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통합 통합 (ICS) (1935)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	load	인터페이스	코어/너비 버스 수	공동 공동/dsp	램 램	그래픽 그래픽	디스플레이 디스플레이 인터페이스 및	이더넷	사타	USB	전압 -i/o	보안 보안	추가 추가	시계 시계	출력 출력	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	토폴로지	주파수 - 스위칭	출력 출력	현재 - 출력	전압 - 하중	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	LED 드라이버	감독자	시퀀서와	sic 프로그램 가능
74LVT240DB, 112	0.3100	RFQ	3	nxp 반도체	74LVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LVT240	-		3 국가		2.7V ~ 3.6V	20-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LVT240DB, 112-954			1	버퍼, 반전	2	4	32MA, 64MA
MC9S08SH16CTL	4.5300	RFQ	1	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	28-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			MC9S08						28-tssop	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9S08SH16CTL-954	귀 99	8542.31.0001	1								23	HCS08	8 비트	40MHz	I²C, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	16KB (16k x 8)	플래시	-	1K X 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 16X10B SAR	내부
SAF7730HV/N336/S30	11.7200	RFQ	3	nxp 반도체	*	대부분	활동적인														다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	공급 공급 정의되지 업체는	2156-SAF7730HV/N336/S30-954			1
LPC11U22FBD48/30QL	2.6300	RFQ	252	nxp 반도체	LPC11U2X	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-LQFP									48-LQFP (7x7)	-				2156-LPC11U22FBD48/30QL			115								40	ARM® Cortex®-M0	32 비트	50MHz	I²C, 전자,, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB	Brown-Out Detect/Reset, Por, Wdt	16KB (16k x 8)	플래시	1K X 8	8k x 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 8X10B SAR	내부
74HCT32d, 652	0.1000	RFQ	6	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT32							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT32d, 652-954			1
MC34PF1510A5EP	-	RFQ	4593	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	40-vfqfn 노출 패드			MC34PF1510					4.1V ~ 6V	40-HVQFN (5x5)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC34PF1510A5EP	귀 99	8542.39.0001	1																																			6										스텝 스텝 (다운 다운) (3), 선형 (ldo) (3)	2MHz							아니요	아니요	예
SVF532R2K2CMK4	36.4400	RFQ	90	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	364-LFBGA									364-MAPBGA (17x17)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-SVF532R2K2CMK4	5A002	8542.31.0001	1									ARM® Cortex®-M4		400MHz, 133MHz												1 비트, 32 코어	멀티미디어; 네온 ™ MPE	DDR3, LPDDR2	예	DCU, GPU, LCD, Videoadc, VIU	10/100Mbps (2)	-	USB 2.0 OTG + PHY (1)	3.3v	Arm TZ, Hashing, RNG, RTC, RTIC, Secure JTAG, SNVS, TZ ASC, TZ WDOG	CAN, I²C, IRDA, LIN, MEDIALB, SCI, SDHC, SPI, UART
HEF4002BT, 652	-	RFQ	9261	nxp 반도체	4000B	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-					2	3V ~ 15V	14-	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-HEF4002BT, 652-954			1	게이트도			3MA, 3MA		4 µA	4																															40ns @ 15V, 50pf			1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
74LV14D, 112	0.1200	RFQ	5526	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74LV14							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV14D, 112-954			1
74LVC2G07GF, 132	0.1200	RFQ	23	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	6-xfdfn			74LVC2G07	-		열린 열린		1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT891 (1x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC2G07GF, 132-954			1	버퍼, 반전 비	2	1	-, 32MA
74ALVCH16373DGG : 11	0.4400	RFQ	5	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74ALVCH16373							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVCH1637333DGG : 11-954	귀 99	8542.39.0001	1
74LVC132APW, 112	0.1400	RFQ	7	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74LVC132							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC132APW, 112-954			1
74LVCH1T45GS, 132	0.1200	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74LVCH1T45							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVCH1T45GS, 132-954			1
74HCT04D, 652	0.0900	RFQ	15	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT04							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT04D, 652-954			1
