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통합 통합 (ICS) (7123)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전압- 최대 (입력) 출력 출력 sic 프로그램 가능 산출 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 요소 요소 기능 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기 인터페이스 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 다시 다시 현재 -Quiescent (iq) 현재 -공급 (max) 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 동기 동기 현재 - 출력 전압 - 하중 모터 모터 - 타입 모터 모터 -AC, DC 단계 단계 모니터링되는 모니터링되는 수 전압 - 값 임계 시간 시간 재설정합니다 전압- 최소 (출력/고정) 전압- 최대 (출력) 전압- 최소 (입력) 규제 규제 수 전압 전압 아웃 (최대) PSRR 보호 보호
BU90104GWZ-E2 Rohm Semiconductor BU90104GWZ-E2 0.8800
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-XFBGA, CSPBGA BU90104 5.5V 결정된 UCSP35L1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 뿌리 뿌리 1 책임 4.8MHz ~ 6MHz 긍정적인 예 1A 1.8V - 2.3V
ML62Q1577-NNNGAZ0AX Rohm Semiconductor ML62Q1577 NNGAZ0AX 12.9400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Rohm 반도체 ML621500 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-bqfp ML62Q1577 100-QFP (14x20) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 600 92 NX-U16/100 16 비트 25MHz I²C, SSP, UART/USART POR, PWM, WDT 256KB (256k x 8) 플래시 4K X 8 16k x 8 1.6V ~ 5.5V A/D 16x10b; d/a 2x8b 내부
ML62Q1700-NNNTBZ0BX Rohm Semiconductor ML62Q1700-NNNTBZ0BX 6.6600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Rohm 반도체 ML621700 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TQFP ML62Q1700 48-TQFP (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 1,000 37 NX-U16/100 16 비트 24MHz I²C, SSP, UART/USART POR, PWM, WDT 32KB (32k x 8) 플래시 4K X 8 8k x 8 1.6V ~ 5.5V A/D 12x10B; d/a 1x8b 내부
BR25L010FVM-WTR Rohm Semiconductor BR25L010FVM-WTR 0.5702
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) BR25L010 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,000 5 MHz 비 비 1kbit eeprom 128 x 8 SPI 5ms
BD433M2WEFJ-CE2 Rohm Semiconductor BD433M2WEFJ-CE2 1.8500
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 BD433 42V 결정된 8-HTSOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 90 µA 150 µA 할 할있게 수 긍정적인 200ma 3.3v - 1 0.45V @ 100ma 65dB (120Hz) 현재, 이상 온도
BD48K46G-TL Rohm Semiconductor BD48K46G-TL 0.4400
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 Rohm 반도체 BD48KXX 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 전압 전압 BD48K46 확인되지 확인되지 열린 열린 또는 배수 수집기 3-ssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.6v -
BR25H080F-2CE2 Rohm Semiconductor BR25H080F-2CE2 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) BR25H080 eeprom 2.5V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 10MHz 비 비 8kbit eeprom 1K X 8 SPI 4ms
BD50GC0MEFJ-ME2 Rohm Semiconductor BD50GC0MEFJ-ME2 1.3100
RFQ
 ECAD 760 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 BD50GC0 14V 결정된 8-HTSOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 1.2 MA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 1.2v @ 1a - 전류, 이상 온도, 소프트 스타트
BD6967FVM-TR Rohm Semiconductor BD6967FVM-TR 0.6300
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 팬 팬 드라이버 표면 표면 10-VFSOP, 10-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) BD6967 MOSFET 3.3V ~ 14V 10-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 PWM 하프 하프 (2) 800ma 3.3V ~ 14V - DC (BLDC) -
BD50FC0WEFJ-E2 Rohm Semiconductor BD50FC0WEFJ-E2 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 BD50FC0 26.5V 결정된 8-HTSOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 0.5 MA 2.5 MA 할 할있게 수 긍정적인 1A 5V - 1 0.5V @ 500MA - 현재, 이상 온도
BA03CC0T Rohm Semiconductor BA03CC0T 2.7500
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 BA03CC0 25V 결정된 TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 2.5 MA 5 MA - 긍정적인 1A 3V - 1 - 55dB (120Hz) 전류, 이상 온도, 전압
BD30HA3MEFJ-LBH2 Rohm Semiconductor bd30ha3mefj-lbh2 1.6900
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 BD30HA3 8V 결정된 8-HTSOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 1.2 MA 할 할있게 수 긍정적인 300ma 3V - 1 1.2v @ 300ma - 전류, 이상 온도, 소프트 스타트
BR93L86FJ-WE2 Rohm Semiconductor BR93L86FJ-WE2 -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BR93L86 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-SOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 비 비 16kbit eeprom 1K X 16 전자기 5ms
