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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전류 - 공급 | 전압- 최대 (입력) | 출력 출력 | sic 프로그램 가능 | 산출 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 - 채널 / 출력 | 구성 | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | 데이터 데이터 | 인터페이스 | 시계 시계 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 다시 다시 | 현재 -Quiescent (iq) | 현재 -공급 (max) | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 내부 내부 | 토폴로지 | 주파수 - 스위칭 | 제어 제어 | 전압- 최대 (공급) | 출력 출력 | 동기 동기 | 현재 - 출력 | 디스플레이 디스플레이 | 숫자 숫자 문자 | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 | 모니터링되는 모니터링되는 수 | 전압 - 값 임계 | 시간 시간 재설정합니다 | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 |
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![]() | BR25H160FVT-2CE2 | 0.6800 | ![]() | 7397 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR25H160 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-tssop-b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10MHz | 비 비 | 16kbit | eeprom | 2k x 8 | SPI | 4ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU4939F-TR | 0.2336 | ![]() | 8137 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-82 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BU4939 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 4-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | bu4939ftr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성/높은 낮음 | 1 | 3.9V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25A1MFJ-3MGE2 | 3.8400 | ![]() | 6776 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BR25A1 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10MHz | 비 비 | 1mbit | eeprom | 128k x 8 | SPI | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD70HA5MEFJ-LBH2 | 2.0300 | ![]() | 249 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD70HA5 | 8V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 1.2 MA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 500ma | 7V | - | 1 | 1.2v @ 500ma | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BR24C32-WDW6TP | - | ![]() | 8596 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR24C32 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 비 비 | 32kbit | eeprom | 4K X 8 | i²c | 5ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BD57015GWL-E2 | 10.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -30 ° C ~ 85 ° C | 무선 무선 수신기 | 표면 표면 | 63-UFBGA, WLCSP | BD57015 | 44ma, 27ma | 0V ~ 17.4V | UCSP50L4C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD18GC0WEFJ-E2 | 0.9800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD18GC0 | 14V | 결정된 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 0.6 MA | 900 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 1A | 1.8V | - | 1 | 0.92v @ 1a | - | 전류, 이상 온도, 소프트 스타트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU17102AKV-ME2 | 11.5900 | ![]() | 6384 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, 링크 클럭리스 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 48-LQFP | BU17102 | - | LVCMOS | 2.3V ~ 3.6V | 48-VQFP (7x7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 사제제 | 1.63Gbps | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR34L02FVT-WE2 | 0.4485 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR34L02 | eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-tssop-b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 비 비 | 2kbit | eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA178M07FP-E2 | 1.0400 | ![]() | 911 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | BA178M07 | 22V | 결정된 | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4.5 MA | 6 MA | - | 긍정적인 | 500ma | 7V | - | 1 | 2V @ 500ma (유형) | 71dB (120Hz) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD18347AEFV-ME2 | 2.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 자동차 | 표면 표면 | 16-VSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 | 선의 | BD18347 | - | HTSSOP-B16 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-BD18347AEFV-ME2CT | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 150ma | 4 | 예 | 일정한 일정한 | 20V | PWM | 5.5V | 40V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD9B301MUV-LBE2 | 3.5400 | ![]() | 4449 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-vfqfn 노출 패드 | BD9B301 | 5.5V | 조절할 조절할있는 | VQFN016V3030 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 1MHz, 2MHz | 긍정적인 | 예 | 3A | 0.8V | 4.4V | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU33TA2WHFV-TR | 0.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | SOT-665 | bu33ta2 | 5.5V | 결정된 | 5-hvsof | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 95 µA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 200ma | 3.3v | - | 1 | 0.6V @ 200mA | 65db (1khz) | 현재, 이상 온도 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR93A66RFJ-WME2 | 1.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BR93A66 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 2 MHz | 비 비 | 4kbit | eeprom | 256 x 16 | 전자기 | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD46321G-TR | 0.3720 | ![]() | 3212 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BD46XXX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 전압 전압 | BD46321 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 5-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 3.2v | 최소 90ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BR25010N-10SU-2.7 | 0.5578 | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BR25010 | eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BR25010N10SU2.7 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3MHz | 비 비 | 1kbit | eeprom | 128 x 8 | SPI | 5ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD450M5FP2-CZE2 | 1.2002 | ![]() | 3156 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | BD450 | 42V | 결정된 | TO-263-3F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 95 µA | 175 µA | - | 긍정적인 | 500ma | 5V | - | 1 | 0.5V @ 300ma | 60dB (120Hz) | 현재, 차단 열 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU1569GVW-E2 | - | ![]() | 5167 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | BU1569 | - | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | BU1569GVWE2 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU45K482G-TL | - | ![]() | 8218 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | BU45KXXX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 전압 전압 | BU45K482 | 확인되지 확인되지 | 열린 열린 또는 배수 수집기 | 3-ssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.8V | 최소 120ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ML610Q439P-NNNTC03A7 | - | ![]() | 3062 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML610400 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-LQFP | ML610Q439 | 144-LQFP (20x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | ML610Q439pnnntc03a7 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 600 | 20 | NX-U8/100 | 8 비트 | 4.2MHz | I²C, SSP, UART/USART | LCD, 멜로디,, por, pwm, wdt | 128KB (64K X 16) | 플래시 | - | 7k x 8 | 1.1V ~ 3.6V | A/D 2x12b, 2x24b | 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD95500MUV-E2 | 3.4200 | ![]() | 2585 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 100 ° C (TA) | 표면 표면 | 40-vfqfn 노출 패드 | BD95500 | 20V | 조절할 조절할있는 | VQFN040V6060 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 200kHz ~ 600kHz | 긍정적인 | 예 | 6A | 0.7V | 5V | 3V |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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