MC68HC98LJ12CFUE	-	RFQ	5279	nxp 반도체	HC08	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	64-QFP			MC68HC98						64-QFP (14x14)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC68HC98LJ12CFUE-954	귀 99	8542.31.0001	1								54	M68HC08	8 비트	8MHz	i²c, irsci, spi	LCD, LVD, POR, PWM	12kb (12k x 8)	플래시	-	512 x 8	3V ~ 5.5V	A/D 6X10B SAR	외부, 내부																																				확인되지 확인되지
MC56F8453VLH	-	RFQ	5068	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	64-LQFP			MC56F84						64-LQFP (10x10)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC56F84553VLH	3A991	8542.31.0001	1								49	56800ex	32 비트	80MHz	Canbus, I²C, Linbus, Sci, Spi	브라운 브라운 브라운 감지/재설정, DMA, LVD, POR, PWM, WDT	96KB (96k x 8)	플래시	32k x 8	16k x 8	2.7V ~ 3.6V	A/D 16x12b, 8x16b SAR; d/a 1x12b	외부, 내부
KC13213	6.5600	RFQ	250	nxp 반도체	-	대부분	활동적인														-				2156-KC13213			46
74AHCT126PW, 112	0.1200	RFQ	13	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74AHCT126	-		3 국가		4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT126PW, 112-954			1	버퍼, 반전 비	4	1	8ma, 8ma
ls1012ase7hka	-	RFQ	5590	nxp 반도체	*	대부분	활동적인														-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LS1012ase7HKA-954			1
74LVC139BQ, 115	-	RFQ	7052	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	16-vfqfn 노출 패드	디코더/demultiplexer		74LVC139					2.7V ~ 3.6V	16-DHVQFN (2.5x3.5)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC139BQ, 115-954			1				24MA, 24MA																																단일 단일							1 x 2 : 4	2
TDA8595SD/N2S/S10,	7.6900	RFQ	912	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		구멍을 구멍을	27-ssip,, 된 리드	-	-				4 채널 (쿼드)		8V ~ 18V	RDBS27P	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2156-TDA8595SD/N2S/S10,	귀 99	8542.33.0001	1																					64W x 4 @ 2ohm
S912XD64F2VAA	-	RFQ	2259	nxp 반도체	S12XD	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	80-QFP									80-QFP (14x14)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-S912XD64F2VAA-954			1								59	HCS12X	16 비트	80MHz	Canbus, Ebi/Emi, I²C, Irda, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	64KB (64K X 8)	플래시	1K X 8	4K X 8	3.15V ~ 5.5V	A/D 8X10B SAR	외부, 내부
MC9S08SH16CWL	3.3200	RFQ	1	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			MC9S08						28 -Soic	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9S08SH16CWL	귀 99	8542.31.0001	1								23	HCS08	8 비트	40MHz	I²C, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	16KB (16k x 8)	플래시	-	1K X 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 16X10B SAR	내부
74LVC32ABQ, 115	-	RFQ	9102	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인							74LVC32							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC32ABQ, 115-954			1
K9S08SG16E1MTG	2.0800	RFQ	400	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							K9S08							-		공급 공급 정의되지 업체는	공급 공급 정의되지 업체는	2156-K9S08SG16E1MTG-954			1
74LV245DB, 112	0.4200	RFQ	1	nxp 반도체	74lv	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LV245	-		3 국가		1V ~ 5.5V	20-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LV245DB, 112-954			1	트랜시버, 반전 비	1	8	16MA, 16MA
74HCT1G14GV, 125	-	RFQ	8920	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT1G14							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT1G14GV, 125-954	귀 99	8542.39.0001	1
74AUP1G74GD, 125	0.1400	RFQ	191	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-xfdfn	D- 타입		74AUP1G74			보완 보완		0.8V ~ 3.6V	8- Xson (2x3)	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1G74GD, 125-954			1		1	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																													315 MHz			긍정적 긍정적 가장자리	5.8ns @ 3.3v, 30pf	500 NA	0.6 pf
MC34GD3000EP	5.6800	RFQ	208	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-20 ° C ~ 105 ° C (TA)	범용	표면 표면	56-vfqfn 노출 패드					MOSFET			6V ~ 58V	56-QFN (8x8)	-				2156-MC34GD3000EP			53					컨트롤러 - 방향, 정류 관리																	SPI																									하프 하프 (3)	-	6V ~ 58V	다상	DC (BLDC)	-
MCF53721CVM240	-	RFQ	7394	nxp 반도체	MCF537X	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	196-lbga									196-PBGA (15x15)	-				2156-MCF53721CVM240			1								62		32 비트	240MHz	EBI/EMI, em, i²C, SPI, SSI, UART/USART, USB, USB OTG	DMA, POR, PWM, WDT	-	로마	-	32k x 8	1.7V ~ 3.6V	-	외부

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (1935)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²