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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전류 - 공급 | 배터리 배터리 | 세포 세포 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | sic 프로그램 가능 | 산출 | 회로 회로 | 비율 - 출력 : 입력 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 요소 요소 | 기능 | 표준 | 제어 제어 | 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) | 전압- 오프셋 입력 (최대) | 현재- 바이어스 입력 (최대) | 현재- 유형 (출력) | 현재 -Quiescent (최대) | CMRR, PSRR (TYP) | 전파 전파 (지연) | 히스테리시스 | 슬림 슬림 | 현재 - 채널 / 출력 | 증폭기 증폭기 | 대역폭 대역폭 얻습니다 | 전류 - 바이어스 입력 | 전압 - 오프셋 입력 | 전압- 범위 공급 (최소) | 전압- 범위 공급 (최대) | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | load | 인터페이스 | 시계 시계 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 다시 다시 | 현재 -Quiescent (iq) | 현재 -공급 (max) | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 내부 내부 | 토폴로지 | 주파수 - 스위칭 | 결함 결함 | 제어 제어 | 전압- 최대 (공급) | 출력 출력 | 동기 동기 | 현재 - 출력 | RDS ON (TYP) | 전압 - 하중 | 모터 모터 - 타입 | 모터 모터 -AC, DC | 단계 단계 | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 | 스위치 스위치 | 현재- 최대 (출력) | 모니터링되는 모니터링되는 수 | 전압 - 값 임계 | 시간 시간 재설정합니다 | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 | sic 프로그램 가능 |
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![]() | BU7261SG-TR | 1.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | BU7261 | 250µA | 철도 철도 레일 | 1 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 3,000 | 1.1V/µs | 12 MA | 범용 | 2 MHz | 1 PA | 1 MV | 1.8 v | 5.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML620Q156B-618TBWARL | - | ![]() | 1972 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 52-TQFP | ML620Q156 | 52-TQFP (10x10) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q156B-618TBWARL | 1 | 34 | NX-U16/100 | 16 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 64KB (32k x 16) | 플래시 | 2k x 8 | 2k x 8 | 1.8V ~ 5.5V | A/D 12X10B SAR | 외부, 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR93G76FVM-3AGTTR | 0.2565 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | BR93G76 | eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 3MHz | 비 비 | 8kbit | eeprom | 512 x 16 | 전자기 | 5ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BH29MA3WHFV-TR | 0.3320 | ![]() | 4142 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 노출 패드 패드 | BH29MA3 | 5.5V | 결정된 | 6-HVSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 95 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 300ma | 2.9V | - | 1 | 0.09V @ 100MA | 60dB (1kHz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD63720AEFV-E2 | 3.0600 | ![]() | 5497 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 범용 | 표면 표면 | 28-VSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | BD63720 | DMOS | 19V ~ 28V | 28-HTSSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (4) | 1.2A | 19V ~ 28V | 양극성 | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD6083GUL-E2 | - | ![]() | 8756 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | 백라이트 | 표면 표면 | 35-UFBGA, CSPBGA | DC DC 레귤레이터 | BD6083 | 1MHz | VCSP50L3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 25.6MA | 6 + 4LDOS | 예 | 스위치 스위치 (커패시터 펌프) | 5.5V | i²c | 2.7V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML62Q1737 NNGAZ0AX | 11.0900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML621700 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 80-QFP | ML62Q1737 | 80-QFP (14x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 840 | 67 | NX-U16/100 | 16 비트 | 25MHz | I²C, SSP, UART/USART | POR, PWM, WDT | 256KB (256k x 8) | 플래시 | 4K X 8 | 16k x 8 | 1.6V ~ 5.5V | A/D 16x10b; d/a 2x8b | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BA90BC0WT-V5 | 1.7752 | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-5 5 팩 | BA90BC0 | 16V | 결정된 | TO-220FP-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BA90BC0WTV5 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 0.5 MA | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 9V | - | 1 | - | 55dB (120Hz) | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA10358FV-E2 | 0.6400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BA10358 | 700µA | - | 2 | 8-SSOP-B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 0.2V/µs | 20 MA | 범용 | 500 kHz | 45 NA | 2 MV | 3 v | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD6041GUL-E2 | 1.2675 | ![]() | 2815 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -35 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 9-UFBGA, CSPBGA | BD6041 | - | - | 9-vcsp50L1 (1.6x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 배터리 배터리 | - | 전류, 전압 과도한 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA7071F-E2 | 2.1240 | ![]() | 4496 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 비디오 비디오 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BA7071 | 2.85V ~ 7.5V | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 분리 분리 | NTSC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU7232FVM-TR | 2.0800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | 범용 | BU7232 | 푸시 푸시 | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 2 | 1.8V ~ 5.5V, ± 0.9V ~ 2.75V | 11MV @ 3V | 1pa @ 3v | 6ma @ 3v | 25µA | 80dB CMRR, 80dB PSRR | 1.7µs | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD4933G-TR | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD49XXX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | BD4933 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD4835FVE-TR | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD48XXX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-665 | 전압 전압 | BD4835 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 5-VSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD5353FVE-TR | 0.3105 | ![]() | 6173 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD53XX | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-665 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BD5353 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-VSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 5.3v | - | 확인되지 확인되지 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD9111NV-E2 | 3.9100 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -25 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | BD9111 | 5.5V | 결정된 | SON008V5060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 1MHz | 긍정적인 | 예 | 2A | 3.3v | - | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU4935G-TR | 0.2005 | ![]() | 6877 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BU4935 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BU4935GTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성/높은 낮음 | 1 | 3.5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD6028GU-E2 | - | ![]() | 1370 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | BD6028 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BD5359G-TR | 0.2551 | ![]() | 7549 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD53XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BD5359 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 5.9V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BR25H320FJ-2CE2 | 0.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BR25H320 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10MHz | 비 비 | 32kbit | eeprom | 4K X 8 | SPI | 4ms |
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