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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전류 - 공급	채널 채널	전압- 최대 (입력)	출력 출력	sic 프로그램 가능	산출	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	기능	-3dB 대역폭	구성	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	스위치 스위치	멀티플렉서/demultiplexer 회로	온 온 저항 (최대)	전압- 단일, 공급 (v+)	전압- 이중, 공급 (v ±)	인터페이스	시계 시계	출력 출력	메모리 메모리	메모리 메모리	다시 다시	현재 -Quiescent (iq)	현재 -공급 (max)	채널 채널	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	토폴로지	주파수 - 스위칭	제어 제어	출력 출력	동기 동기	현재 - 출력	디스플레이 디스플레이	숫자 숫자 문자	전압 - 하중	구동 구동	드라이버 드라이버	게이트 게이트	논리 논리 - vil, vih	현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크)	상승 / 시간 낙하 (타이핑)	높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)	모터 모터 - 타입	모터 모터 -AC, DC	단계 단계	모니터링되는 모니터링되는 수	전압 - 값 임계	시간 시간 재설정합니다	전압- 최소 (출력/고정)	전압- 최대 (출력)	전압- 최소 (입력)	규제 규제 수	전압 전압 아웃 (최대)	PSRR	보호 보호
BU4314F-TR	0.2705	RFQ	8801	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SC-82	간단한 간단한/재설정 재설정		BU4314								푸시 푸시, 풀 기둥		4-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																														활성 활성																											1	1.4V	조정 조정/가능 가능
BU9795AKS2-E2	-	RFQ	2728	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	52-LQFP			BU9795			12.5 µA						2.5V ~ 5.5V	SQFP-T52M (10x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000						140 세그먼트																			3 와이어 직렬																			LCD	-
BH29FB1WG-TR	0.3320	RFQ	6327	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			BH29FB1					5.5V	결정된				5-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																															70 µA									할 할있게 수	긍정적인		150ma																	2.9V	-		1	0.45V @ 100ma	70dB (1kHz)	현재, 이상 온도
BD18IC0MEFJ-ME2	1.2900	RFQ	6	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드			BD18IC0					5.5V	결정된				8-HTSOP-J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																															0.25 MA	700 µA								할 할있게 수	긍정적인		1A																	1.8V	-		1	0.9V @ 1a	-	전류, 이상 온도, 소프트 스타트
BS2103F-E2	-	RFQ	7410	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)			BS2103	비 비						확인되지 확인되지		10V ~ 18V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500																																	독립적인														하프 하프	2	IGBT, N-, MOSFET	1V, 2.6V	60ma, 130ma	200ns, 100ns	600 v
BD45385G-TR	0.3258	RFQ	1530	Rohm 반도체	BD45XXX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753	전압 전압		BD45385								열린 열린 또는 배수 수집기		5-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																														활성 활성																											1	3.8V	45ms
BU34JA2MNVX-CTL	0.9000	RFQ	5	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	4-udfn n 패드			BU34JA2					6V	결정된				SSON004X1010	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000																															90 µA									할 할있게 수	긍정적인		200ma																	3.4V	-		1	0.49V @ 200mA	70dB (1kHz)	현재, 이상 온도
BR25L040FJ-WE2	0.8600	RFQ	13	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			BR25L040		eeprom							1.8V ~ 5.5V	8-SOP-J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,500																										5 MHz		비 비	4kbit					eeprom	512 x 8	SPI	5ms
BR25H160FVM-5ACTR	0.7300	RFQ	3	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비)					eeprom							1.7V ~ 5.5V	8-MSOP	다운로드		1 (무제한)					3,000																										20MHz		비 비	16kbit					eeprom	2k x 8	SPI	3.5ms
BR25G256FJ-3GE2	1.1000	RFQ	2	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			BR25G256		eeprom							1.6V ~ 5.5V	8-SOP-J	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,500																										20MHz		비 비	256kbit					eeprom	32k x 8	SPI	5ms
BR24S08FVM-WTR	0.4702	RFQ	5129	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비)			BR24S08		eeprom							1.7V ~ 5.5V	8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	3,000																										400 kHz		비 비	8kbit					eeprom	1K X 8	i²c	5ms
ML610Q174-435GAZWAAL	-	RFQ	5147	Rohm 반도체	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	80BQFP			ML610Q174										80-QFP (14x20)	다운로드			영향을받지 영향을받지	846-ML610Q174-435GAZWAAL			1							49	NX-U8/100	8 비트	8.4mhz	I²C, SSP, UART/USART	LCD, POR, PWM, WDT	128KB (64K X 16)	플래시	2k x 8	4K X 8	2.2V ~ 5.5V	A/D 12x10B	내부
BA3662CP-V5E2	2.8500	RFQ	8	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	TO-220-5 5 팩, 형성 된 리드			BA3662					25V	조절할 조절할있는				to220cp-v5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500																															2.5 MA	5 MA								할 할있게 수	긍정적인		300ma																	3V	15V		1	-	55dB (120Hz)	전류, 이상 온도, 전압
BR25020N-10SU-2.7	0.5732	RFQ	9973	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			BR25020		eeprom							2.7V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BR25020N10SU2.7	귀 99	8542.32.0051	2,500																										3MHz		비 비	2kbit					eeprom	256 x 8	SPI	5ms
