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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	출력 출력	sic 프로그램 가능	산출	회로 회로	비율 - 출력 : 입력	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	비트 비트	데이터 데이터	건축학	참조 참조	전압 - 아날로그, 공급	전압 - 디지털, 공급	d/a 수 변환기	정착 정착	차동 차동	INL/DNL (LSB)	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	load	인터페이스	시계 시계	출력 출력	메모리 메모리	메모리 메모리	다시 다시	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	결함 결함	출력 출력	RDS ON (TYP)	전압 - 하중	스위치 스위치	현재- 최대 (출력)	모니터링되는 모니터링되는 수	전압 - 값 임계	시간 시간 재설정합니다
BD12732F-GE2	0.7400	RFQ	2	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)			BD12732			580µA	철도 철도 레일			2			8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.4V/µs	12 MA	범용	1MHz	50 NA	1 MV	1.8 v	5 v
ML610Q793-N01HBZ03B	1.7205	RFQ	2819	Rohm 반도체	ML610790	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-UFBGA, WLCSP			ML610Q793										48-WLCSP (3.06x2.96)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	2,000																												21	NX-U8/100	8 비트	4.096MHz	I²C, SPI, UART/USART	포, wdt	64KB (32k x 16)	플래시	-	4K X 8	1.7V ~ 1.9V	A/D 3X12B	외부
BU4834G-TR	0.2005	RFQ	6726	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753	간단한 간단한/재설정 재설정		BU4834						열린 열린 또는 배수 수집기				5-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BU4834GTR	귀 99	8542.39.0001	3,000																																															활성 활성/높은 낮음												1	3.4V	-
BR95160-WMN6TP	-	RFQ	6163	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			BR95160		eeprom							2.5V ~ 5.5V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BR95160WMN6TP	귀 99	8542.32.0051	2,500																																											5 MHz		비 비	16kbit			eeprom	2k x 8	SPI	5ms
BM2LB150FJ-CE2	1.4100	RFQ	6021	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	BM2LB150	비 비			p 채널				1 : 1		8-SOP-J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																																						3V ~ 5.5V				온/꺼짐		2									전류, 이상 온도, 전압	낮은면	150mohm	3V ~ 5.5V	범용	6.5A
BR93G56-3A	-	RFQ	6970	Rohm 반도체	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			BR93G56		eeprom							1.7V ~ 5.5V	8-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,000																																											3MHz		비 비	2kbit			eeprom	128 x 16	전자기	5ms
BU2508FV-E2	5.7200	RFQ	43	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BU2508				전압 - 버퍼	확인되지 확인되지					14-SSOP-B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																		10	SPI	R-2R	공급	5V	5V	4	20µs	아니요	± 3.5 ((), ± 1 (최대)
BR25H040FJ-2CE2	0.6500	RFQ	8596	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			BR25H040		eeprom							2.5V ~ 5.5V	8-SOP-J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,500																																											10MHz		비 비	4kbit			eeprom	512 x 8	SPI	4ms
MSM5117400F-60T3-K-7	-	RFQ	8746	Rohm 반도체	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	26-smd			MSM51		음주							4.5V ~ 5.5V	KBU	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	MSM5117400F60T3K7	귀 99	8542.32.0002	800																																													휘발성 휘발성	16mbit		30 ns	음주	4m x 4	평행한	110ns
BR93G76FJ-3BGTE2	-	RFQ	3253	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			BR93G76		eeprom							1.7V ~ 5.5V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,500																																											3MHz		비 비	8kbit			eeprom	512 x 16	전자기	5ms
BA4510FVT-GE2	0.9900	RFQ	2	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 75 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)						5MA	-			2			8-tssop-b	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										5V/µs		범용	10MHz	80 NA	1 MV	2 v	7 v
ML620Q153B-304TBZWMX	-	RFQ	7373	Rohm 반도체	ML620Q100	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TQFP			ML620Q153					확인되지 확인되지					48-TQFP (7x7)	다운로드			영향을받지 영향을받지	846-ML620Q153B-304TBZWMX			1																												31	NX-U16/100	16 비트	8.4mhz	I²C, SSP, UART/USART	POR, PWM, WDT	64KB (32k x 16)	플래시	2k x 8	2k x 8	1.8V ~ 5.5V	A/D 12X10B SAR	외부, 내부
MR44V064BMAZAATL	-	RFQ	8107	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MR44V064		프램 (Ferroelectric RAM)							1.8V ~ 3.6V	8-SOP	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500																																											3.4 MHz		비 비	64kbit		130 ns	프램	8k x 8	i²c	-
ML62Q1714-NNNTBZ0BX	7.4800	RFQ	100	Rohm 반도체	ML621700	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TQFP			ML62Q1714										48-TQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	1,000																												41	NX-U16/100	16 비트	24MHz	I²C, SSP, UART/USART	POR, PWM, WDT	128KB (128k x 8)	플래시	4K X 8	8k x 8	1.6V ~ 5.5V	A/D 12x10B; d/a 1x8b	내부
BD2066FJ-E2	2.0000	RFQ	2	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		슬로우 속도 상태, 제어 플래그	BD2066	비 비			n 채널				1 : 2		8-SOP-J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																																						필요하지 필요하지				온/꺼짐		2									전류 전류 (제한), 온도, 역류, uvlo	높은 높은	80mohm	2.7V ~ 5.5V	USB 스위치	1.5A
