전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전류 - 공급 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | sic 프로그램 가능 | 산출 | 회로 회로 | 비율 - 출력 : 입력 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 슬림 슬림 | 현재 - 채널 / 출력 | 증폭기 증폭기 | 대역폭 대역폭 얻습니다 | 전류 - 바이어스 입력 | 전압 - 오프셋 입력 | 전압- 범위 공급 (최소) | 전압- 범위 공급 (최대) | 비트 비트 | 입력 입력 | 데이터 데이터 | 건축학 | 참조 참조 | 전압 - 아날로그, 공급 | 전압 - 디지털, 공급 | d/a 수 변환기 | 정착 정착 | 차동 차동 | INL/DNL (LSB) | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | 인터페이스 | 시계 시계 | 출력 출력 | 근접 근접 | 해결 | LED 드라이버 채널 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 다시 다시 | 현재 -Quiescent (iq) | 현재 -공급 (max) | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 내부 내부 | 토폴로지 | 주파수 - 스위칭 | 결함 결함 | 제어 제어 | 전압- 최대 (공급) | 출력 출력 | 출력 출력 | 듀티 듀티 (사이클) | 동기 동기 | 클록 클록 | 직렬 직렬 | 현재 - 출력 | RDS ON (TYP) | 전압 - 하중 | 모터 모터 - 타입 | 모터 모터 -AC, DC | 단계 단계 | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 | 스위치 스위치 | 현재- 최대 (출력) | 모니터링되는 모니터링되는 수 | 전압 - 값 임계 | 시간 시간 재설정합니다 | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 |
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![]() | BD6792FM-E2 | - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 75 ° C (TA) | 범용 | 표면 표면 | 28-SOP (0.295 ", 7.50mm 너비) + 2 개의 열 탭 | BD6792 | - | 18V ~ 30V | 28-HSOP-M | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (3) | 2A | - | - | 브러시 브러시 DC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD9D300MUV-E2 | 1.8000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-vfqfn 노출 패드 | BD9D300 | 17V | 조절할 조절할있는 | VQFN016V3030 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 1.25MHz | 긍정적인 | 예 | 3A | 0.9V | 5.25V | 4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD6513F-E2 | 1.9800 | ![]() | 8208 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | 상태 상태 | BD6513 | 비 비 | n 채널 | 1 : 2 | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 2 | 전류 전류 (제한), 온도, 역류, uvlo | 높은 높은 | 100mohm | 3V ~ 5.5V | USB 스위치 | 500ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24G32F-3GTE2 | 0.3500 | ![]() | 199 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR24G32 | eeprom | 1.6V ~ 5.5V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 비 비 | 32kbit | eeprom | 4K X 8 | i²c | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25G320FVT-3GE2 | 0.7200 | ![]() | 5141 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR25G320 | eeprom | 1.6V ~ 5.5V | 8-tssop-b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 20MHz | 비 비 | 32kbit | eeprom | 4K X 8 | SPI | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD3522EFV-E2 | - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -10 ° C ~ 100 ° C | 표면 표면 | 20-VSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | BD3522 | 4.5V | 조절할 조절할있는 | 20-HTSSOP-B | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1.4 MA | 2.2 MA | 활성화, 스타트 소프트 | 긍정적인 | 4a | 0.65V | 2.7V | 1 | - | - | " | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25H512FVM-5ACTR | 0.6000 | ![]() | 1501 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 1 (무제한) | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD1HC500EFJ-CE2 | 1.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | - | BD1HC500 | CMOS | p 채널 | 1 : 1 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 4V ~ 18V | - | 1 | 전류, 초과의 온도 UVLO | 높은 높은 | 500mohm | - | 범용 | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD6982FVM-GTR | 0.9200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 팬 팬 드라이버 | 표면 표면 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | BD6982 | MOSFET | 2.8V ~ 16V | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (2) | 800ma | 2.8V ~ 16V | - | DC (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD9775FV-E2 | 5.9040 | ![]() | 7639 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 28-LSSOP (0.220 ", 5.60mm 너비) | BD9775 | 트랜지스터 트랜지스터 | 28-SSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 뿌리 뿌리 | 6V ~ 30V | 2 | 책임 | 30kHz ~ 300kHz | 활성화, 제어 주파수, 소프트 스타트 | 긍정적인 | 1 | 45% | 예 | 예 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD2812GU-E2 | 4.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | LED 조명 | 표면 표면 | 32-VFBGA, CSPBGA | DC DC 레귤레이터 | BD2812 | 1MHz | VCSP85H3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 30.48ma | 2 | 아니요 | 스텝 스텝 (업) | 5.5V | i²c | 2.7V | 3.9V, 4.2V, 4.5V, 4.8V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q174-452GAZWAX | - | ![]() | 1221 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 80BQFP | ML610Q174 | 확인되지 확인되지 | 80-QFP (14x20) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML610Q174-452GAZWAX | 1 | 49 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, POR, PWM, WDT | 128KB (64K X 16) | 플래시 | 2k x 8 | 4K X 8 | 2.2V ~ 5.5V | A/D 12x10B | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25010N-10SU-2.7 | 0.5578 | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BR25010 | eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BR25010N10SU2.7 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3MHz | 비 비 | 1kbit | eeprom | 128 x 8 | SPI | 5ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD53E45G-TR | 0.