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통합 통합 (ICS) (1935)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	데이터 데이터	코어/너비 버스 수	공동 공동/dsp	램 램	그래픽 그래픽	디스플레이 디스플레이 인터페이스 및	이더넷	사타	USB	전압 -i/o	보안 보안	추가 추가	시계 시계	입력 입력	출력 출력	출력 출력	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB	토폴로지	주파수 - 스위칭	LED 드라이버	감독자	시퀀서와
74LVT16244BDGG, 118	0.3500	RFQ	7	nxp 반도체	74LVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74LVT16244	-		3 국가		2.7V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVT16244BDGG, 118-954			1	버퍼, 반전 비	4	4	32MA, 64MA
LPC43S20FBD144E	7.5400	RFQ	410	nxp 반도체	LPC43XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	144-LQFP			LPC43S20						144-LQFP (20x20)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LPC43S20FBD144E	5A992	8542.31.0001	1						83	ARM® Cortex®-M0, ARM® Cortex®-M4	32 비트 듀얼 비트	204MHz	Canbus, Ebi/Emi, I²C, Irda, Microir, MMC/SD, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB, USB OTG	브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, 모터 컨트롤 pwm, por, pwm, wdt	-	로마	-	200k x 8	2.2V ~ 3.6V	A/D 8x10B SAR; d/a 1x10b	외부, 내부
S912XD128F2VAA	14.6800	RFQ	84	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	80-QFP			S912						80-QFP (14x14)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-S912XD128F2VAA	3A991	8542.31.0001	1						59	HCS12X	16 비트	80MHz	Canbus, Ebi/Emi, I²C, Irda, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	2k x 8	8k x 8	2.35V ~ 2.75V	A/D 8X10B SAR	외부, 내부
XC7WH14GT, 115	0.1800	RFQ	3	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							7WH14							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-XC7WH14GT, 115-954		0000.00.0000	1
74HC175D, 652	0.1900	RFQ	30	nxp 반도체	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74HC175			보완 보완		2V ~ 6V	16- 형의 행위	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC175D, 652-954			1		1	4	5.2MA, 5.2MA	마스터 마스터																										89MHz					긍정적 긍정적 가장자리	30NS @ 6V, 50pf	8 µA	3.5 pf
74AUP3G17GTX	0.1200	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74AUP3G17							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP3G17GTX-954	귀 99	8542.39.0001	2,462
74LV123d, 118	0.1200	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인														다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV123D, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1
MC9RS08KA4CPJ	-	RFQ	9351	nxp 반도체	S08	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)									20-PDIP	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9RS08KA4CPJ-954			1						17	RS08	8 비트	20MHz	i²c	LVD, POR, PWM, WDT	4KB (4K X 8)	플래시	-	126 x 8	1.8V ~ 5.5V	A/D 12X10B SAR	내부
74AUP2G08GT, 115	0.0800	RFQ	2	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74AUP2G08							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP2G08GT, 115-954			3,963
74LVC06APW, 118	0.0900	RFQ	910	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74LVC06							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC06APW, 118-954			1
74HCT08DB, 112	0.1600	RFQ	7	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT08							다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT08DB, 112-954			1
LPC11A12FBD48/101,	2.4200	RFQ	207	nxp 반도체	lpc11axx	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-LQFP									48-LQFP (7x7)	-				2156-LPC11A12FBD48/101,			124						42	ARM® Cortex®-M0	32 비트	50MHz	i²c, 전자,, spi, ssi, ssp, uart/usart	Brown-Out Detect/Reset, Por, Wdt	16KB (16k x 8)	플래시	1K X 8	4K X 8	2.6V ~ 3.6V	A/D 8x10B SAR; d/a 1x10b	외부, 내부
74LVT245D, 112	0.2200	RFQ	1	nxp 반도체	74LVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LVT245	-		3 국가		2.7V ~ 3.6V	20- 의자	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVT245D, 112-954			1	트랜시버, 반전 비	1	8	32MA, 64MA
74AHCT138PW, 118	0.1200	RFQ	6	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer		74AHCT138					4.5V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT138PW, 118-954			2,441				8ma, 8ma																															단일 단일					1 x 3 : 8	1