LM2901DR	-	RFQ	4783	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용		LM2901				CMOS, MOS,, 수집가, TTL						14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	LM2901DRRS	귀 99	8542.39.0001	2,500	4	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	7MV @ 5V	0.25µA @ 5V	16NA @ 5V	2MA	-	-	-
BD88210GUL-E2	1.0950	RFQ	3997	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-UFBGA, CSPBGA	AB	-	BD88210				헤드폰, 2 채널 (스테레오)					2.4V ~ 5.5V	VCSP50L2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000																																									80mw x 2 @ 16ohm
BR24G64F-3GTE2	0.3900	RFQ	2	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)			BR24G64		eeprom							1.6V ~ 5.5V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,500																																											400 kHz		비 비	64kbit			eeprom	8k x 8	i²c	5ms
ML610Q172-116GAZWAX	-	RFQ	3519	Rohm 반도체	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-QFP			ML610Q172										64-QFP (14x14)	다운로드			영향을받지 영향을받지	846-ML610Q172-116GAZWAX			1																												37	NX-U8/100	8 비트	8.4mhz	I²C, SSP, UART/USART	LCD, POR, PWM, WDT	128KB (64K X 16)	플래시	2k x 8	4K X 8	2.2V ~ 5.5V	A/D 12X10B SAR	외부, 내부
ML620Q134B-NNNMB07FL	-	RFQ	6332	Rohm 반도체	ML620Q100	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			ML620Q134										16-SSOP	다운로드			영향을받지 영향을받지	846-ML620Q134B-NNNMB07FL			1																												14	NX-U16/100	16 비트	32MHz	I²C, SSP, UART/USART	LVD, POR, PWM, WDT	8KB (4K X 16)	플래시	1K X 16	2k x 8	1.6V ~ 5.5V	A/D 8X10B SAR	내부
BU7464SF-E2	1.3500	RFQ	3310	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)			BU7464			600µA	-			4			14-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1V/µs	12 MA	CMOS	1MHz	1 PA	1 MV	1.7 v	5.5 v
ML620Q159B NNNTBZ0MX	-	RFQ	2144	Rohm 반도체	ML620Q100	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-tqfp			ML620Q159										64-TQFP (10x10)	다운로드			영향을받지 영향을받지	846-ML620Q159B-NNNTBZ0MX			1																												46	NX-U16/100	16 비트	8.4mhz	I²C, SSP, UART/USART	POR, PWM, WDT	64KB (32k x 16)	플래시	2k x 8	2k x 8	1.8V ~ 5.5V	A/D 12X10B SAR	외부, 내부
BD46482G-TR	0.8400	RFQ	605	Rohm 반도체	BD46XXX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753	전압 전압		BD46482						푸시 푸시, 풀 기둥				5-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																																															활성 활성												1	4.8V	180ms
BR93A86RFVT-WME2	1.1000	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BR93A86		eeprom							2.5V ~ 5.5V	8-tssop-b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	3,000																																											2 MHz		비 비	16kbit			eeprom	1K X 16	전자기	5ms
BD12734FVJ-E2	1.4800	RFQ	70	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BD12734			1.2MA	철도 철도 레일			4			14-TSSOP-BJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.4V/µs	12 MA	범용	1MHz	50 NA	1 MV	1.8 v	5 v
ML62Q1532-NNNTBZ0BX	6.8600	RFQ	5749	Rohm 반도체	ML621500	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TQFP			ML62Q1532										48-TQFP (7x7)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	1,000																												42	NX-U16/100	16 비트	25MHz	I²C, SSP, UART/USART	POR, PWM, WDT	64KB (64K X 8)	플래시	4K X 8	8k x 8	1.6V ~ 5.5V	A/D 12x10B; d/a 1x8b	내부
MSM51V18165F-60J3-7	-	RFQ	2268	Rohm 반도체	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-			MSM51		음주							3V ~ 3.6V	42-SOJ	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)			귀 99	8542.32.0002	833																																													휘발성 휘발성	16mbit		30 ns	음주	1m x 16	평행한	104ns
BD48E24G-MTR	0.7300	RFQ	2	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100, BD48exx	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753	전압 전압		BD48E24						열린 열린 또는 배수 수집기				5-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																																															활성 활성												1	2.4V	-
ML62Q1367-NNNTBZ0BX	5.2100	RFQ	2	Rohm 반도체	ML621300	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	32-TQFP			ML62Q1367										32-TQFP (7x7)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	1,000																												28	NX-U16/100	16 비트	25MHz	I²C, SSP, UART/USART	POR, PWM, WDT	64KB (64K X 8)	플래시	2k x 8	4K X 8	1.6V ~ 5.5V	A/D 8x10B; d/a 1x8b	내부
ML610Q174-482GAZWAX	-	RFQ	1260	Rohm 반도체	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	80BQFP			ML610Q174										80-QFP (14x20)	다운로드			영향을받지 영향을받지	846-ML610Q174-482GAZWAX			1																												49	NX-U8/100	8 비트	8.4mhz	I²C, SSP, UART/USART	LCD, POR, PWM, WDT	128KB (64K X 16)	플래시	2k x 8	4K X 8	2.2V ~ 5.5V	A/D 12x10B	내부

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7123)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²