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1 24 COP8 8 비트 15MHz 전자 전자/레인지 (SPI), UART/USART POR, PWM, WDT 8KB (8K X 8) OTP - 256 x 8 2.7V ~ 5.5V - 내부
DM8014N National Semiconductor DM8014N -
RFQ
ECAD 1419 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 DM8014 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
LM2852YMXA-0.8/NOPB National Semiconductor LM2852YMXA-0.8/NOPB 2.0400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) LM2852 5.5V 결정된 14-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 뿌리 뿌리 1 책임 500kHz 긍정적인 2A 0.8V - 2.85V
LP2992ILDX-5.0 National Semiconductor LP2992ILDX-5.0 -
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-wdfn n 패드 LP2992 16V 결정된 6-wson (2.92x3.29) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 4,500 95 µA 4 MA 할 할있게 수 긍정적인 250ma 5V - 1 0.85V @ 250mA 45db (1khz) 전류, 이상 온도, 단락
LM2853MHX-3.0/NOPB National Semiconductor LM2853MHX-3.0/NOPB 1.9900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 5.5V 결정된 14-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 뿌리 뿌리 1 책임 550kHz 긍정적인 3A 3V - 3V
74F02SCX-NS National Semiconductor 74F02SCX-NS 0.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국가 국가 74f 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74F02 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 게이트도 1ma, 20ma 13 MA 2 5.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
LPV321M5X-NS National Semiconductor LPV321M5X-NS 0.3200
RFQ
ECAD 33 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 9µA 철도 철도 레일 1 SOT-23-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 3,000 0.1V/µs 범용 152 kHz 2 NA 1.5 MV 2.7 v 5 v
74F32SCX-NS National Semiconductor 74F32SCX-NS 0.1500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 국가 국가 74f 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74F32 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 1ma, 20ma 15.5 MA 2 5.6ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
LM4817MHX/NOPB National Semiconductor LM4817MHX/NOPB 1.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 국가 국가 부머 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) AB Depop, 열, 셧다운 보호 LM4817 2 채널 (스테레오) 3V ~ 5.5V 28-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 1.5W x 2 @ 8ohm
LM4128DMF-3.0 National Semiconductor LM4128DMF-3.0 0.7000
RFQ
ECAD 866 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 ± 1% -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 LM4128 100µA 2.2V ~ 5.5V 결정된 100ppm/° C SOT-23-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 시리즈 20 MA 3V 285µVP-P -
LP3995ITL-2.85/NOPB National Semiconductor LP3995ITL-2.85/NOPB 0.2600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 5-WFBGA, DSBGA 6V 결정된 5-DSBGA (1.5x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 150 µA 200 µA 할 할있게 수 긍정적인 150ma 2.85V - 1 0.1V @ 150ma 60dB ~ 50dB (1kHz ~ 10kHz) 온도, 회로 단락
LM361N National Semiconductor LM361N 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 미분 LM361 보완, ttl 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 2 ± 5V ~ 15V 5MV @ 5V 10µa @ 5V - 5MA, 10MA, 20MA - 20ns -
LM3673TL-1.875/NOPB National Semiconductor LM3673TL-1.875/NOPB 0.7200
RFQ
ECAD 738 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-WFBGA, DSBGA 5.5V 결정된 5-DSBGA (1.5x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 뿌리 뿌리 1 책임 2MHz 긍정적인 350ma 1.875V - 2.7V
LM3677TL-1.875/NOPB National Semiconductor LM3677TL-1.875/NOPB 0.6100
RFQ
ECAD 500 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-WFBGA, DSBGA LM3677 5.5V 결정된 5-DSBGA (1.41x1.08) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 뿌리 뿌리 1 책임 3MHz 긍정적인 600ma 1.875V - 2.7V
LP3991TLX-0.8/NOPB National Semiconductor LP3991TLX-0.8/NOPB 0.2300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-WFBGA, DSBGA LP3991 4V 결정된 4-DSBGA (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 100 µa 225 µA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 0.8V - 1 0.16v @ 300ma 65db (1khz) 온도, 회로 단락
DM54LS375DM-MIL National Semiconductor DM54LS375dm-mil 1.9300
RFQ
ECAD 700 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 54LS375 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
LMK04033BISQE National Semiconductor LMK04033BISQE 9.1900
RFQ
ECAD 80 0.00000000 국가 국가 LMK04033 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-wfqfn 노출 패드 클럭 클럭 LVCMOS, LVDS, LVPECL LVCMOS, LVDS, 2VPECL, LVPECL 1 2 : 6 예/예 2.16GHz 3.15V ~ 3.45V 48-WQFN (7x7) 다운로드 예/예 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 250
LM2660M National Semiconductor lm2660m 1.2200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 5.5V 결정된 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 비율 1 충전 충전 5kHz, 40kHz 긍정적이거나 긍정적이거나 아니요 100ma -Vin, 2vin, Vin/2 - 1.5V
DM7001J/883 National Semiconductor DM7001J/883 -
RFQ
ECAD 6242 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 DM7001 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
JM38510/34401BEA National Semiconductor JM38510/34401BEA 12.0700
RFQ
ECAD 418 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 JM38510 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
LM3152MHE-3.3 National Semiconductor LM3152MHE-3.3 2.9000
RFQ
ECAD 736 0.00000000 국가 국가 간단한 간단한 ® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) LM3152 트랜지스터 트랜지스터 14-HTSSOP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 250 뿌리 뿌리 6V ~ 33V 1 책임 500kHz 활성화, 스타트 소프트 긍정적인 1 - 아니요 -
LM3204TL National Semiconductor LM3204TL 1.0100
RFQ
ECAD 3152 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-WFBGA, DSBGA 5.5V 조절할 조절할있는 10-DSBGA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 뿌리 뿌리 1 책임 2MHz 긍정적인 500ma 0.8V 3.6v 2.7V
DM7557W/883 National Semiconductor DM7557W/883 -
RFQ
ECAD 9445 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 DM7557 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
LP3470IM5X-4.38 National Semiconductor LP3470IM5X-4.38 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 간단한 간단한/재설정 재설정 LP3470 열린 열린 또는 배수 수집기 SOT-23-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.38V 최소 1ms
54LS174LM National Semiconductor 54LS174LM 1.4400
RFQ
ECAD 259 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 54LS174 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
DM70L00W/883 National Semiconductor DM70L00W/883 -
RFQ
ECAD 1204 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 DM70L00 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
LP3855ES-ADJ National Semiconductor LP3855ES-ADJ 1.3900
RFQ
ECAD 4950 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA LP3855 7V 조절할 조절할있는 DDPAK/TO-263-5 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 3 MA 10 MA 할 할있게 수 긍정적인 1.5A 1.23V 6.6v 1 0.435V @ 1.5A 73dB ~ 57dB (120Hz) 전류, 이상 온도, 단락
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고