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통합 통합 (ICS) (1935)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	-3dB 대역폭	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	스위치 스위치	멀티플렉서/demultiplexer 회로	온 온 저항 (최대)	채널 채널 채널 대 대 (Δron)	전압- 단일, 공급 (v+)	전압- 이중, 공급 (v ±)	스위치 스위치 (Ton, Toff) (최대)	전하 전하	채널 채널 (CS (OFF), CD (OFF))	전류- is (is (is)) (max)	Crosstalk	시계 시계	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	회로	독립 독립	sic 프로그램 가능
74LVC1G57GM, 115	0.0700	RFQ	10	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LVC1G57						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G57GM, 115-954			4,459
LPC11A02UK, 118	2.7700	RFQ	3	nxp 반도체	lpc11axx	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-UFBGA, WLCSP							20-WLCSP (2.5x2.5)	-				2156-LPC11A02UK, 118			109							18	ARM® Cortex®-M0	32 비트	50MHz	i²c, 전자,, spi, ssi, ssp, uart/usart	Brown-Out Detect/Reset, Por, Wdt	16KB (16k x 8)	플래시	2k x 8	4K X 8	2.6V ~ 3.6V	A/D 8x10B SAR; d/a 1x10b	내부
74AHC245D, 112	0.2400	RFQ	15	nxp 반도체	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		74AHC245	-	3 국가		2V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC245D, 112-954			1	트랜시버, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
74HCT373dB, 112	0.2700	RFQ	1	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HCT373						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT373DB, 112-954			1
74LV393D, 112	0.3000	RFQ	5	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LV393						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV393D, 112-954			1
74AHCT244D, 112	0.2300	RFQ	12	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		74AHCT244	-	3 국가		4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT244D, 112-954	귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	2	4	8ma, 8ma
74LVC1G58GM, 132	0.0700	RFQ	1	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LVC1G58						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G58GM, 132-954			4,459
74HC11DB, 118	0.1600	RFQ	3	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HC11						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HC11DB, 118-954			1
LPC4078FBD144,551	9.2700	RFQ	68	nxp 반도체	LPC40XX	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-LQFP							144-LQFP (20x20)	-				2156-LPC4078FBD144,551			33							109	ARM® Cortex®-M4	32 비트	120MHz	Canbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, Irda, Microwire, QEI, SD, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB, USB OTG	브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, por, pwm, wdt	512KB (512k x 8)	플래시	4K X 8	96k x 8	2.4V ~ 3.6V	A/D 8X12B SAR; d/a 1x10b	내부
74LVC2G53GS, 115	0.1000	RFQ	76	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn					1		8-XSON (1.35X1)	다운로드						0000.00.0000	3,116						300MHz														spdt	2 : 1	10ohm	-	1.65V ~ 5.5V	-	3.8ns, 3.8ns	7.5pc	6pf	5µA	-
74LV164DB, 118	0.1800	RFQ	2	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LV164						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LV164DB, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1
S912ZVHL64F1CLL	-	RFQ	7966	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		S912					100-LQFP (14x14)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-S912ZVHL64F1CLL	3A991	8542.31.0001	1							73	HCS12Z	16 비트	32MHz	Canbus, I²C, Linbus, Sci, Spi	DMA, LCD, POR, PWM, WDT	64KB (64K X 8)	플래시	4K X 8	4K X 8	5.5V ~ 18V	A/D 4X10B SAR	외부, 내부																				확인되지 확인되지
HEF4013BTT, 118	-	RFQ	3096	nxp 반도체	4000B	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입	HEF4013		보완 보완		3V ~ 15V	14-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4013BTT, 118-954			1		2	1	3.4ma, 3.4ma	설정 (설정 사전) 및 재설정																										40MHz		긍정적 긍정적 가장자리	60ns @ 15V, 50pf	4 µA	7.5 pf
MC908JK3ECDWE	3.4400	RFQ	6527	nxp 반도체	HC08	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)							20-	-				2156-MC908JK3ECDWE			12							15	M68HC08	8 비트	8MHz	-	LED, LVD, POR, PWM	4KB (4K X 8)	플래시	-	128 x 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 10X8B SAR	외부, 내부
74LV4066DB, 118	0.2100	RFQ	2	nxp 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LV4066DB, 118-954			1
74HC4511D, 653	0.3700	RFQ	16	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HC4511						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC4511D, 653-954			804
74HCT4052dB, 118	-	RFQ	6760	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HCT4052						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT4052DB, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1
LPC824M201JDH20J	1.2300	RFQ	90	nxp 반도체	LPC82X	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)							20-tssop	-				2156-LPC824M201JDH20J			245							16	ARM® Cortex®-M0+	32 비트	30MHz	I²C, SPI, UART/USART	브라운 브라운 브라운 감지/재설정, DMA, POR, PWM, WDT	32KB (32k x 8)	플래시	-	8k x 8	1.8V ~ 3.6V	A/D 5X12B SAR	내부
MC9RS08KA8CPJ	-	RFQ	8626	nxp 반도체	S08	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)							20-PDIP	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9RS08KA8CPJ-954			1							17	RS08	8 비트	20MHz	i²c	LVD, POR, PWM, WDT	8KB (8K X 8)	플래시	-	254 x 8	1.8V ~ 5.5V	A/D 12X10B SAR	내부
HEF4104BT, 652	0.5600	RFQ	7	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					Hef4104						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4104BT, 652-954			1
74LVC126ABQ, 115	0.1000	RFQ	7989	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드		74LVC126	-	3 국가		1.2V ~ 3.6V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC126ABQ, 115-954			1	버퍼, 반전 비	4	1	24MA, 24MA
CBT3257APW, 112	-	RFQ	9419	nxp 반도체	74CBT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	멀티플렉서/demultiplexer	CBT3257				4.5V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-CBT3257APW, 112-954			1				-																												단일 단일					4 x 2 : 1	1
LPC43S20FBD144E	7.5400	RFQ	410	nxp 반도체	LPC43XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-LQFP		LPC43S20					144-LQFP (20x20)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LPC43S20FBD144E	5A992	8542.31.0001	1							83	ARM® Cortex®-M0, ARM® Cortex®-M4	32 비트 듀얼 비트	204MHz	Canbus, Ebi/Emi, I²C, Irda, Microir, MMC/SD, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB, USB OTG	브라운 브라운 브라운 감지/재설정, dma, i²s, 모터 컨트롤 pwm, por, pwm, wdt	-	로마	-	200k x 8	2.2V ~ 3.6V	A/D 8x10B SAR; d/a 1x10b	외부, 내부
P83C557E4EFB/215557	5.2000	RFQ	330	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는											-				2156-P83C557E4EFB/215557			58
74AUP1GU04GW, 125	-	RFQ	3749	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74AUP1GU04						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1GU04GW, 125-954	귀 99	8542.39.0001	1
LPC1830-uk012	9.1600	RFQ	49	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는											-				2156-LPC1830-uk012			33
74ALVCH16245DL, 112	0.6800	RFQ	5	nxp 반도체	74ALVCH	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)		74ALVCH16245	-	3 국가		1.2V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVCH16245DL, 112-954			1	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
74AHCT541D, 112	-	RFQ	6983	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		74AHCT541	-	3 국가		4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT541D, 112-954			1	버퍼, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
74HC132dB, 118	-	RFQ	8158	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74HC132						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC132DB, 118-954			1
74LVC1637333333333333, 112	0.2700	RFQ	5274	nxp 반도체	*	대부분	활동적인					74LVC16373						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC163733333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333 떨어도까지			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (1935)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²