SIC
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통합 통합 (ICS) (1935)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 코어/너비 버스 수 공동 공동/dsp 램 램 그래픽 그래픽 디스플레이 디스플레이 인터페이스 및 이더넷 사타 USB 전압 -i/o 보안 보안 추가 추가 시계 시계 전압 전압 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 슈미트 슈미트 입력 회로 독립 독립
74AUP1T98GW,125 NXP Semiconductors 74AUP1T98GW, 125 0.0800
RFQ
 ECAD 293 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74AUP1T98 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AUP1T98GW, 125-954 1
MC9S08AC60MPUE NXP Semiconductors MC9S08AC60MPUE -
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 nxp 반도체 S08 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP 64-LQFP (10x10) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MC9S08AC60MPUE-954 1 54 HCS08 8 비트 40MHz I²C, SCI, SPI LVD, POR, PWM, WDT 60kb (60k x 8) 플래시 - 2k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 16x10b 외부, 내부
74HC374DB,112 NXP Semiconductors 74HC374DB, 112 0.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 nxp 반도체 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) D- 타입 74HC374 트라이 트라이, 스테이트 반전 2V ~ 6V 20-ssop 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74HC374DB, 112-954 귀 99 0000.00.0000 1 1 8 7.8ma, 7.8ma 기준 83MHz 긍정적 긍정적 가장자리 28ns @ 6v, 50pf 4 µA 3.5 pf
MCIMX31LDVMN5DR2 NXP Semiconductors MCIMX31LDVMN5DR2 30.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 nxp 반도체 i.mx31 대부분 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 473-LFBGA 473-PBGA (19x19) - 2156-MCIMX31LDVMN5DR2 10 ARM1136JF-S 532MHz 1 비트, 32 코어 멀티미디어; GPU, IPU, MPEG-4, VFP DDR 예 키보드, l, LCD - - USB 2.0 (3) 1.8V, 2V, 2.5V, 2.7V, 3V " 1- 와이어, AC97, ATA, FIR, I²C, I²S, MMC/SD/SDIO, MSHC, PCMCIA, SDHC, SIM, SPI, SSI, UART
MPC8533VTARJA NXP Semiconductors MPC8533VTARJA -
RFQ
 ECAD 3640 0.00000000 nxp 반도체 MPC85XX 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 90 ° C (TJ) 표면 표면 783-BBGA, FCBGA 783-FCPBGA (29x29) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MPC8533VTARJA-954 1 PowerPC E500 1.067GHz 1 비트, 32 코어 - DDR, DDR2 아니요 - 10/100/1000Mbps (2) - - 1.8V, 2.5V, 3.3V - Duart, HSSI, I²C, PCI
MCF52232CAF50 NXP Semiconductors MCF52232CAF50 15.3400
RFQ
 ECAD 322 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 80-LQFP MCF52232 80-LQFP (14x14) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MCF52232CAF50-954 3A991 8542.31.0001 1 43 Coldfire V2 32 비트 50MHz 이더넷, i²c, spi, uart/usart DMA, LVD, POR, PWM, WDT 128KB (128k x 8) 플래시 - 32k x 8 3V ~ 3.6V A/D 8x12b 외부, 내부
MC68SEC000AA20 NXP Semiconductors MC68SEC000AA20 -
RFQ
 ECAD 9189 0.00000000 nxp 반도체 M680X0 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 64-QFP 64-QFP (14x14) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MC68SEC000AA20-954 1 68sec000 20MHz 1 비트, 32 코어 - - 아니요 - - - - 3.3V, 5V - -
MC908KX2MDWE NXP Semiconductors MC908KX2MDWE -
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 nxp 반도체 HC08 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 16- - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MC908KX2MDWE-954 1 13 M68HC08 8 비트 8MHz 공상 공상 LVD, POR, PWM 2KB (2k x 8) 플래시 - 192 x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 4X8B SAR 외부, 내부
MCIMX6G3DVK05AA NXP Semiconductors MCIMX6G3DVK05AA -
RFQ
 ECAD 9837 0.00000000 nxp 반도체 i.mx6ul 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TJ) 표면 표면 272-LFBGA 272-MAPBGA (9x9) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MCIMX6G3DVK05AA-954 1 ARM® Cortex®-A7 528MHz 1 비트, 32 코어 멀티미디어; Neon ™ Simd DDR3, DDR3L, LPDDR2 아니요 LCD, LVDS, TSC 10/100Mbps (2) - USB 2.0 OTG + PHY (2) 1.2V, 1.35V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 2.8V, 3.3V ARM TZ, A-HAB, CAAM, CSU, SJC, SNV Canbus, I²C, I²S, MMC/SD/SDIO, QSPI, SAI, SPDIF, SPI, SSI, UART