BU4094BC	-	RFQ	4139	Rohm 반도체	4000B	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			BU4094						트라이 트라이			3V ~ 18V	16-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	시프트 시프트	1	8	일련의 일련의
BD3925HFP-CTR	4.4200	RFQ	1	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA			BD3925					36v	조정 조정 (가능)				HRP-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000																															90 µA									할 할있게 수	긍정적인		500ma																	추적	-		1	0.48V @ 200mA	55dB (120Hz)	현재, 이상 온도
BD45411G-TR	0.3258	RFQ	9401	Rohm 반도체	BD45XXX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753	전압 전압		BD45411								열린 열린 또는 배수 수집기		5-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																														활성 활성																											1	4.1V	최소 90ms
BR24C08A-10TU-2.7	0.4602	RFQ	3018	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BR24C08		eeprom							2.7V ~ 5.5V	8-tssop-b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BR24C08A10TU2.7	귀 99	8542.32.0051	3,000																										400 kHz		비 비	8kbit					eeprom	1K X 8	i²c	5ms
BD6232HFP-TR	6.3500	RFQ	2	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	미디어 미디어	표면 표면	TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA			BD6232		MOSFET							6V ~ 32V	HRP7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000				드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지																					온/꺼짐																하프 하프 (2)		2A			6V ~ 32V								-	브러시 브러시 DC	-
BR24S16FV-WE2	0.6610	RFQ	4315	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BR24S16		eeprom							1.7V ~ 5.5V	8-SSOP-B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BR24S16FVWE2	귀 99	8542.32.0051	2,500																										400 kHz		비 비	16kbit					eeprom	2k x 8	i²c	5ms
BR24G01FVT-3AGE2	0.2400	RFQ	8604	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BR24G01		eeprom							1.6V ~ 5.5V	8-tssop-b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	3,000																										1MHz		비 비	1kbit					eeprom	128 x 8	i²c	5ms
BR24C32-WMN6TP	-	RFQ	7757	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			BR24C32		eeprom							2.5V ~ 5.5V	8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	2,500																										400 kHz		비 비	32kbit					eeprom	4K X 8	i²c	5ms
BR25320N-10SU-2.7	0.8919	RFQ	9414	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			BR25320		eeprom							2.7V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BR25320N10SU2.7	귀 99	8542.32.0051	2,500																										3MHz		비 비	32kbit					eeprom	4K X 8	SPI	5ms
BA178M20CP-E2	1.7600	RFQ	1292	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	TO-220-3 3 리드			BA178M20					33V	결정된				TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500																															4.5 MA	6 MA								-	긍정적인		500ma																	20V	-		1	2V @ 500ma (유형)	58dB (120Hz)	-
BR24G04FVT-3GE2	0.3100	RFQ	5	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BR24G04		eeprom							1.6V ~ 5.5V	8-tssop-b	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	3,000																										400 kHz		비 비	4kbit					eeprom	512 x 8	i²c	5ms
BU90004GWZ-E2	1.6500	RFQ	24	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	6-XFBGA, WLCSP			BU90004					5.5V	결정된				6-wlcsp	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000				뿌리 뿌리																							1											책임	5.4MHz		긍정적인	예	1A																	1.8V	-	2.3V
BA08CC0FP-E2	1.6800	RFQ	84	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			BA08					25V	결정된				TO-252	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000																															2.5 MA	5 MA								-	긍정적인		1A																	8V	-		1	-	55dB (120Hz)	전류, 이상 온도, 전압
BR93C86-WDW6TP	-	RFQ	6250	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			BR93C86		eeprom							2.5V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	3,000																										2 MHz		비 비	16kbit					eeprom	2k x 8	전자기	5ms
BA7649AF-E2	1.9080	RFQ	2099	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-25 ° C ~ 75 ° C	동영상	표면 표면	14-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	BA7649				1						14-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500					-															-	5 : 1	-	4.5V ~ 13V	-
bu26ua3wnvx-tl	0.1552	RFQ	1125	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	4-udfn n 패드			BU26UA3					5.5V	결정된				SSON004X1010	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000																															90 µA									할 할있게 수	긍정적인		300ma																	2.6v	-		1	0.22v @ 300ma	70dB (1kHz)	현재, 이상 온도

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (7123)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²