 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 출력으로 | 전압 - 공급 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 논리의 유형 | 수요소 | 요소당 비트 수 | 현재 - 인텐음, 미음 | 기능 | I/O 수 | 코어 프로세서 | 코어 크기 | 속도 | 연결성 | 주변기기 | 프로그램 메모리 크기 | 프로그램 메모리 유형 | EEPROM 크기 | RAM 크기 | 전압 - 공급(Vcc/Vdd) | 변환기 변환기 | 발진 | 코어 수/버스 폭 | 프로세서/DSP | RAM 컨트롤러 | 그래픽 가속 | 디스플레이 및 인터페이스 컨트롤러 | 치료 | SATA | USB | 전압 - I/O | 보안 기능 | 추가 인터페이스 | 클럭킹 | 전압공급원 | 대처하다 | 최선을 다해 @ V, 최대 CL | 현재 - 대기(Iq) | 입력 커패시턴스 | 회로 | 면 회로 | 지연시간 - | SIC 프로그래밍 가능 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | SPC5748GHK0AMMN6 | - |  | 7255 | 0.00000000 | NXP 반도체 | MPC57xx | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 324-LFBGA | 324-MAPBGA(19x19) | - | 2156-SPC5748GHK0AMMN6 | 1 | 246 | e200z2, e200z4 | 32 비트 코어 | 80MHz, 160MHz, 160MHz | CANbus, 물체, I²C, LINbus, SAI, SPI, USB, USB OTG | DMA, LVD, POR, WDT | 6MB(6M x 8) | 플래시 | - | 768K x 8 | 1.08V ~ 1.32V | A/D 80x10b, 64x12b SAR | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74AUP1G97GF,132 | 0.1700 |  | 177 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP1G97 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP1G97GF,132-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MK53DX256ZCLQ10 | - |  | 9932 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 키네티스 K53 | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 144-LQFP | MK53DX256 | 144-LQFP(20x20) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MK53DX256ZCLQ10-954 | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | 94 | ARM® Cortex®-M4 | 32비트 | 100MHz | EBI/EMI, 분리, I²C, IrDA, SDHC, SPI, UART/USART, USB, USB OTG | DMA, I²S, LCD, LVD, POR, PWM, 터치 감지, WDT | 256KB(256K x 8) | 플래시 | 4K x 8 | 128K x 8 | 1.71V ~ 3.6V | A/D 16b SAR; D/A 2x12b | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MC9S08JE128CLK | 6.2300 |  | 480 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 80-LQFP | MC9S08 | 80-LQFP(12x12) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MC9S08JE128CLK-954 | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | 46 | HCS08 | 8비트 | 48MHz | FIFO, I²C, SCI, SPI, USB | LVD, POR, PWM, WDT | 128KB(128K x 8) | 플래시 | - | 12K x 8 | 1.8V ~ 3.6V | A/D 8x12b SAR | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74AUP1T58GF,132 | 0.1400 |  | 198 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP1T58 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP1T58GF,132-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74LVT240DB,118 | 0.2700 |  | 2 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 20-SSOP(0.209", 5.30mm 폭) | 74LVT240 | - | 3-상태 | 2.7V ~ 3.6V | 20-SSOP | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVT240DB,118-954 | 1 | 되돌리기, 반전 | 2 | 4 | 32mA, 64mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MMC2001HCAB33B | - |  | 3353 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 엠코어 | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 144-LQFP | 144-LQFP(20x20) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MMC2001HCAB33B-954 | 1 | 24 | M210 | 32비트 | 33MHz | EBI/EMI, SPI, UART/USART | POR, PWM, WDT | 256KB(256K x 8) | 집시 남자 | - | 32K x 8 | 1.8V ~ 3.6V | - | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74LV244PW,118 | - |  | 3967 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LV | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 20-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | 74LV244 | - | 3-상태 | 1V ~ 5.5V | 20-TSSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LV244PW,118-954 | 1 | 백업, 비반전 | 2 | 4 | 16mA, 16mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74HC139D,652 | 0.1400 |  | 27 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74HC | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | 포맷/디멀티플렉서 | 74HC139 | 2V ~ 6V | 16-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HC139D,652-954 | 1 | 5.2mA, 5.2mA | 단일 공급 | 1x2:4 | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SAF3566HV/V1101,55 | 8.3900 |  | 1 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | RoHS 비준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-SAF3566HV/V1101,55 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | KCHC908QY4MDWE | 4.4400 |  | 84 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 2156-KCHC908QY4MDWE | 84 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74HC160D,652 | 0.2100 |  | 3 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74HC160 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HC160D,652-954 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74AUP3G0434GSX | 0.4100 |  | 85 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP3G0434 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP3G0434GSX-954 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | HEF4521BT,652 | 0.3700 |  | 8 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | HEF4521 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-HEF4521BT,652-954 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | LPC1114LVFHN24/103 | 1.8600 |  | 964 | 0.00000000 | NXP 반도체 | LPC111xLV | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 24-VFQFN 보조형 패드 | 24-HVQFN(4x4) | - | 2156-LPC1114LVFHN24/103 | 162 | 20 | ARM® Cortex®-M0 | 32비트 | 50MHz | 브라운아웃 감지/리셋, POR, WDT | 32KB(32K x 8) | 플래시 | - | 4K x 8 | 1.65V ~ 1.95V | A/D 4x8b SAR | 외부, 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74HC573BQ,115 | - |  | 4853 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 