MCF51EM256CLK NXP Semiconductors MCF51EM256CLK -
RFQ
 ECAD 7178 0.00000000 nxp 반도체 MCF51EM 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 80-LQFP 80-LQFP (14x14) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MCF51EM256CLK-954 1 56 콜드 콜드 v1 32 비트 50.33MHz FIFO, I²C, SCI, SPI, UART/USART LCD, LVD, PWM, Wdt 256KB (256k x 8) 플래시 - 16k x 8 1.8V ~ 3.6V A/D 12x16B SAR 외부
MCF51JU32VHS NXP Semiconductors MCF51JU32VHS -
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 nxp 반도체 MCF51JX 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-VFLGA v 패드 44-MAPLGA (5x5) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MCF51JU32VHS-954 1 31 콜드 콜드 v1 32 비트 50MHz EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USART, USB OTG DMA, I²S, LVD, POR, PWM 32KB (32k x 8) 플래시 - 8k x 8 1.71V ~ 3.6V A/D 9x12b; d/a 1x12b 외부
MCHC908QY2MDWE NXP Semiconductors MCHC908QY2MDWE -
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 nxp 반도체 HC08 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 16- - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MCHC908QY2MDWE-954 1 13 M68HC08 8 비트 8MHz 공상 공상 LVI, POR, PWM 1.5KB (1.5kx 8) 플래시 - 128 x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 4X8B SAR 외부, 내부
74AUP1G885GF,115 NXP Semiconductors 74AUP1G885GF, 115 -
RFQ
 ECAD 9579 0.00000000 nxp 반도체 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfdfn 단일 단일 1 0.8V ~ 3.6V 8-XSON (1.35X1) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-74AUP1G885GF, 115-954 1 구성 구성 다중 가능한 4MA, 4MA 3 아니요
MC9S08JM16CGT NXP Semiconductors MC9S08JM16CGT -
RFQ
 ECAD 6162 0.00000000 nxp 반도체 S08 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 48-QFN-EP (7x7) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MC9S08JM16CGT-954 1 37 HCS08 8 비트 48MHz I²C, Linbus, Sci, SPI, USB LVD, POR, PWM, WDT 16KB (16k x 8) 플래시 - 1K X 8 2.7V ~ 5.5V A/D 8X12B SAR 외부
MC9S08AW48CFDE NXP Semiconductors MC9S08AW48CFDE -
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 nxp 반도체 S08 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 48-QFN-EP (7x7) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MC9S08AW48CFDE-954 1 38 HCS08 8 비트 40MHz I²C, SCI, SPI LVD, POR, PWM, WDT 48KB (48K X 8) 플래시 - 2k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 8X10B SAR 내부
MC9RS08LA8CLF NXP Semiconductors MC9RS08LA8CLF -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 nxp 반도체 S08 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LQFP 48-LQFP (7x7) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MC9RS08LA8CLF-954 1 33 RS08 8 비트 20MHz 공상 공상, SPI LCD, LVD, POR, PWM, WDT 8KB (8K X 8) 플래시 - 256 x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 6X10B 외부, 내부
LPC1316FHN33 NXP Semiconductors LPC1316FHN33 10.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 nxp 반도체 LPC11U2X 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-vqfn 노출 패드 LPC1316 32-HVQFN (7x7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 요청시 요청시 도달하십시오 2832-LPC1316FHN33 3A991A2 8542.31.0000 50 28 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 72MHz i²c, 전자,, spi, ssi, ssp, uart/usart Brown-Out Detect/Reset, Por, Wdt 48KB (48K X 8) 플래시 4K X 8 8k x 8 2V ~ 3.6V A/D 8X12B SAR 외부, 내부
