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통합 통합 (ICS) (1935)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	코어/너비 버스 수	공동 공동/dsp	램 램	그래픽 그래픽	디스플레이 디스플레이 인터페이스 및	이더넷	사타	USB	전압 -i/o	보안 보안	추가 추가	시계 시계	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	sic 프로그램 가능
74hct2g66dp, 125	1.0000	RFQ	3034	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인							74HCT2G66							다운로드						0000.00.0000	1
LPC1112LVFHN24/003	1.6000	RFQ	911	nxp 반도체	LPC11XX	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-vfqfn 노출 패드									24-HVQFN (4x4)	-				2156-LPC1112LVFHN24/003			188								20	ARM® Cortex®-M0	32 비트	50MHz		Brown-Out Detect/Reset, Por, Wdt	16KB (16k x 8)	플래시	-	2k x 8	1.65V ~ 1.95V	A/D 6X8B SAR	외부, 내부
74LV123BQ, 115	-	RFQ	5463	nxp 반도체	*	대부분	활동적인														다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV123BQ, 115-954	귀 99	8542.39.0001	1
74HCT08D, 653	-	RFQ	9822	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT08							다운로드			영향을받지 영향을받지	2156-74HCT08D, 653-954			1
74HCT4040DB, 112	0.2800	RFQ	1	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT4040							다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT4040DB, 112-954			1
HEF4070BT, 652	-	RFQ	3842	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							HEF4070							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4070BT, 652-954			1
74LV04PW, 112	0.1100	RFQ	6	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74LV04							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV04PW, 112-954	귀 99	8542.39.0001	1
MC33771ATP5AE551	24.1300	RFQ	160	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는														-				2156-MC33771ATP5AE551			13
74HC14PW, 112	-	RFQ	3495	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HC14							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC14PW, 112-954			1
CBT3306D, 112	0.2900	RFQ	2	nxp 반도체	74CBT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	버스 버스		CBT3306					4.5V ~ 5.5V	도 8-	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-CBT3306D, 112-954			1				-																													단일 단일							1 x 1 : 1	2
74AHCT08PW, 118	-	RFQ	2808	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74AHCT08							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT08PW, 118-954			1
74AUP1G07GM, 132	0.0800	RFQ	73	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	6-xfdfn			74AUP1G07	-		열린 열린		0.8V ~ 3.6V	6- XSON, SOT886 (1.45x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1G07GM, 132-954			3,963	버퍼, 반전 비	1	1	-, 4MA
74AUP1G79GM, 132	0.0800	RFQ	154	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	6-xfdfn	D- 타입		74AUP1G79			비 비		0.8V ~ 3.6V	6- XSON, SOT886 (1.45x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1G79GM, 132-954			3,963		1	1	4MA, 4MA	기준																											309 MHz		긍정적 긍정적 가장자리	5.8ns @ 3.3v, 30pf	500 NA	0.8 pf
KC912DG128CCPVE	53.4100	RFQ	270	nxp 반도체	-	대부분	활동적인														-				2156-KC912DG128CCPVE			6
SPC5603CF2CLL4	-	RFQ	9389	nxp 반도체	MPC56XX QORIVVA	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp			SPC5603						100-LQFP (14x14)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-SPC5603CF2CLL4	3A991	8542.31.0001	1								79	E200Z0H	32 비트	48MHz	Canbus, I²C, Linbus, Sci, Spi	DMA, POR, PWM, WDT	384KB (384K X 8)	플래시	64k x 8	40k x 8	3V ~ 5.5V	A/D 28X10B SAR	외부, 내부
74AHC1G125GM, 132	-	RFQ	4227	nxp 반도체	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	6-xfdfn			74AHC1G125	-		3 국가		2V ~ 5.5V	6-XSON (1.45X1)	다운로드						0000.00.0000	1	버퍼, 반전 비	1	1	8ma, 8ma
MC908AP16CFAE	-	RFQ	4563	nxp 반도체	HC08	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-LQFP									48-LQFP (7x7)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC908AP16CFAE-954			1								31	M68HC08	8 비트	8MHz	I²C, IRSCI, SCI, SPI	LED, LVD, POR, PWM	16KB (16k x 8)	플래시	-	1K X 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 8X10B SAR	내부
