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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 특징 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 전류 - 공급 | 출력 출력 | 회로 회로 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 논리 논리 | 요소 요소 | 요소 요소 비트 당 | 전류 - 높음 출력, 낮음 | 현재 -Quiescent (최대) | 입력 입력 | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | 데이터 데이터 | 코어/너비 버스 수 | 공동 공동/dsp | 램 램 | 그래픽 그래픽 | 디스플레이 디스플레이 인터페이스 및 | 이더넷 | 사타 | USB | 전압 -i/o | 보안 보안 | 추가 추가 | 입력 입력 | 출력 출력 | 컨트롤러 컨트롤러 | cl | 입력 입력 레벨 - 낮음 | 입력 입력 레벨 - 높음 | 번역기 번역기 | 채널 채널 | 회로 회로 채널 | -VCCA | -VCCB | sic 프로그램 가능 |
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![]() | MC908JK1ECDWE | 3.0500 | ![]() | 7707 | 0.00000000 | nxp 반도체 | HC08 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 20- | - | 2156-MC908JK1ECDWE | 8 | 15 | M68HC08 | 8 비트 | 8MHz | - | LED, LVD, POR, PWM | 1.5KB (1.5kx 8) | 플래시 | - | 128 x 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 10X8B SAR | 외부, 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC844M201JBD48K | 1.5500 | ![]() | 250 | 0.00000000 | nxp 반도체 | LPC84X | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-LQFP | LPC844 | 48-LQFP (7x7) | - | 2156-LPC844M201JBD48K | 250 | 42 | ARM® Cortex®-M0+ | 32 비트 | 30MHz | I²C, SPI, UART/USART | 브라운 브라운 브라운 감지/재설정, 캡 센스, dma, por, pwm, wdt | 64KB (64K X 8) | 플래시 | - | 8k x 8 | 1.8V ~ 3.6V | A/D 12X12B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC4320FBD144,551 | 7.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nxp 반도체 | LPC43XX | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-LQFP | 144-LQFP (20x20) | - | 2156-LPC4320FBD144,551 | 41 | 83 | ARM® Cortex®-M0, ARM® Cortex®-M4 | 32 비트 듀얼 비트 | 204MHz | 브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, 모터 컨트롤 pwm, por, pwm, wdt | - | 로마 | - | 200k x 8 | 2.2V ~ 3.6V | A/D 8x10B; d/a 1x10b | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AHC08BQ, 115 | - | ![]() | 5870 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 74AHC | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-vfqfn 노출 패드 | - | 4 | 2V ~ 5.5V | 14-dhvqfn (2.5x3) | - | 2156-74AHC08BQ, 115 | 1 | 그리고 그리고 | 8ma, 8ma | 2 µA | 2 | 0.5V ~ 1.65V | 1.5V ~ 3.85V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCIMX6Q5EZK08AD | 72.2500 | ![]() | 129 | 0.00000000 | nxp 반도체 | I.MX6Q | 대부분 | 활동적인 | -20 ° C ~ 105 ° C (TJ) | 표면 표면 | 569-LFBGA | 569-MAPBGA (12x12) | - | 2156-MCIMX6Q5EZK08AD | 5 | ARM® Cortex®-A9 | 800MHz | 4 비트, 32 코어 | 멀티미디어; Neon ™ Simd | 예 | HDMI,,, LCD, LVDS, MIPI/CSI, MIPI/DSI | 10/100/1000Mbps (1) | SATA 3GBPS (1) | USB 2.0 + Phy (3), USB 2.0 OTG + Phy (1) | 1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.3V | ARM TZ, 부팅,, 암호화, rtic, 보안 퓨즈 박스, 보안 jtag, 보안 메모리, 보안 rtc, 변조 감지 감지 | Canbus, i²c, i²s, mmc/sd/sdio, sai, spi, ssi, uart | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08AW60CFGE | 7.5900 | ![]() | 88 | 0.00000000 | nxp 반도체 | S08 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-LQFP | 44-LQFP (10x10) | - | 2156-MC9S08AW60CFGE | 40 | 34 | HCS08 | 8 비트 | 40MHz | I²C, SCI, SPI | LVD, POR, PWM, WDT | 60kb (60k x 8) | 플래시 | - | 2k x 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 8x10B | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC54101J512BD64QL | 5.9500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | nxp 반도체 | LPC5410X | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-LQFP | 64-LQFP (10x10) | - | 2156-LPC54101J512BD64QL | 51 | 50 | 32 비트 듀얼 비트 | 100MHz | I²C, SPI, UART/USART | 브라운 브라운 감지/재설정, por, pwm, wdt | 512KB (512k x 8) | 플래시 | - | 104k x 8 | 1.62V ~ 3.6V | A/D 12X12B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC1112FDH28/102 : 5 | 1.5400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | nxp 반도체 | LPC11XX | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | 28-tssop | - | 2156-LPC1112FDH28/102 : 5 | 195 | 22 | ARM® Cortex®-M0 | 32 비트 | 50MHz | I²C, SPI, UART/USART | Brown-Out Detect/Reset, Por, Wdt | 16KB (16k x 8) | 플래시 | - | 4K X 8 | 1.8V ~ 3.6V | A/D 6X10B SAR | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC1774FBD144,551 | 8.7000 | ![]() | 207 | 0.00000000 | nxp 반도체 | LPC177X | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-LQFP | 144-LQFP (20x20) | - | 2156-LPC1774FBD144,551 | 35 | 109 | ARM® Cortex®-M3 | 32 비트 | 120MHz | Canbus, EBI/EMI, I²C, Microwire, Memory Card, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB OTG | 브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, 모터 컨트롤 pwm, por, pwm, wdt | 128KB (128k x 8) | 플래시 | 2k x 8 | 40k x 8 | 2.4V ~ 3.6V | A/D 8X12B SAR; d/a 1x10b | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9328MX1DVM15 | 21.8400 | ![]() | 207 | 0.00000000 | nxp 반도체 | i.mx1 | 대부분 | 활동적인 | -30 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 225-LFBGA | 225-MAPBGA (13x13) | - | 2156-MC9328MX1DVM15 | 14 | ARM920T | 150MHz | 1 비트, 32 코어 | - | sdram | 아니요 | LCD, 터치, | - | - | USB 1.X (1) | 1.8V, 3V | - | I²C, I²S, SPI, SSI, MMC/SD, UART | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08AC32CFGER | - | ![]() | 6773 | 0.00000000 | nxp 반도체 | HCS08 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-LQFP | 44-LQFP (10x10) | - | 2156-MC9S08AC32CFGER | 1 | 34 | HCS08 | 8 비트 | 40MHz | I²C, SCI, SPI | LVD, POR, PWM, WDT | 32KB (32k x 8) | 플래시 | - | 2k x 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 8x10B | 외부, 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LPC1788FET180,551 | - | ![]() | 7437 | 0.00000000 | nxp 반도체 | LPC178X | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 180-TFBGA | 180-TFBGA (12x12) | - | 2156-LPC1788FET180,551 | 1 | 141 | ARM® Cortex®-M3 | 32 비트 | 120MHz | Canbus, ebi/emi, 이더넷, i²c, 전자 레인지, 메모리 카드, spi, ssi, ssp, uart/usart, usb otg | 브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, lcd, 모터 컨트롤 pwm, por, pwm, wdt | 512KB (512k x 8) | 플래시 | 4K X 8 | 96k x 8 | 2.4V ~ 3.6V | A/D 8X12B SAR; d/a 1x10b | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF5023AMBA0ES | 4.0800 | ![]() | 860 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 고성능 I.MX 8, S32X 프로세서 기반 | 표면 표면, 마운트 측면 | 40-vfqfn 노출 패드 | MPF5023 | - | 2.5V ~ 5.5V | 40-HVQFN (6x6) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MPF5023AMBA0ES | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AUP1G58GF, 132 | 0.1400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 74AUP1G58 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-74AUP1G58GF, 132-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KC912DG128CCPVE | 53.4100 | ![]() | 270 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 2156-KC912DG128CCPVE | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9RS08KA8CPG | - | ![]() | 3231 | 0.00000000 | nxp 반도체 | S08 | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 16-PDIP | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MC9RS08KA8CPG-954 | 1 | 12 | RS08 | 8 비트 | 20MHz | i²c | LVD, POR, PWM, WDT | 8KB (8K X 8) | 플래시 | - | 254 x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 8X10B SAR | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74AHC541D, 112 | 0.2200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 74AHC | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 74AHC541 | - | 3 국가 | 2V ~ 5.5V | 20- 의자 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-74AHC541D, 112-954 | 1 | 버퍼, 반전 비 | 1 | 8 | 8ma, 8ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T4240NSN7PQB | 1.0000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 1932-BBGA, FCBGA | 1932-FCPBGA (45x45) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-T4240NSN7PQB | 3A991 | 8542.31.0001 | 1 | PowerPC E6500 | 1.8GHz | 24 비트, 64 코어 | - | DDR3, DDR3L | 아니요 | - | 1GBPS (16), 10GBPS (4) | SATA 3GBPS (2) | USB 2.0 + phy (2) | - | " | i²c, mmc/sd, pcie, rapidio, spi, uart | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPC854444EVTALFA557 | 134.4000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-MPC854444EVTALFA557-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC1G08GF, 132 | - | ![]() | 1370 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 74LVC | 대부분 | 활동적인 | 74LVC1G08 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-74LVC1G08GF, 132-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 74AHC1G04GM, 115 | 0.0700 | ![]() | 6298 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 74AHC | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 6-xfdfn | - | 74AHC1G04 | 1 | 2V ~ 5.5V | 6- XSON, SOT886 (1.45x1) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-74AHC1G04GM, 115-954 | 1 | 인버터 | 8ma, 8ma | 1 µA | 1 | 7.5ns @ 5V, 50pf | 0.5V ~ 1.65V | 1.5V ~ 3.85V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC908AB32MFUE | - | ![]() | 1789 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-QFP | MC908 | 64-QFP (14x14) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MC908AB32MFUE-954 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 1 | 51 | M68HC08 | 8 비트 | 8MHz | 공상 공상, SPI | por, pwm | 32KB (32k x 8) | 플래시 | 512 x 8 | 1K X 8 | 4.5V ~ 5.5V | A/D 8x8b SAR | 외부, 내부 | 확인되지 확인되지 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF5023AMMA0ES | 3.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 고성능 I.MX 8, S32X 프로세서 기반 | 표면 표면, 마운트 측면 | 40-vfqfn 노출 패드 | MPF5023 | 200µA | 2.5V ~ 5.5V | 40-HVQFN (6x6) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MPF5023AMMA0ES | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB0104UK, 012 | 0.6600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 12-UFBGA, WLCSP | - | NTB0104 | 트라이 트라이, 스테이트 반전 | 1 | 12-WLCSP (1.2x1.6) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-NTB0104UK, 012 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 100Mbps | - | - | 전압 전압 | 양방향 | 4 | 1.65 V ~ 3.6 v | 2.3 v ~ 5.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S912XEP768W1VAG | - | ![]() | 3489 | 0.00000000 | nxp 반도체 | HCS12X | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-LQFP | 144-LQFP (20x20) | - | 2156-S912XEP768W1VAG | 1 | 119 | HCS12X | 16 비트 | 50MHz | Canbus, EBI/EMI, I²C, IRDA, SCI, SPI | LVD, POR, PWM, WDT | 768KB (768k x 8) | 플래시 | 4K X 8 | 48k x 8 | 1.72V ~ 1.98V | A/D 24x12b SAR | 외부, 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3P191UK, 023 | 0.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | NX3P191 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-NX3P191UK, 023-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08MM64CLH | - | ![]() | 7881 | 0.00000000 | nxp 반도체 | S08 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-LQFP | 64-LQFP (10x10) | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-MC9S08MM64CLH-954 | 1 | 33 | HCS08 | 8 비트 | 48MHz | I²C, SCI, SPI, USB | LVD, POR, PWM, WDT | 64KB (64K X 8) | 플래시 | - | 12k x 8 | 1.8V ~ 3.6V | A/D 6X16B SAR; d/a 1x12b | 외부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74LVC2G66GD, 125 | 0.1400 | ![]() | 97 | 0.00000000 | nxp 반도체 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-74LVC2G66GD, 125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM912G634DV1AER2 | - | ![]() | 7086 | 0.00000000 | nxp 반도체 | S12 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-lqfp q 패드 | 2.25V ~ 5.25V | 48-LQFP (7x7) | - | 2156-MM912G634DV1AER2 | 9 | 플래시 (48KB) | 2k x 8 | HCS12 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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