전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전류 - 공급 | 채널 채널 | 전압- 최대 (입력) | 명세서 | 출력 출력 | sic 프로그램 가능 | 산출 | 회로 회로 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 슬림 슬림 | 현재 - 채널 / 출력 | 증폭기 증폭기 | 대역폭 대역폭 얻습니다 | 전류 - 바이어스 입력 | 전압 - 오프셋 입력 | 전압- 범위 공급 (최소) | 전압- 범위 공급 (최대) | 구성 | i/o 수의 | 핵심 핵심 | 핵심 핵심 | 속도 | 연결성 | 주변 주변 | 프로그램 프로그램 크기 | 프로그램 프로그램 유형 | eeprom 크기 | 램 램 | 전압- v (VCC/VDD) | 데이터 데이터 | 발진기 발진기 | 인터페이스 | 시계 시계 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 다시 다시 | 현재 -Quiescent (iq) | 액세스 액세스 | 현재 -공급 (max) | 채널 채널 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 출력 출력 | 내부 내부 | 전압 - 고장 | 토폴로지 | 전압 - 시작 | 듀티 듀티 | 주파수 - 스위칭 | 결함 결함 | 제어 제어 | 전압- 최대 (공급) | 출력 출력 | 동기 동기 | 현재 - 출력 | 디스플레이 디스플레이 | 숫자 숫자 문자 | 전압 - 하중 | 구동 구동 | 드라이버 드라이버 | 게이트 게이트 | 논리 논리 - vil, vih | 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) | 모터 모터 - 타입 | 모터 모터 -AC, DC | 단계 단계 | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 | 모니터링되는 모니터링되는 수 | 전압 - 값 임계 | 시간 시간 재설정합니다 | 전압- 최소 (출력/고정) | 전압- 최대 (출력) | 전압- 최소 (입력) | 규제 규제 수 | 전압 전압 아웃 (최대) | PSRR | 보호 보호 | sic 프로그램 가능 |
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![]() | BD3813KS-E2 | 6.8400 | ![]() | 2023 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 75 ° C (TA) | 소비자 소비자 | 표면 표면 | 56-QFP | BD3813 | 6 | 129dB | 5V ~ 7.3V | 56-sqfp (10x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 오디오 오디오 프로세서 | 연속물 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU4342F-TR | 0.2705 | ![]() | 9838 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-82 | 간단한 간단한/재설정 재설정 | BU4342 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 4-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성 활성 | 1 | 4.2V | 조정 조정/가능 가능 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BAJ2CC0T | 2.7500 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | BAJ2CC0 | 25V | 결정된 | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 2.5 MA | 5 MA | - | 긍정적인 | 1A | 12V | - | 1 | - | 55dB (120Hz) | 전류, 이상 온도, 전압 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | ML620Q136-N01TDZ07FL | - | ![]() | 1848 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ML620Q100 | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | ML620Q136 | 20-tssop | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 846-ML620Q136-N01TDZ07FL | 1 | 14 | NX-U16/100 | 16 비트 | 16MHz | I²C, SSP, UART/USART | LVD, POR, PWM, WDT | 24KB (12k x 16) | 플래시 | 1K X 16 | 2k x 8 | 1.6V ~ 5.5V | A/D 8X10B SAR | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD9673EFJ-E2 | - | ![]() | 3302 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | BD9673 | 42V | 조절할 조절할있는 | 8-HTSOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 뿌리 뿌리 | 1 | 책임 | 300kHz | 긍정적인 | 둘 둘 | 1.5A | 1V | 29.4V | 7V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BH6526FV-E2 | - | ![]() | 3853 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | 미디어 미디어 | 표면 표면 | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BH6526 | MOSFET | 3.5V ~ 5.5V | 16-SSOP-B | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 드라이버 - 통합 완전히, 제어 및 파워 스테이지 스테이지 | 평행한 | 하프 하프 (4) | 800ma | 5.2V ~ 11.5V | - | 브러시 브러시 DC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD12732F-GE2 | 0.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BD12732 | 580µA | 철도 철도 레일 | 2 | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 0.4V/µs | 12 MA | 범용 | 1MHz | 50 NA | 1 MV | 1.8 v | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD3180FV-E2 | 2.2320 | ![]() | 5390 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -30 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | BD3180 | 60µA | - | 1 | 8-ssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | - | 1 MA | 현재의 현재의 | 1.2 µA | 500 µV | 3 v | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD18FD0WHFP-TR | 2.6000 | ![]() | 7363 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | HRP-5 (5 리드 + 탭) | 32V | 결정된 | HRP-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1 MA | 할 할있게 수 | 긍정적인 | 2A | 1.8V | - | 1 | - | 55dB (120Hz) | 전류, 이상 온도, 단락 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU21010MUV-E2 | 3.0780 | ![]() | 8257 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 16-VFQFN | 용량 용량 센서 성 | BU21010 | 논리 | 300 µA | 논리 | 16-VQFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 확인되지 확인되지 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25H160F-2CE2 | 0.6800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | BR25H160 | eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10MHz | 비 비 | 16kbit | eeprom | 2k x 8 | SPI | 4ms |
일일 평균 RFQ 볼륨
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