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통합 통합 (ICS) (1935)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	데이터 데이터	인터페이스	코어/너비 버스 수	공동 공동/dsp	램 램	그래픽 그래픽	디스플레이 디스플레이 인터페이스 및	이더넷	사타	USB	전압 -i/o	보안 보안	추가 추가	인터럽트 인터럽트	현재- 소스 출력/싱크	시계 시계	입력 입력	시계 시계	비 비 기억	온칩 온칩	전압 - 코어	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB	출력 출력	현재 - 출력	전압 - 하중	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	sic 프로그램 가능
74AUP1T58GN, 132	-	RFQ	6039	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-xfdfn		구성 구성 게이트 가능한 함수	74AUP1T58			단일 단일	1		6-XSON (0.9x1)	다운로드						0000.00.0000	1																					-																-														전압 전압	단방향	1	1.8 V ~ 2.7 v	2.3 v ~ 3.6 v
74AUP2G34GXZ	0.1500	RFQ	101	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	6-xfdfn			74AUP2G34	-		푸시 푸시		0.8V ~ 3.6V	6-x2son (1.0x0.8)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP2G34GXZ-954	귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	2	1	4MA, 4MA
74HCT153d, 652	0.2100	RFQ	21	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74HCT153					4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT153D, 652-954			1				4MA, 4MA																																						단일 단일							2 x 4 : 1	1
PCA9670pw, 112	0.7600	RFQ	1	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		포도주				푸시 푸시		2.3V ~ 5.5V	16-TSSOP	-				2156-PCA9670PW, 112			398								8														i²c, smbus												예	300µA, 41MA	1MHz
74LV164DB, 118	0.1800	RFQ	2	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74LV164							다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LV164DB, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1
74HCT4538D, 112	0.2900	RFQ	10	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT4538							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT4538D, 112-954			1
74lvth125d, 118	0.1300	RFQ	5	nxp 반도체	74lvth	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74lvth125	-		3 국가		2.7V ~ 3.6V	14-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVTH125D, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	4	1	32MA, 64MA
HEF4520BT, 653	-	RFQ	2773	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							Hef4520							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4520BT, 653-954			1
MPC8245TVV300D	-	RFQ	3635	nxp 반도체	MPC82XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	352-lbga									352-TBGA (35x35)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MPC8245TVV300D-954			1									Powerpc 603E		300MHz												1 비트, 32 코어	-	sdram	아니요	-	-	-	-	3.3v	-	dma, duart, i²c, i²o, pci, uart
KCIMX6U7CVM08AC	-	RFQ	9361	nxp 반도체	-	대부분	활동적인														-				2156-KCIMX6U7CVM08AC			1
74LVC1G07GM, 115	-	RFQ	5827	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	6-xfdfn			74LVC1G07	-		열린 열린		1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT886 (1.45x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G07GM, 115-954			1	버퍼, 반전 비	1	1	-, 32MA
MKW37Z512VFT4	-	RFQ	3693	nxp 반도체	Kinetis KW3	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면, 마운트 측면	48-vfqfn 노출 패드			MKW37Z512						48-HVQFN (7x7)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2156-MKW37Z512VFT4	5A992	8542.31.0001	1									ARM® Cortex®-M0+	32 비트	48MHz	I²C, SPI, UART/USART	브라운 브라운 감지/재설정, lvd, por, pwm, wdt	512KB (512k x 8)	플래시	-	64k x 8	1.71V ~ 3.6V	A/D 16B SAR	내부																																										확인되지 확인되지
74AHCT245PW, 118	-	RFQ	2048	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74AHCT245	-		3 국가		4.5V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT245PW, 118-954			1	트랜시버, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
MKL81Z128VLK7	-	RFQ	6854	nxp 반도체	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	80-LQFP									80-LQFP (12x12)	-				2156-MKL81Z128VLK7			1								56	ARM® Cortex®-M0+	32 비트	72MHz	I²C, SPI, UART/USART, USB OTG	DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	-	96k x 8	1.71V ~ 3.6V	A/D 16X16B SAR; d/a 1x12b	내부