LPC54113J128BD64 NXP Semiconductors LPC54113J128BD64 9.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 nxp 반도체 LPC54100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP LPC54113 64-LQFP (10x10) - Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2832-LPC54113J128BD64 귀 99 8542.31.0001 1 48 ARM® Cortex®-M4 32 비트 싱글 비트 150MHz I²C, SPI, UART/USART, USB 브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, por, pwm, wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 96k x 8 1.62V ~ 3.6V A/D 12X12B SAR 외부, 내부
74HCT154D,653 NXP Semiconductors 74HCT154D, 653 0.4600
RFQ
 ECAD 946 0.00000000 nxp 반도체 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 디코더/demultiplexer 74HCT154 4.5V ~ 5.5V 24- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT154D, 653-954 귀 99 8542.39.0001 1 4MA, 4MA 단일 단일 1 x 4:16 1
74LVC574APW,118 NXP Semiconductors 74LVC574APW, 118 0.1400
RFQ
 ECAD 194 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) D- 타입 74LVC574 트라이 트라이, 스테이트 반전 1.65V ~ 3.6V 20-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC574APW, 118-954 1 1 8 24MA, 24MA 기준 200MHz 긍정적 긍정적 가장자리 7ns @ 3.3v, 50pf 10 µA 5 pf
74HCT541D,653 NXP Semiconductors 74HCT541D, 653 1.0000
RFQ
 ECAD 3592 0.00000000 nxp 반도체 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74HCT541 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20- 의자 다운로드 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT541D, 653-954 1 버퍼, 반전 비 1 8 6MA, 6MA
74AUP1G373GN,132 NXP Semiconductors 74AUP1G373GN, 132 0.1300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74AUP1G373 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AUP1G373GN, 132-954 1
74LVC16245ADL,112 NXP Semiconductors 74LVC16245ADL, 112 1.0000
RFQ
 ECAD 7585 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 74LVC16245 - 3 국가 1.2V ~ 3.6V 48-ssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC16245ADL, 112-954 1 트랜시버, 반전 비 2 8 24MA, 24MA
74ALVCH16245DGG:11 NXP Semiconductors 74ALVCH16245DGG : 11 0.4300
RFQ
 ECAD 843 0.00000000 nxp 반도체 74ALVCH 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74ALVCH16245 - 3 국가 1.2V ~ 3.6V 48-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74ALVCH16245DGG : 11-954 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 2 8 24MA, 24MA
74AUP1T97UKAZ NXP Semiconductors 74Aup1t97ukaz 0.1200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74AUP1T97 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74AUP1T97UKAZ-954 1
HEF4528BT,652 NXP Semiconductors HEF4528BT, 652 -
RFQ
 ECAD 1940 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 2156-HEF4528BT, 652-954 1
HEF4011BT,653 NXP Semiconductors HEF4011BT, 653 -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 HEF4011 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-HEF4011BT, 653-954 1
74LVC139D,112 NXP Semiconductors 74LVC139D, 112 0.1500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 디코더/demultiplexer 74LVC139 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC139D, 112-954 1 24MA, 24MA 단일 단일 1 x 2 : 4 2
74AUP1G98GM,132 NXP Semiconductors 74AUP1G98GM, 132 -
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74AUP1G98 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AUP1G98GM, 132-954 1
74AHC3GU04DP-Q100125 NXP Semiconductors 74AHC3GU04DP-Q100125 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 nxp 반도체 74AHC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) - 74AHC3GU04 3 2V ~ 5.5V 8-tssop 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74AHC3GU04DP-Q100125-954 1 인버터 8ma, 8ma 1 µA 3 7NS @ 5V, 50pf 0.3V ~ 1.1V 1.7V ~ 4.4V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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