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통합 통합 (ICS) (1935)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	코어/너비 버스 수	공동 공동/dsp	램 램	그래픽 그래픽	디스플레이 디스플레이 인터페이스 및	이더넷	사타	USB	전압 -i/o	보안 보안	추가 추가	시계 시계	출력 출력	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	회로	독립 독립	토폴로지	주파수 - 스위칭	LED 드라이버	감독자	시퀀서와	sic 프로그램 가능
74AHC573BQ, 115	0.1600	RFQ	6	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74AHC573					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC573BQ, 115-954			1
74HC374PW, 118	-	RFQ	5081	nxp 반도체	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입	74HC374		트라이 트라이, 스테이트 반전	2V ~ 6V	20-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC374PW, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1		1	8	7.8ma, 7.8ma	기준																									83MHz			긍정적 긍정적 가장자리	28ns @ 6v, 50pf	4 µA	3.5 pf
74HCT32PW, 118	0.0900	RFQ	5	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HCT32					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT32PW, 118-954			3,245
MC56F8006VWL	4.1700	RFQ	78	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		MC56F80				28 -Soic	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC56F8006VWL-954	3A991	8542.31.0001	1						23	56800e	16 비트	32MHz	I²C, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	16KB (8k x 16)	플래시	-	1K X 16	1.8V ~ 3.6V	A/D 15X12B SAR	외부, 내부
74AUP2G34GN, 132	-	RFQ	9977	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn		74AUP2G34	-	푸시 푸시	0.8V ~ 3.6V	6-XSON (0.9x1)	다운로드						0000.00.0000	1	버퍼, 반전 비	2	1	4MA, 4MA
74HCT132dB, 118	0.1600	RFQ	10	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HCT132					다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT132DB, 118-954			1
STA533WF13TR	1.7400	RFQ	1	nxp 반도체	-	대부분	활동적인										-				2156-STA533WF13TR			173
74HCT1G14GV, 125	-	RFQ	8920	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HCT1G14					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT1G14GV, 125-954	귀 99	8542.39.0001	1
74LV245DB, 112	0.4200	RFQ	1	nxp 반도체	74lv	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)		74LV245	-	3 국가	1V ~ 5.5V	20-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LV245DB, 112-954			1	트랜시버, 반전 비	1	8	16MA, 16MA
74ALVCH16373DGG : 11	0.4400	RFQ	5	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74ALVCH16373					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVCH1637333DGG : 11-954	귀 99	8542.39.0001	1
74LV14D, 112	0.1200	RFQ	5526	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LV14					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV14D, 112-954			1
MC34PF1510A5EP	-	RFQ	4593	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	40-vfqfn 노출 패드		MC34PF1510			4.1V ~ 6V	40-HVQFN (5x5)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC34PF1510A5EP	귀 99	8542.39.0001	1																															6								스텝 스텝 (다운 다운) (3), 선형 (ldo) (3)	2MHz	아니요	아니요	예
74LVC2245APW, 112	0.3200	RFQ	53	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		74LVC2245	-	3 국가	1.2V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC2245APW, 112-954			1	트랜시버, 반전 비	1	8	12MA, 12MA
74LVC132APW, 112	0.1400	RFQ	7	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LVC132					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC132APW, 112-954			1
74HCT04D, 652	0.0900	RFQ	15	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HCT04					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT04D, 652-954			1
74LVCH1T45GS, 132	0.1200	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LVCH1T45					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVCH1T45GS, 132-954			1
MC68HC98LJ12CFUE	-	RFQ	5279	nxp 반도체	HC08	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-QFP		MC68HC98				64-QFP (14x14)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC68HC98LJ12CFUE-954	귀 99	8542.31.0001	1						54	M68HC08	8 비트	8MHz	i²c, irsci, spi	LCD, LVD, POR, PWM	12kb (12k x 8)	플래시	-	512 x 8	3V ~ 5.5V	A/D 6X10B SAR	외부, 내부																										확인되지 확인되지