MPF5023AMMA0ES	3.7100	RFQ	2	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	고성능 I.MX 8, S32X 프로세서 기반	표면 표면, 마운트 측면	40-vfqfn 노출 패드			MPF5023		200µA			2.5V ~ 5.5V	40-HVQFN (6x6)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MPF5023AMMA0ES	귀 99	8542.39.0001	1
74LVC1G27GW, 125	-	RFQ	6792	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인							74LVC1G27							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G27GW, 125-954			1
74AUP1GU04GS, 132	0.1500	RFQ	5	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-xfdfn		-	74AUP1GU04				1	0.8V ~ 3.6V	6- XSON, SOT1202 (1x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1GU04GS, 132-954	귀 99	8542.39.0001	1	인버터			4MA, 4MA		500 NA	1																												4.3ns @ 3.3v, 30pf			-	-
74LVT240DB, 112	0.3100	RFQ	3	nxp 반도체	74LVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LVT240	-		3 국가		2.7V ~ 3.6V	20-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LVT240DB, 112-954			1	버퍼, 반전	2	4	32MA, 64MA
MC9S08SH16CTL	4.5300	RFQ	1	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	28-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			MC9S08						28-tssop	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9S08SH16CTL-954	귀 99	8542.31.0001	1								23	HCS08	8 비트	40MHz	I²C, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	16KB (16k x 8)	플래시	-	1K X 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 16X10B SAR	내부
SAF7730HV/N336/S30	11.7200	RFQ	3	nxp 반도체	*	대부분	활동적인														다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	공급 공급 정의되지 업체는	2156-SAF7730HV/N336/S30-954			1
MC912DG128ACPVE	-	RFQ	6085	nxp 반도체	HC12	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	112-LQFP			MC912						112-LQFP (20x20)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC912DG128ACPVE	귀 99	8542.31.0001	1								69	CPU12	16 비트	8MHz	Canbus, I²C, Sci, Spi	POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	2k x 8	8k x 8	4.5V ~ 5.5V	A/D 16X8/10B SAR	외부, 내부																						확인되지 확인되지
74LVC1G74GD, 125	0.1400	RFQ	176	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-xfdfn	D- 타입		74LVC1G74			보완 보완		1.65V ~ 5.5V	8- Xson (2x3)	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G74GD, 125-954			1		1	1	32MA, 32MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																											200MHz		긍정적 긍정적 가장자리	4.1ns @ 5V, 50pf	40 µA	4 pf
74HC132d, 652	-	RFQ	9947	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HC132							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC132d, 652-954			1
74LVC125APW, 112	-	RFQ	7658	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVC125	-		3 국가		1.2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC125APW, 112-954			1	버퍼, 반전 비	4	1	24MA, 24MA
mcimx6l8dvn10aa	-	RFQ	6852	nxp 반도체	i.mx6sl	대부분	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TJ)		표면 표면	432-TFBGA									432-MAPBGA (13x13)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MCIMX6L8DVN10AA-954			1									ARM® Cortex®-A9		1GHz										1 비트, 32 코어	멀티미디어; Neon ™ Simd	DDR3, LPDDR2	예	LCD	10/100Mbps (1)	-	USB 2.0 + Phy (2), USB 2.0 OTG + Phy (1)	1.2V, 1.8V, 3V	ARM TZ, 부팅,, 암호화, rtic, 보안 퓨즈 박스, 보안 jtag, 보안 메모리, 보안 rtc, 변조 감지 감지	AC97, I²C, I²S, MMC/SD/SDIO, SPI, SSI, UART
74HCU04BQ-Q100X	-	RFQ	6184	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-vfqfn 노출 패드		-					6	2V ~ 6V	14-dhvqfn (2.5x3)	-				2156-74HCU04BQ-Q100X			1	인버터			5.2MA, 5.2MA		2 µA	6																												12NS @ 6V, 50pf			0.3V ~ 1.2V	1.4V ~ 3.4V
74LV4066PW, 112	0.1700	RFQ	12	nxp 반도체	*	대부분	활동적인														다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV4066PW, 112-954			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (1935)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²