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통합 통합 (ICS) (1935)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	인터페이스	코어/너비 버스 수	공동 공동/dsp	램 램	그래픽 그래픽	디스플레이 디스플레이 인터페이스 및	이더넷	사타	USB	전압 -i/o	보안 보안	추가 추가	인터럽트 인터럽트	현재- 소스 출력/싱크	시계 시계	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	sic 프로그램 가능
74HC374PW, 112	0.1700	RFQ	2	nxp 반도체	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HC374		트라이 트라이, 스테이트 반전		2V ~ 6V	20-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC374PW, 112-954			1		1	8	7.8ma, 7.8ma	기준																														83MHz		긍정적 긍정적 가장자리	28ns @ 6v, 50pf	4 µA	3.5 pf
74ALVT16373DGG112	0.9100	RFQ	723	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74ALVT16373						다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
MPC8548VJAQGD	212.4100	RFQ	24	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	783-BBGA, FCBGA								783-FCPBGA (29x29)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MPC8548VJAQGD-954	3A991	8542.31.0001	1									PowerPC E500		1GHz											1 비트, 32 코어	신호 신호; spe, 보안; 비서	DDR, DDR2, SDRAM	아니요	-	10/100/1000Mbps (4)	-	-	1.8V, 2.5V, 3.3V	aes, k, kasumi, 랜덤 번호 생성기	Duart, I²C, PCI, Rapidio
74HCT597D, 652	-	RFQ	4140	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HCT597						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT597D, 652-954	귀 99	8542.39.0001	1
MC56F83786VLK	10.1500	RFQ	480	nxp 반도체	56f83xxx	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	80-LQFP								80-LQFP (12x12)	-				2156-MC56F83786VLK			30								68	56800ex	32 비트	100MHz		브라운 브라운 브라운 감지/재설정, DMA, LVD, POR, PWM, WDT	256KB (256k x 8)	플래시	-	64k x 8	2.7V ~ 3.6V	A/D 20X12B; d/a 2x12b	외부, 내부
PCAL9538APWJ	1.3900	RFQ	15	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		포도주			열린 열린, 배수구 풀		1.65V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-PCAL9538APWJ	귀 99	8542.39.0001	216								8													i²c, smbus												예	10MA, 25MA	400 kHz										확인되지 확인되지
74axp1g04gmh	-	RFQ	6216	nxp 반도체	74axp	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-xfdfn		-				1	0.7V ~ 2.75V	6-XSON (1.45X1)	-				2156-74AXP1G04GMH			1	인버터			8ma, 8ma		0.3 µA	1																																		0.7V	1.6V
74LVC1G175GV, 125	-	RFQ	2450	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74, SOT-457	D- 타입		74LVC1G175		비 비		1.65V ~ 5.5V	6TSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G175GV, 125-954			1		1	1	32MA, 32MA	다시 다시																														200MHz		긍정적 긍정적 가장자리	4NS @ 5V, 50pf	40 µA	2.5 pf
74AVCH1T45GM, 115	0.2100	RFQ	500	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AVCH1T45						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AVCH1T45GM, 115-954			1,437
74ALVCH162245DGG, 112	0.4300	RFQ	711	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74ALVCH162245						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVCH162245DGG, 112-954	귀 99	8542.39.0001	1
74ALVT162245DL, 112	-	RFQ	7752	nxp 반도체	74ALVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)				-	3 국가		2.3V ~ 3.6V	48-ssop	-				2156-74ALVT162245DL, 112			1	트랜시버, 반전 비	2	8	12MA, 12MA
MK11DX128AVMC5	-	RFQ	5658	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	121-LFBGA			MK11DX128					121-MAPBGA (8x8)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MK11DX128AVMC5	3A991	8542.31.0001	1								64	ARM® Cortex®-M4	32 비트	50MHz	I²C, SPI, UART/USART	DMA, LVD, I²S, POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	4K X 8	32k x 8	1.71V ~ 3.6V	A/D 16B SAR; d/a 1x12b	내부
74axp1g98gmh	0.0900	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74axp1g98						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AXP1G98GMH-954	귀 99	8542.39.0001	1
MC9S08MM128CLH	6.8600	RFQ	4	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP			MC9S08					64-LQFP (10x10)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9S08MM128CLH-954	3A991	8542.31.0001	1								33	HCS08	8 비트	48MHz	I²C, SCI, SPI, USB	LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	-	12k x 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 6X16B SAR; d/a 1x12b	내부