74LVC1G34GX/S500,125	-	RFQ	1734	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는														-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-74LVC1G34GX/S500,125-954			1
74HCT14DB, 112	0.1600	RFQ	15	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT14							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT14DB, 112-954			1
74HC240D, 652	0.2300	RFQ	7	nxp 반도체	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74HC240	-		3 국가		2V ~ 6V	20- 의자	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC240D, 652-954			1	버퍼, 반전	2	4	7.8ma, 7.8ma
74HCT373dB, 112	0.2700	RFQ	1	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT373							다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT373DB, 112-954			1
74HCT573dB, 112	0.1800	RFQ	1135	nxp 반도체	*	대부분	활동적인							74HCT573							다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT573dB, 112-954			1
MC9RS08KB8CWJ	-	RFQ	8529	nxp 반도체	S08	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)									20-	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC9RS08KB8CWJ-954			1								18	HCS08	8 비트	20MHz	I²C, Linbus	LVD, POR, PWM, WDT	8KB (8K X 8)	플래시	-	254 x 8	1.8V ~ 5.5V	A/D 12X10B SAR	외부, 내부
NL7SZ19MUR2G	-	RFQ	1837	nxp 반도체	-	대부분	활동적인														-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-NL7SZ19MUR2G-954			1
74LVC1G19GW-Q100125	-	RFQ	2958	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100, 74LVC	대부분	활동적인							74LVC1G19							다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G19GW-Q100125-954			1
74LVC1G32GW, 125	-	RFQ	2498	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인							74LVC1G32							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G32GW, 125-954			1
MC33886PVWR2	6.3100	RFQ	2	nxp 반도체	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	범용	표면 표면	20-SOIC (0.433 ", 11.00mm 너비) 노출 패드					CMOS			5V ~ 40V	20 마력	-				2156-MC33886PVWR2			48					드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지																	평행한																																		하프 하프 (2)	5a	5V ~ 40V	양극성	브러시 브러시 DC	-
74AUP1G17GF, 132	-	RFQ	3767	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	6-xfdfn				-		푸시 푸시		0.8V ~ 3.6V	6- Xson (1x1)	-				2156-74AUP1G17GF, 132			1	버퍼, 반전 비	1	1	4MA, 4MA
A1006UK/TA1NXZ	0.7200	RFQ	7	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는		-	표면 표면	6-xdfn d 패드	보안 보안 자								6-hxson (2x2)	-				2156-A1006UK/TA1NXZ			420
74LVC1GU04GS, 132	0.0800	RFQ	86	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-xfdfn		-	74LVC1GU04				1	1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT1202 (1x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1GU04GS, 132-954	귀 99	8542.39.0001	3,831	인버터			32MA, 32MA		4 µA	1																																					3NS @ 5V, 50pf			-	-
DSP56303AG100	-	RFQ	4882	nxp 반도체	DSP563XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)		표면 표면	144-LQFP	DSP								144-LQFP (20x20)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-DSP56303AG100-954	3A991	8542.31.0001	1																						호스트 호스트, SCI, SSI									3.30V							100MHz	ROM (576b)	24KB	3.30V
S912XEG128J2MAA	-	RFQ	4966	nxp 반도체	HCS12X	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	80-QFP									80-QFP (14x14)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-S912XEG128J2MAA-954			1								59	HCS12X	16 비트	50MHz	Canbus, EBI/EMI, I²C, IRDA, SCI, SPI	LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	2k x 8	12k x 8	1.72V ~ 1.98V	A/D 8X12B SAR	외부, 내부
74HCT74PW, 118	-	RFQ	7887	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HCT74			보완 보완		4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT74PW, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정																															59MHz							긍정적 긍정적 가장자리	44ns @ 4.5v, 50pf	40 µA	3.5 pf

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (1935)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²