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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전류 - 공급 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | sic 프로그램 가능 | 산출 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 - 채널 / 출력 | 비트 비트 | 데이터 데이터 | 구성 | 건축학 | 참조 참조 | 전압 - 아날로그, 공급 | 전압 - 디지털, 공급 | d/a 수 변환기 | 정착 정착 | 차동 차동 | INL/DNL (LSB) | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | load | 인터페이스 | 전원 (와트) | 시계 시계 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 다시 다시 | 현재 -Quiescent (iq) | 현재 -공급 (max) | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 출력 출력 | 내부 내부 | 전압 - 고장 | 토폴로지 | 전압 - 시작 | 듀티 듀티 | 주파수 - 스위칭 | 결함 결함 | 제어 제어 | 전압- 최대 (공급) | 출력 출력 | 동기 동기 | 현재 - 출력 | 디스플레이 디스플레이 | 숫자 숫자 문자 | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 | 모니터링되는 모니터링되는 수 | 전압 - 값 임계 | 시간 시간 재설정합니다 | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 |
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![]() | BR24H08ANUX-5ACTR | 0.3000 | ![]() | 5686 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | vson008x2030 | - | 1 (무제한) | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BU4824G-TR | 0.2005 | ![]() | 9727 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BU4824 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성/높은 낮음 | 1 | 2.4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BD90541MUV-CE2 | 4.8100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-vfqfn 노출 패드 | BD90541 | 5.5V | 조절할 조절할있는 | VQFN20SV4040 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz ~ 2.4MHz | 긍정적인 | 예 | 4a | 0.6V | 5V | 2.6v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BU12JA2DG-CTR | 0.9000 | ![]() | 724 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | BU12JA2 | 6V | 결정된 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 80 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 100ma | 1.2V | - | 1 | - | 68db (1khz) | 현재, 이상 온도 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BD9766FV-E2 | 4.3560 | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -35 ° C ~ 85 ° C | LCD 디스플레이 | 표면 표면 | 28-TSSOP (0.220 ", 5.60mm 너비) | BD9766 | 9MA | 5V ~ 11V | 28-ssopb | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q174-474GAZWAX | - | ![]() | 2447 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 80BQFP | ML610Q174 | 80-QFP (14x20) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML610Q174-474GAZWAX | 1 | 49 | NX-U8/100 | 8 비트 | 8.4mhz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, POR, PWM, WDT | 128KB (64K X 16) | 플래시 | 2k x 8 | 4K X 8 | 2.2V ~ 5.5V | A/D 12x10B | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD8301MUV-E2 | 3.1500 | ![]() | 6990 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-vfqfn 노출 패드 | BD8301 | 5.5V | 조절할 조절할있는 | VQFN020V4040 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 스텝 스텝/업 다운 | 1 | 벅-부스트 | 1MHz | 긍정적인 | 예 | 1A | 2.8V | 5.2v | 2.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD8179MUV-E2 | - | ![]() | 9100 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | tft-lcd d | 표면 표면 | 32-vfqfn 노출 패드 | BD8179 | - | 2.6V ~ 5.5V | VQFN032V5050 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BD8179MUVE2 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM2P061EK-LBZ | 5.0400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm), 7 개의 리드 | BM2P061 | 7-DIP-AK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-BM2P061EK-LBZ | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 10.9V ~ 30V | 외딴 | 예 | 800V | 플라이백 | 10.7 v | 75% | 65kHz | 전류 전류, 제한 하중, 온도, 전압, 단락, 단락, uvlo | 소프트 소프트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD92111F-GE2 | 2.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 백라이트 | 표면 표면 | 18- SOIC (0.213 ", 5.40mm 너비) | DC DC 컨트롤러 | BD92111 | 30kHz ~ 200kHz | 18-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 2.3ma | 1 | 예 | - | 18V | PWM | 8V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU4247FVE-TR | - | ![]() | 7789 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-665 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BU4247 | 확인되지 확인되지 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 5-VSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.7V | 조정 조정/가능 가능 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD88220GUL-E2 | 2.2800 | ![]() | 6722 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-UFBGA, CSPBGA | AB | 단락 단락 열 및 | BD88220 | 2 채널 (스테레오) | 2.4V ~ 5.5V | VCSP50L2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 3,000 | 80mw x 2 @ 16ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BH2219FVM-TR | 2.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) | BH2219 | 전압 - 버퍼 | 확인되지 확인되지 | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 8 | SPI | R-2R | - | 2.7V ~ 5.5V | 2.7V ~ 5.5V | 2 | 100µs | 아니요 | ± 1.5 ((), ± 1 (최대 최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD70GC0MEFJ-ME2 | 1.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD70GC0 | 14V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 6 µA | 1.2 MA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 7V | - | 1 | 1.2v @ 1a | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD30FC0WFP-E2 | 1.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD | 26.5V | 결정된 | TO-252-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 2.5 MA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 3V | - | 1 | 0.7V @ 500MA | - | 현재, 이상 온도 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25G256-3 | - | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | BR25G256 | eeprom | 1.6V ~ 5.5V | 8-DIP-T | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 20MHz | 비 비 | 256kbit | eeprom | 32k x 8 | SPI | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bd9e301uefj-lbh2 | 5.4600 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | 36v | 조절할 조절할있는 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 570kHz | 긍정적인 | 예 | 2.5A | 1V | 25.2v | 7V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA05CC0FP-E2 | 1.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | BA05CC0 | 25V | 결정된 | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 2.5 MA | 5 MA | - | 긍정적인 | 1A | 5V | - | 1 | - | 55dB (120Hz) | 전류, 이상 온도, 전압 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bu33uv7nux-e2 | 1.3400 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-ufdfn 노출 패드 | bu33uv7 | 4.5V | 결정된 | vson010x3020 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 스텝 스텝 | 1 | 후원 | 800kHz | 긍정적인 | 예 | 500ma | 3.3v | - | 0.6V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bd30ia5wefj-e2 | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | bd30ia5 | 5.5V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 0.25 MA | 500 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 500ma | 3V | - | 1 | 0.6V @ 500ma | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD4930FVE-TR | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD49XXX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SOT-665 | 전압 전압 | BD4930 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-VSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3V | - |
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