PCA9675PW, 118	1.5200	RFQ	1	nxp 반도체	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		포도주			푸시 푸시		2.3V ~ 5.5V	24-TSSOP	-				2156-PCA9675PW, 118			198								16													i²c, smbus												예		1MHz
MC9RS08KB12CWJ	-	RFQ	9067	nxp 반도체	S08	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)								20-	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9RS08KB12CWJ-954			1								18	HCS08	8 비트	20MHz	I²C, Linbus	LVD, POR, PWM, WDT	12kb (12k x 8)	플래시	-	254 x 8	1.8V ~ 5.5V	A/D 12X10B SAR	외부, 내부
74HCT238PW, 118	-	RFQ	8919	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer		74HCT238				4.5V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT238PW, 118-954			1				-																																단일 단일							1 x 3 : 8	1
74AHC1G00GV, 125	-	RFQ	3357	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AHC1G00						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC1G00GV, 125-954			1
74HCT74DB, 118	0.1400	RFQ	3	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74HCT74		보완 보완		4.5V ~ 5.5V	14-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT74DB, 118-954			1		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																														59MHz		긍정적 긍정적 가장자리	44ns @ 4.5v, 50pf	40 µA	3.5 pf
74LVC161D, 112	0.3100	RFQ	8	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC161						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC161D, 112-954		0000.00.0000	1
74ALVCH16823DGGS	0.7500	RFQ	875	nxp 반도체	74ALVCH	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	D- 타입		74ALVCH16823		트라이 트라이		2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드		2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVCH16823DGGS-954	귀 99	8542.39.0001	1		2	9	24MA, 24MA	마스터 마스터																														350MHz		긍정적 긍정적 가장자리	3.7ns @ 3.3v, 50pf		5 pf
ncr401tr	0.0500	RFQ	37	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						NCR401						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-NCR401TR-954	귀 99	8542.39.0001	1
74AUP1G58GN, 132	0.1600	RFQ	5	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AUP1G58						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1G58GN, 132-954			1
74LVC1T45GN, 132	0.1300	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC1T45						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1T45GN, 132-954	귀 99	8542.39.0001	1
74LV02PW, 118	-	RFQ	8028	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LV02						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV02PW, 118-954			1
LPC11U24FHI33/301	2.5400	RFQ	4	nxp 반도체	lpc11axx	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-vfqfn 노출 패드			LPC11					32-HVQFN (5x5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	요청시 요청시 도달하십시오	2832-LPC11U24FHI33/301TR	3A991A2	8542.31.0000	197								26	ARM® Cortex®-M0	32 비트 싱글 비트	50MHz	I²C, 전자,, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB	Brown-Out Detect/Reset, Por, Wdt	32KB (32k x 8)	플래시	2k x 8	8k x 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 8X10B SAR	내부
S912XET256BVAA	-	RFQ	5796	nxp 반도체	HCS12X	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	80-QFP								80-QFP (14x14)	-				2156-S912XET256BVAA			1								59	HCS12X	16 비트	50MHz	Canbus, EBI/EMI, I²C, IRDA, SCI, SPI	LVD, POR, PWM, WDT	256KB (256k x 8)	플래시	4K X 8	16k x 8	1.72V ~ 1.98V	A/D 8X12B SAR	외부, 내부
HEF4016BT, 653	-	RFQ	9152	nxp 반도체	*	대부분	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4016BT, 653-954			1
74HCT257D, 653	0.1800	RFQ	12	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74HCT257				4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT257D, 653-954			1,624				6MA, 6MA																																단일 단일							4 x 2 : 1	1
74ALVC08D, 118	0.1300	RFQ	11	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74ALVC08						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVC08D, 118-954			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (1935)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²