BRCA016GWZ-WE2 Rohm Semiconductor BRCA016GWZ-WE2 0.4702
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-XFBGA, CSPBGA BRCA016 eeprom 1.7V ~ 3.6V UCSP30L1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 비 비 16kbit eeprom 2k x 8 i²c 5ms
BR93G86FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR93G86FVJ-3GTE2 0.2628
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) BR93G86 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-TSSOP-BJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 3MHz 비 비 16kbit eeprom 2k x 8, 1k x 16 전자기 5ms
BR24G32NUX-5TR Rohm Semiconductor BR24G32NUX-5TR 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 BR24G32 eeprom 1.6V ~ 5.5V vson008x2030 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 4,000 1MHz 비 비 32kbit eeprom 4K X 8 i²c 5ms
BD49E29G-MTR Rohm Semiconductor BD49E29G-MTR 0.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100, BD49EXXX-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 전압 전압 BD49E29 푸시 푸시, 풀 기둥 5-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 2.9V -
BR24S32FJ-WE2 Rohm Semiconductor BR24S32FJ-WE2 0.5956
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BR24S32 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SOP-J 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 비 비 32kbit eeprom 4K X 8 i²c 5ms
BR93A76RFVM-WMTR Rohm Semiconductor BR93A76RFVM-WMTR 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) BR93A76 eeprom 2.5V ~ 5.5V 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,000 2 MHz 비 비 8kbit eeprom 512 x 16 전자기 5ms
BR24G256FV-3AGTE2 Rohm Semiconductor BR24G256FV-3AGTE2 0.4596
RFQ
 ECAD 8490 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) BR24G256 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-SSOP-B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 1MHz 비 비 256kbit eeprom 32k x 8 i²c 5ms
BR24C02-10TU-1.8 Rohm Semiconductor BR24C02-10TU-1.8 -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) BR24C02 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-tssop-b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BR24C0210TU1.8 귀 99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 비 비 2kbit eeprom 256 x 8 i²c 5ms
LM393FVM-TR Rohm Semiconductor LM393FVM-TR 0.7300
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) 범용 오픈-수집가 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 3V ~ 32V, ± 1.5V ~ 16V 4.5MV @ 1.4V 0.05µa @ 1.4v 16MA @ 5V 1MA - - -
BR24G256FVT-3AGE2 Rohm Semiconductor BR24G256FVT-3AGE2 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) BR24G256 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-tssop-b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 3,000 1MHz 비 비 256kbit eeprom 32k x 8 i²c 5ms
BR24T01F-WE2 Rohm Semiconductor BR24T01F-WE2 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) BR24T01 eeprom 1.6V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 비 비 1kbit eeprom 128 x 8 i²c 5ms
BR24C16-WMN6TP Rohm Semiconductor BR24C16-WMN6TP -
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BR24C16 eeprom 2.5V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 비 비 16kbit eeprom 2k x 8 i²c 5ms
BR24T16FV-WE2 Rohm Semiconductor BR24T16FV-WE2 0.2805
RFQ
 ECAD 1239 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) BR24T16 eeprom 1.6V ~ 5.5V 8-SSOP-B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 비 비 16kbit eeprom 2k x 8 i²c 5ms
BR24C64-MN6TP Rohm Semiconductor BR24C64-MN6TP 1.0345
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BR24C64 eeprom 4.5V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 비 비 64kbit eeprom 8k x 8 i²c 5ms
BR25L160F-WE2 Rohm Semiconductor BR25L160F-WE2 0.7419
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) BR25L160 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0051 2,500 5 MHz 비 비 16kbit eeprom 2k x 8 SPI 5ms
BU4347FVE-TR Rohm Semiconductor BU4347FVE-TR -
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 SOT-665 간단한 간단한/재설정 재설정 BU4347 확인되지 확인되지 푸시 푸시, 풀 기둥 5-VSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성 활성 1 4.7V 조정 조정/가능 가능
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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