MC9S12XHZ512CAL	-	RFQ	1074	nxp 반도체	HCS12X	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	112-LQFP						112-LQFP (20x20)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9S12XHZ512CAL-954			1						85	HCS12X	16 비트	80MHz	Canbus, Ebi/Emi, I²C, Irda, Linbus, Sci, Spi	LCD, LVD, 모터 제어 PWM, POR, PWM, WDT	512KB (512k x 8)	플래시	4K X 8	32k x 8	4.5V ~ 5.5V	A/D 16X10B SAR	외부, 내부
Upd70F3828GB (R) -GAH -AX	-	RFQ	9582	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP						64-LFQFP (10x10)	-				2156 Upd70F3828GB (R) -GAH -AX			1						26	V850ES	32 비트	50MHz	CSI, EBI/EMI, 이더넷, I²C, UART/USART, USB	DMA, LVD, PWM, Wdt	256KB (256k x 8)	플래시	-	64k x 8	2.85V ~ 3.6V	A/D 10X10B SAR	내부
74HCT280D, 652	0.3300	RFQ	6	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HCT280					다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT280D, 652-954			1
74AUP1G74GD, 125	0.1400	RFQ	191	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn	D- 타입	74AUP1G74		보완 보완	0.8V ~ 3.6V	8- Xson (2x3)	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1G74GD, 125-954			1		1	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																									315 MHz			긍정적 긍정적 가장자리	5.8ns @ 3.3v, 30pf	500 NA	0.6 pf
74LVC74AD, 118	0.1000	RFQ	68	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입	74LVC74		보완 보완	1.2V ~ 3.6V	14-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC74AD, 118-954			3,092		2	1	24MA, 24MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																									250MHz			긍정적 긍정적 가장자리	5.2ns @ 3.3v, 50pf	10 µA	4 pf
T2081nxe8p1b	313.0100	RFQ	60	nxp 반도체	qoriq t2	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	780-BFBGA						780-FBGA (23x23)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-T2081NXE8P1B	5A002	8542.31.0001	1							PowerPC E6500		1.533GHz										8 비트, 64 코어	-	DDR3, DDR3L	아니요	-	1GBPS (8), 2.5GBPS (4), 10GBPS (4)	SATA 3GBPS (2)	USB 2.0 + phy (2)	-	"	i²c, mmc/sd, pcie, rapidio, spi, uart
SPC5646CK0MMJ1	-	RFQ	9294	nxp 반도체	MPC56XX QORIVVA	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	256-lbga						256-MAPBGA (17x17)	-				2156 SPC5646CK0MMJ1			1						199	E200Z4D, E200Z0H	32 비트 듀얼 비트	80MHz, 120MHz	Canbus, Ethernet, I²C, Linbus, Sci, SPI	DMA, POR, PWM, WDT	3MB (3m x 8)	플래시	4K X 16	256k x 8	3V ~ 5.5V	A/D 52x10b, 29x12b	내부
LPC12D27FBD100/301	5.2100	RFQ	1	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		LPC12				100-LQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LPC12D27FBD100/301	3A991	8542.31.0001	1						40	ARM® Cortex®-M0	32 비트	45MHz	I²C, IRDA, SPI, SSP, UART/USART	Brown-Out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, Wdt	128KB (128k x 8)	플래시	-	8k x 8	3V ~ 3.6V	A/D 8x10B	외부, 내부
74AHCT139D, 118	0.1100	RFQ	3	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	디코더/demultiplexer	74AHCT139			4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT139D, 118-954			2,628				8ma, 8ma																												단일 단일					1 x 2 : 4	2
SPC5748GK0AMMJ6	40.0800	RFQ	613	nxp 반도체	MPC57XX	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	256-lbga						256-MAPPBGA (17x17)	-				2156-SPC5748GK0AMMJ6			8						178	E200Z2, E200Z4	32 비트 트라이 비트	80MHz, 160MHz, 160MHz	Canbus, 이더넷, i²c, linbus, sai, spi, usb, usb otg	DMA, LVD, POR, WDT	6MB (6m x 8)	플래시	-	768k x 8	1.08V ~ 1.32V	A/D 80x10B, 64x12b SAR	내부
74HC74D, 653	0.0800	RFQ	137	nxp 반도체	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입	74HC74		보완 보완	2V ~ 6V	14-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC74D, 653-954			1		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																									82 MHz			긍정적 긍정적 가장자리	37ns @ 6v, 50pf	40 µA	3.5 pf
74LVC139BQ, 115	-	RFQ	7052	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드	디코더/demultiplexer	74LVC139			2.7V ~ 3.6V	16-DHVQFN (2.5x3.5)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC139BQ, 115-954			1				24MA, 24MA																												단일 단일					1 x 2 : 4	2
74LVC2G07GF, 132	0.1200	RFQ	23	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn		74LVC2G07	-	열린 열린	1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT891 (1x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC2G07GF, 132-954			1	버퍼, 반전 비	2	1	-, 32MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (1935)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²