MC33PF8201A0ES	7.3800	RFQ	260	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면, 마운트 측면	56-vfqfn 노출 패드								2.5V ~ 5.5V, 2.7V ~ 5.5V	56-HVQFN (8x8)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC33PF8201A0ES	귀 99	8542.39.0001	1																																		8														스텝 스텝 (다운 다운) (5), 선형 (ldo) (3)	2.5MHz	아니요	아니요	예
74LV4066DB, 118	0.2100	RFQ	2	nxp 반도체	*	대부분	활동적인														다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LV4066DB, 118-954			1
74LVC373ADB112	-	RFQ	3104	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)						트라이 트라이, 스테이트 반전		1.65V ~ 3.6V	20-ssop	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-74LVC373ADB112-954			1	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA																																				8 : 8	1	3.3ns
74AHCT2G125GD, 125	0.1400	RFQ	75	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-xfdfn			74AHCT2G125	-		3 국가		4.5V ~ 5.5V	8- Xson (2x3)	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT2G125GD, 125-954			1	버퍼, 반전 비	2	1	8ma, 8ma
74AUP1T57GN, 132	-	RFQ	9475	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-xfdfn		구성 구성 게이트 가능한 함수	74AUP1T57			단일 단일	1		6-XSON (0.9x1)	다운로드						0000.00.0000	1																			-													-											전압 전압	단방향	1	1.8 V ~ 2.7 v	2.3 v ~ 3.6 v
NTS0302JKZ	0.4200	RFQ	13	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-xfdfn		-	NTS0302			열린 열린	1		8-X2SON (1.4x1)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-NTS0302JKZ	귀 99	8542.39.0001	1																			20Mbps													-	-										전압 전압	양방향	2	1.65 V ~ 3.6 v	2.3 v ~ 5.5 v
HEF40098BT, 652	0.4700	RFQ	2	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			HEF40098	-		3 국가		3V ~ 15V	16- 형의 행위	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-HEF40098BT, 652	귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전	2	2, 4	10MA, 20MA
MC68EC040RC33A	-	RFQ	9433	nxp 반도체	M680X0	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 110 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	179-BPGA									179-PGA (47.24x47.24)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC68EC040RC33A-954			1							68040		33MHz											1 비트, 32 코어	-	-	아니요	-	-	-	-	5V	-	DMA, EBI/EMI, SCI, SPI
ls1012ase7hka557	25.5500	RFQ	168	nxp 반도체	*	대부분	활동적인														-		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-LS1012ase7HKA557-954			1
MC35FS4501NAE	6.3100	RFQ	250	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TA)	시스템 시스템 칩	표면 표면	48-lqfp q 패드			MC35FS4501		-			2.7V ~ 36V	48-LQFP (7x7)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC35FS4501NAE	귀 99	8542.39.0001	1
74LVC06AD, 118	0.1000	RFQ	9025	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인							74LVC06							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC06AD, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1
MCF53010CQT240	-	RFQ	6604	nxp 반도체	MCF5301X	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	208-LQFP									208-LQFP (28x28)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MCF53010CQT240-954			1						61	Coldfire V3	32 비트	240MHz	ebi/emi, em, i²c, 메모리 카드, spi, ssi, uart/usart, usb otg	DMA, PWM, Wdt	-	로마	-	128k x 8	1.08V ~ 3.6V	-	내부
74LVC2G38GM, 125	-	RFQ	5676	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인							74LVC2G38							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC2G38GM, 125-954			1
74HC03PW, 118	-	RFQ	7236	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HC03							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC03PW, 118-954			1
74LVC1G86GV, 125	-	RFQ	6761	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인							74LVC1G86							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G86GV, 125-954			1
74HCT154PW, 112	0.3800	RFQ	2	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer		74HCT154					4.5V ~ 5.5V	24-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT154PW, 112-954			1				4MA, 4MA																															단일 단일					1 x 4:16	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (1935)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²