20-VFQFN 보조형 패드 | 74HC573 | 삼국지 | 2V ~ 6V | 20-DHVQFN(4.5x2.5) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-74HC573BQ,115 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | D 형 투명 사치 | 7.8mA, 7.8mA | 8:8 | 1 | 14ns @ 6V, 50pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74LV00DB,118 | 0.1500 |  | 6 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74LV00 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LV00DB,118-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MC9S12XDT512CAL | - |  | 4547 | 0.00000000 | NXP 반도체 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 112-LQFP | MC9S12 | 112-LQFP(20x20) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MC9S12XDT512CAL-954 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 91 | HCS12X | 16비트 | 80MHz | CANbus, EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, SCI, SPI | LVD, POR, PWM, WDT | 512KB(512K x 8) | 플래시 | 4K x 8 | 20K x 8 | 2.35V ~ 2.75V | A/D 16x10b SAR | 외부, 내부 | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74AUP1G79GX,125 | 0.0700 |  | 180 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74AUP | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 4-XFDFN 옆형 패드 | D형 | 74AUP1G79 | 비반전 | 0.8V ~ 3.6V | 5-X2SON(0.80x0.80) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP1G79GX,125-954 | 4,081 | 1 | 1 | 4mA, 4mA | 기준 | 309MHz | 포지티브에지 | 5.8ns @ 3.3V, 30pF | 500nA | 0.8pF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74HC393PW,118 | 0.1500 |  | 4 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74HC393 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74HC393PW,118-954 | 1,947 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MC9RS08KB12CSG | - |  | 6668 | 0.00000000 | NXP 반도체 | S08 | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | 16-SOIC | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MC9RS08KB12CSG-954 | 1 | 14 | HCS08 | 8비트 | 20MHz | I²C, 린버스 | LVD, POR, PWM, WDT | 12KB(12K x 8) | 플래시 | - | 254x8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12x10b SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74LVT16244BDGG,118 | 0.3500 |  | 7 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-TFSOP(0.240", 6.10mm 폭) | 74LVT16244 | - | 3-상태 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVT16244BDGG,118-954 | 1 | 백업, 비반전 | 4 | 4 | 32mA, 64mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74AUP1G06GF,132 | 0.1200 |  | 39 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP1G06 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP1G06GF,132-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | CBT3257APW,112 | - |  | 9419 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74CBT | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C | 표면 실장 | 16-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | 멀티플렉서/디멀티플렉서 | CBT3257 | 4.5V ~ 5.5V | 16-TSSOP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-CBT3257APW,112-954 | 1 | - | 단일 공급 | 4x2:1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | S912XEQ384BCAA | - |  | 1554년 | 0.00000000 | NXP 반도체 | HCS12X | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 80-QFP | 80-QFP(14x14) | - | 2156-S912XEQ384BCAA | 1 | 59 | HCS12X | 16비트 | 50MHz | CAN버스, EBI/EMI, I²C, IrDA, SCI, SPI | LVD, POR, PWM, WDT | 384KB(384K x 8) | 플래시 | 4K x 8 | 24K x 8 | 1.72V ~ 1.98V | A/D 8x12b SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MC9RS08KA4CPJ | - |  | 9351 | 0.00000000 | NXP 반도체 | S08 | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 스루홀 | 20-DIP(0.300", 7.62mm) | 20-PDIP | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MC9RS08KA4CPJ-954 | 1 | 17 | RS08 | 8비트 | 20MHz | I²C | LVD, POR, PWM, WDT | 4KB(4K x 8) | 플래시 | - | 126x8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12x10b SAR | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74AUP1G06GW,125 | 0.0600 |  | 10 | 0.00000000 | NXP 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP1G06 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP1G06GW,125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MCIMX6D6AVT08AD | 63.0300 |  | 300 | 0.00000000 | NXP 반도체 | i.MX6 | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | 624-FBGA, FCBGA | 624-FCBGA(21x21) | - | 2156-MCIMX6D6AVT08AD | 5 | ARM® Cortex®-A9 | 852MHz | 2코어, 32비트 | 다양한; 네온™ 심드 | DDR3, DDR3L, LPDDR2 | 예 | HDMI, 사실, LCD, LVDS, MIPI/CSI, MIPI/DSI | 10/100/1000Mbps (1) | SATA 3Gbps (1) | USB 2.0 + PHY(3), USB 2.0 OTG + PHY(1) | 1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.3V | ARM TZ, 시동 보안, 플러그인, RTIC, 보안 기능박스, 보안 JTAG, 보안 메모리, 보안 RTC, 보안 감지 | CAN버스, I²C, I²S, MMC/SD/SDIO, SAI, SPI, SSI, UART | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74AUP2G17GM,115 | - |  | 1466 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74AUP | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 6-XFDFN | 74AUP2G17 | 슈미트를 | 푸시풀 | 0.8V ~ 3.6V | 6-XSON, SOT886(1.45x1) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74AUP2G17GM,115-954 | 1 | 백업, 비반전 | 2 | 1 | 4mA, 4mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 74LVC2G07GN,132 | 0.1600 |  | 43 | 0.00000000 | NXP 반도체 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 6-XFDFN | 74LVC2G07 | - | 오픈드레인 | 1.65V ~ 5.5V | 6-XSON(0.9x1) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-74LVC2G07GN,132-954 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 백업, 비반전 | 2 | 1 | -, 32mA | 

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