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | bd53exx | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | BD53E45 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BR25G640NUX-3TR | 0.5900 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | BR25G640 | eeprom | 1.6V ~ 5.5V | vson008x2030 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 20MHz | 비 비 | 64kbit | eeprom | 8k x 8 | SPI | 5ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD82021FVJ-E2 | 0.6090 | ![]() | 4649 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | 로드로드, 방전 플래그 | BD82021 | 비 비 | n 채널 | 1 : 1 | 8-TSSOP-BJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 필요하지 필요하지 | 온/꺼짐 | 1 | 전류 전류 (제한), 온도, 역류, uvlo | 높은 높은 | 90mohm | 2.8V ~ 5.5V | USB 스위치 | 1.5A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD1LB500EFJ-CE2 | 1.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | - | BD1LB500 | CMOS | n 채널 | 1 : 1 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 3.5V ~ 5.5V | - | 1 | 전류, 초과의 온도 UVLO | 낮은면 | 300mohm | - | 범용 | 800ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD9892K-GE2 | - | ![]() | 3756 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | BD9892 | - | Rohs3 준수 | 846-BD9892K-GE2TR | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25L640F-WE2 | - | ![]() | 8787 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR25L640 | eeprom | 1.8V ~ 5.5V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 5 MHz | 비 비 | 64kbit | eeprom | 8k x 8 | SPI | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA6664FM-E2 | 2.3940 | ![]() | 8224 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 미디어 미디어 | 표면 표면 | 28-SOP (0.295 ", 7.50mm 너비) + 2 개의 열 탭 | BA6664 | 양극성 | 4.5V ~ 5.5V | 28-HSOP-M | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (3) | 840ma | 3V ~ 14V | - | DC (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA10324AF-E2 | 0.9500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BA10324 | 600µA | - | 4 | 14-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 0.2V/µs | 35 MA | 범용 | 500 kHz | 20 NA | 2 MV | 3 v | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BH2226FV-E2 | 4.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BH2226 | 전압 - 버퍼 | 확인되지 확인되지 | 16-SSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 8 | SPI | R-2R | - | 2.7V ~ 5.5V | 2.7V ~ 5.5V | 8 | 100µs | 아니요 | ± 1.5 ((), ± 1 (최대 최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA6859AFP-YE2 | 2.4840 | ![]() | 6899 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | BA6859 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD9300F-E2 | 3.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BD9300 | 트랜지스터 트랜지스터 | 14-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 스텝 스텝, 업 다운 | 3.6V ~ 35V | 1 | 벅, 부스트 | 20kHz ~ 800kHz | 주파수 주파수 | 긍정적이거나 긍정적이거나 | 1 | 100% | 아니요 | 아니요 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD63843EFV-E2 | 6.8100 | ![]() | 265 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -25 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 범용 | 표면 표면 | 28-VSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | BD63843 | DMOS | 19V ~ 28V | 28-HTSSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (4) | 700ma | 19V ~ 28V | 양극성 | - | 1, 1/2, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU21009MUV-E2 | - | ![]() | 3580 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 32-vfqfn 노출 패드 | 슬라이더 | BU21009 | 300µA | 2.5V ~ 3.3V | VQFN032V5050 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 최대 16 | i²c | 아니요 | 10 b | 최대 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q174-494GAZWAX | - | ![]() | 5309 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 80BQFP | ML610Q174 | 80-QFP (14x20) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML610Q174-494GAZWAX | 1 | 49 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, POR, PWM, WDT | 128KB (64K X 16) | 플래시 | 2k x 8 | 4K X 8 | 2.2V ~ 5.5V | A/D 12x10B | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24S16FJ-WE2 | 0.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BR24S16 | eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 비 비 | 16kbit | eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bd9g401uefj-me2 | 3.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | 42V | 조절할 조절할있는 | 8-HTSOP-JES | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz | 긍정적인 | 아니요 | 3.5a | 0.8V | 42V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU29TA2WHFV-TR | 0.2797 | ![]() | 4234 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-665 | BU29TA2 | 5.5V | 결정된 | 5-hvsof | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BU29TA2WHFVTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 95 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 200ma | 2.9V | - | 1 | 0.66V @ 200mA | 65db (1khz) | 현재, 이상 온도 |
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